幫助蜂窩手機(jī)及其他便攜式應(yīng)用設(shè)計人員改善電池充電和負(fù)載開關(guān)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 經(jīng)擴(kuò)大了其 P 通道 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品線 。

FDMA910PZ 和 FDME910PZT 具備 MicroFET MOSFET 包裝，并按照它們的物理尺寸(2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm) 提供卓越熱性能，讓它們完全匹配開關(guān)和線性模式應(yīng)用。 在 20V 的額定電壓下，設(shè)備提供低通路電阻。 為預(yù)防靜電放電 (ESD) 失敗，FDMA910PZ 和 FDME910PZT 裝有優(yōu)化穩(wěn)壓二極管保護(hù)設(shè)備，這也將使最大額定 IGSS 泄漏從 10μA 降至 1μA。

特色及優(yōu)勢：

FDMA910PZ

最大 RDS = 20 mΩ，需 VGS = -4.5V，ID = -9.4 A

最大 RDS = 24 mΩ，需 VGS = -2.5V，ID = -8.6 A

最大 RDS = 34 mΩ，需 VGS = -1.8V，ID = -7.2 A

低配置－配備 HBM ESD 保護(hù)的 MicroFET 2 X 2 mm 包裝最大為 0.8 mm

級別 > 2.8kV 標(biāo)準(zhǔn)

PDME910PZT

最大 RDS= 24mΩ，需 VGS = -4.5 V，ID = -8A

最大 RDS= 31mΩ，需 VGS = -2.5 V，ID = -7A

最大 RDS= 45mΩ，需 VGS = -1.8 V，ID = -6A

低配置： 配備 HBM ESD 保護(hù)的 MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包裝最大為 0.55 mm

級別 > 2kV 標(biāo)準(zhǔn)

FDMA910PZ 和 FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻，并且為 RoHS 兼容。 兩種設(shè)備都提供低電壓安全操作，并適用于手機(jī)和便攜式設(shè)備。

飛兆半導(dǎo)體是移動科技領(lǐng)導(dǎo)者，可提供大量模擬和電源 IP 系列產(chǎn)品，并可定制以滿足特殊設(shè)計需求。 飛兆半導(dǎo)體通過將領(lǐng)先的電路技術(shù)集成在微型高級包裝中，為便攜產(chǎn)品用戶提供重要的優(yōu)勢，同時能夠減小設(shè)計的尺寸、成本和功耗。 飛兆半導(dǎo)體的便攜 IP 已用于現(xiàn)今大部分手機(jī)中。