《電子技術(shù)應(yīng)用》
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安森美半導(dǎo)體推出采用極緊湊、低厚度封裝的業(yè)界最小MOSFET

優(yōu)化用于超便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品接口及電源管理應(yīng)用
2012-10-18

 

應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容,推出一對(duì)優(yōu)化的超小超薄小信號(hào)MOSFET,用于空間受限的便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品,如平板電腦、智能手機(jī)、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機(jī)。

 

安森美半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品分部副總裁Paul Leonard說(shuō):“由于便攜電子產(chǎn)品的尺寸持續(xù)縮小,同時(shí)其板載特性持續(xù)增多,故無(wú)論是現(xiàn)在或未來(lái)將繼續(xù)存在針對(duì)超小型、高性能元器件的持續(xù)需求,從而使特性豐富的隨身攜帶型設(shè)備具有高能效及高功能性。NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ恰好配合此需求,使設(shè)計(jì)工程師能夠指定使用具有所需特性及功能同時(shí)還支持消費(fèi)者如今期望的纖薄時(shí)尚型設(shè)計(jì)的器件。”

新的NTNS3193NZNTNS3A91PZ被認(rèn)為是業(yè)界最緊湊的小信號(hào)MOSFET,因?yàn)樗鼈儾捎脴O小的0.62 mmx 0.62 mm x 0.4 mm XLLGA3封裝。XLLGA3封裝的總表面貼裝面積僅為0.38 mm²,是用于日漸縮小的便攜產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境的極佳方案,輕易替代采用大得多封裝的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品,如SOT-883封裝(表面貼裝面積為0.6mm²)或SOT-723 (表面貼裝面積為
1.44mm²)。

 

NTNS3193NZ是一款20伏(V)、單N溝道、門(mén)極至源極電壓(VGS)為±4.5V時(shí)典型導(dǎo)通阻抗(RDS(on))為0.75 Ω的器件。這器件與NTNS3A91PZ相輔相成,后者是一款20 V、單P溝道器件,VGS為±4.5 V時(shí)典型導(dǎo)通阻抗為1.3 Ω。

 

這兩款新MOSFET由于具有低導(dǎo)通阻抗、低閾值電壓及1.5 V門(mén)極驅(qū)動(dòng)能力,集成在便攜電子產(chǎn)品中時(shí)大幅降低能耗,使它們非常適合于小信號(hào)負(fù)載開(kāi)關(guān)、模擬開(kāi)關(guān)及高速接口應(yīng)用。兩款器件都完全無(wú)鉛、無(wú)鹵素及符合RoHS指令。

 


價(jià)格

NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ 每批量8,000片的單價(jià)分別為0.33和0.35美元。

 

關(guān)于安森美半導(dǎo)體

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)?a >汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),既快速又符合高性價(jià)比。公司在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的世界一流、增值型供應(yīng)鏈和網(wǎng)絡(luò)。更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.onsemi.cn。

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