為努力實(shí)現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴(yán)格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計(jì)人員在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。然而，在可再生能源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域，要想增強(qiáng)這些關(guān)鍵設(shè)計(jì)性能，設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度就會(huì)提高，同時(shí)還會(huì)導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。

為幫助設(shè)計(jì)人員解決這些難題，全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 發(fā)布了非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案，進(jìn)而拓展了公司在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

飛兆半導(dǎo)體SiC解決方案助您成功

通過在產(chǎn)品組合中引入基于SiC技術(shù)的新產(chǎn)品成員，飛兆半導(dǎo)體進(jìn)一步鞏固了其在創(chuàng)新型高性能功率晶體管技術(shù)領(lǐng)域的產(chǎn)品領(lǐng)先地位。

飛兆半導(dǎo)體的SiC特性包括：

·        經(jīng)過優(yōu)化的半標(biāo)準(zhǔn)化自定義技術(shù)解決方案，可充分利用自身較大的半導(dǎo)體器件與模塊封裝技術(shù)組合

·        憑借功能集成和設(shè)計(jì)支持資源簡(jiǎn)化工程設(shè)計(jì)難題的先進(jìn)技術(shù)，可在節(jié)約工程設(shè)計(jì)時(shí)間的同時(shí)最大限度地減少元器件數(shù)量。

·        具有尺寸、成本和功率優(yōu)勢(shì)的較小型先進(jìn)封裝集成了領(lǐng)先的器件技術(shù)，可滿足器件制造商和芯片組供應(yīng)商的需求

在飛兆半導(dǎo)體SiC組合中首先要發(fā)布的一批產(chǎn)品是先進(jìn)的SiC雙極結(jié)型晶體管(BJT)系列，該系列產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)較高的效率、電流密度和可靠性，并且能夠順利地進(jìn)行高溫工作。通過利用效率出色的晶體管，飛兆半導(dǎo)體的SiC BJT實(shí)現(xiàn)了更高的開關(guān)頻率，這是因?yàn)閭鲗?dǎo)和開關(guān)損耗較低(30-50%)，從而能夠在相同尺寸的系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高達(dá)40%的輸出功率提升。

這些強(qiáng)健的BJT支持使用更小的電感、電容和散熱片，可將系統(tǒng)總體成本降低多達(dá)20%。這些業(yè)界領(lǐng)先的SiC BJT性能出眾，可促進(jìn)更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區(qū)，將在高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的功率管理優(yōu)化中發(fā)揮重大作用。

飛兆半導(dǎo)體還開發(fā)了即插即用的分立式驅(qū)動(dòng)器電路板（15A和50A版本），作為整套碳化硅解決方案的一部分，與飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)SiC BJT配合使用時(shí)，不僅能夠在減少開關(guān)損耗和增強(qiáng)可靠性的條件下提高開關(guān)速度，還使得設(shè)計(jì)人員能夠在實(shí)際應(yīng)用中輕松實(shí)施SiC技術(shù)。飛兆半導(dǎo)體為縮短設(shè)計(jì)時(shí)間、加快上市速度，還提供了應(yīng)用指南和參考設(shè)計(jì)。應(yīng)用指南可供設(shè)計(jì)人員獲取SiC器件設(shè)計(jì)所必需的其他支持；參考設(shè)計(jì)有助于開發(fā)出符合特定應(yīng)用需求的驅(qū)動(dòng)器電路板。

SiC BJT和其他SiC

有史以來最高效的1200 V功率轉(zhuǎn)換開關(guān)

•         最低的總損耗，包括開關(guān)、傳導(dǎo)及驅(qū)動(dòng)器損耗

•         所有1200 V器件中最低的開關(guān)損耗（任意R_ON條件下）

簡(jiǎn)單直接的驅(qū)動(dòng)

•         常關(guān)功能降低了風(fēng)險(xiǎn)和復(fù)雜程度，并減少了限制性能的設(shè)計(jì)

•         穩(wěn)定的基極輸入，對(duì)過壓/欠壓峰值不敏感   

強(qiáng)健且可靠

•         額定工作溫度高：Tj=175°C

•         由于R_ON具有正溫度系數(shù)，增益具有負(fù)溫度系數(shù)，因此易于并聯(lián)

•         穩(wěn)定持久的Vbe正向電壓和反向阻隔能力

封裝和報(bào)價(jià)信息（訂購(gòu)1,000個(gè)，美元）

飛兆半導(dǎo)體的SiC BJT采用TO-247封裝；符合條件的客戶從現(xiàn)在起即可獲取工程設(shè)計(jì)樣本。 

飛兆半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域掌握的專業(yè)技術(shù)非常符合不斷發(fā)展的碳化硅市場(chǎng)狀況。公司的SiC產(chǎn)品組合將提供當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手望塵莫及的速度、靈活性和總體性能優(yōu)勢(shì)。飛兆半導(dǎo)體致力于打造可幫助客戶實(shí)現(xiàn)成功的解決方案，通過不斷與客戶合作提供出色的多市場(chǎng)半導(dǎo)體產(chǎn)品，注重創(chuàng)新、服務(wù)和生產(chǎn)的卓越性。

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