一: title="LDO">LDO 的選型和設(shè)計(jì)
1: LDO 的重要技術(shù)指標(biāo)：
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導(dǎo)通壓降:
定義為維持輸出電壓在標(biāo)稱值的100mV 范圍內(nèi)時，輸入電壓與輸出電壓的最小差值。這個指標(biāo)直接反映出效率和電池壽命. - 靜態(tài)電流/地電流(Iq or Ignd ): LDO在無負(fù)載工作時自身所需要的電流，直接反映出效率.
- 工作電流: 調(diào)壓器在滿負(fù)載工作時，自身所需要的電流,直接反映出效率
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PSRR – Power Supply Rejection Ratio電源干擾抑制率比：反映了電源的變化對該器件的性能指標(biāo)的影響．也反映了電源輸出產(chǎn)生的紋波反射到該器件的輸入端的大?。兴p輸出紋波反饋到輸入的作用．
小寫δ指電壓的AC值: 從100Hz,1KHz, 10kHz,100kHz.
2: LDO的選用和使用:
I: 選用LDO的不同封裝
根據(jù)最高環(huán)境溫度和最大功耗選擇LDO的封裝含義如下：
LDO 的最大功耗:
Pmax=(Vin-Vout)x Iout+IqxVin(可以忽略)
不同封裝最大能耗散的功率:
二者必須滿足以下關(guān)系式:
Pmax<Pd
例如：Vin=4.2V,Vout=3.0V@200mA TPS79930DDC 封裝為: TSOT-23 Iq=40uA
工作于：Tj=1250C, Ta=700C, Rtherta=2000C/W
Pmax=(4.2-3.0)x200mA+40uAx4.2V=240mW.
PD = (TJ - TA)/ JA。=(125-70)/200=275mW.
Pmax<Pd, 故可以選用此封裝LDO
下表所附是TI TPS79930 系列LDO的不同封裝的熱阻及該封裝在不同環(huán)境下的最大功耗：
II: 選用LDO的輸出電容:
此表反映了某系列LDO容許的輸出電容ESR的大小在4Ω 到10mΩ：
過大過小ESR 輸出電容可能導(dǎo)致LDO系統(tǒng)內(nèi)相位余量不夠而不穩(wěn)定, 如下圖所示:
- 低的 ESR (50mOhm) 將零點(diǎn)移到高頻.
- 這樣一來零點(diǎn)發(fā)生在0dB穿越頻率之后,意味著PL,P1兩個極點(diǎn)產(chǎn)生-180度總相移.
- 系統(tǒng)不穩(wěn)定.
當(dāng)然TI也有一系列LDO輸出無須輸出電容：TPS732XX，由于內(nèi)部誤差運(yùn)算放大器的相位余量足夠大，所以無須外加電容，除非輸出電容的ESR和所有寄生電阻的乘積小于50nWF;另由于此類LDO內(nèi)部集成了一電荷泵提供內(nèi)部調(diào)整管的工作電源，其輸入電壓最低可以達(dá)1.7V．所以從1.8V直接降壓到1.5V,1.2V ,在輸出電流達(dá)250MA最低壓差為40mV
二: DC/DC 電源中電阻和電容的選擇和設(shè)計(jì):
1: 功率回路中的電容的特性和設(shè)計(jì)：
電解電容器一般都有很大的電容量和很大的等效串聯(lián)電感。由于它的諧振頻率很低，所以只能使用在低頻濾波上。鉭電容器一般都有較大電容量和較小等效串聯(lián)電感，因而它的諧振頻率會高于電解電容器，并能使用在中高頻濾波上。瓷片電容器電容量和等效串聯(lián)電感一般都很小，因而它的諧振頻率遠(yuǎn)高于電解電容器和鉭電容器，所以能使用在高頻濾波和旁路電路上。由于小電容量瓷片電容器的諧振頻率會比大電容量瓷片電容器的諧振頻率要高，因此，在選擇旁路電容時不能光選用電容值過高的瓷片電容器。為了改善電容的高頻特性，多個不同特性的電容器可以并聯(lián)起來使用。圖3是多個不同特性的電容器并聯(lián)后阻抗改善的效果。
ΔV= ΔI X ESRCout
當(dāng)然并聯(lián)越多, ESR越低,輸出紋波越小.
2：功率回路中的電感特性和設(shè)計(jì)：
I:Buck電路中輸出電感的選擇:
電感量的計(jì)算方法, DC/DC 輸出電感電流波形根據(jù)工作的模式不同如下圖所示:
參數(shù)r的說明:
一般r值我們選0.25-0.5（最大輸出電流時）
從公式可以看到， r隨輸出電流變化而變化，當(dāng)r=2時，電感工作模式從連續(xù)過度到非連續(xù)。
基本方法的計(jì)算公式是從V=L*di/dt演化出來：
正激類輸出濾波電感和 變換器輸出電感相同一般工作在電流連續(xù)模式。電感量為：
Ui----電感輸入端電壓
D---Ton/T占空比
Uo---輸出電壓
F=1/T---開關(guān)頻率
k=ΔI/2Io
允許的紋波電流越小，即 越小，電感越大，紋波電流， 反之，電感較小，要求的電容較大， 一般k=0.05~0.1
II: 電感飽和電流必須滿足以下公式:
一般選擇電感的飽和電流大于或等于控制器的最大開關(guān)電流.
Boost和Buck-boost電感的設(shè)計(jì):
當(dāng)設(shè)計(jì)為連續(xù)工作模式時,所需的電感量必須滿足以下公式:
式中Ii=Io/η(1-D)---輸入電流平均值.
η---變換器效率.
當(dāng)設(shè)計(jì)為斷續(xù)工作模式時,所需的電感量必須滿足以下公式:
式中: Ui---電感輸入端電壓
3：系統(tǒng)的穩(wěn)定性補(bǔ)償：
這是一電壓式(VM) DC/DC控制器的頻響曲線: (沒有回路補(bǔ)償)
從以上曲線可以看出:
- 主極點(diǎn)由輸出電感電容諧振決定的雙重極點(diǎn).增益以-40Db/斜率下降
- 輸出的等效內(nèi)阻ESR和容值構(gòu)成一級零點(diǎn)，此時增益以-20Db/斜率下降直到過零點(diǎn).,這樣一來使得相位余量的范圍在450到900
- 但當(dāng)輸出電容的ESR太低,相移可能達(dá)到1800, 而且f0 太接近開關(guān)頻率(f0>fsw/3),也會使系統(tǒng)不穩(wěn)定.
綜上所看:
高ESR 的輸出電容 Cout , 可以得到更大的相位余量,但同時輸出紋波較大,因?yàn)?nbsp; ΔV= ΔI X ESRCout. . 低感量的輸出電感可以得到更大的相位余量,在在負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)中過沖很小,但開關(guān)電流的峰值高會很高,即輸出輸出紋波較大.
因此我們可以說, 電源設(shè)計(jì)是一系列的折衷考慮.
為了使我們的電源系統(tǒng)更加穩(wěn)定, 如果有調(diào)整電壓輸出反饋端,不過去我們可以通過以下方法調(diào)整, 使的我們可以在采用在采低的ESR電容, 輸出紋波更低的條件下系統(tǒng)更穩(wěn)定.
I: 一般的電壓分壓反饋網(wǎng)絡(luò):
傳輸函數(shù) G(S):
II: 加入一前饋電容:
其傳遞函數(shù)和增加的一級零, 極點(diǎn)如下:
III:
這種補(bǔ)償方式增加一零點(diǎn)和一高頻極點(diǎn)但減少了高頻增益.被用于增加系統(tǒng)的相位余量.
IV:
這種補(bǔ)償方式用于減少DC/DC變換器的高頻增益, 提高相位裕量.并且減少反饋端的噪聲. 但電容容值不能太大, 否則可能使系統(tǒng)的動態(tài)響應(yīng)減慢.
四：PCB板設(shè)計(jì)布局
1: PCB板設(shè)計(jì)布局的一般原則
I: 器件的放置的優(yōu)先級：
先功率器件(MOSFET, 整流二極管，輸出電感, 輸出電容), 后 控制IC,最后IC周邊
II: 功率回路盡量短, 如上圖所示加粗線路: 電流從輸入到輸出的路徑.
III: 地線: 一般電源里有功率地和控制地, 要求分別采用星形接地法連接到控制IC的功率地和控制地, 后在IC 下通過一個過孔聯(lián)結(jié)在一起.
IV: 注意幾個敏感點(diǎn):
FB pin 或 I sense 電流取樣端: 盡量遠(yuǎn)離功率回路, 即上圖中加粗的部分, 特別提醒,反饋線不能從電感下通過. 這部分線可以走的稍遠(yuǎn)些. 反饋取樣電阻及電容盡量靠近IC.
Switch Node: 在開關(guān)電源里, 在這一點(diǎn)的電壓波形以開關(guān)頻率(如1.2MHZ)從輸入電壓到地高速切換,所以有很高的 dV/dt ,電磁輻射非常嚴(yán)重. 因此我們在畫PCB時,避免把此點(diǎn)設(shè)計(jì)為一天線,要求輸出電感盡量靠近MOSFET 或SW腳, 使這點(diǎn)盡量短, 使用多層PCB, 避免通過寄生電容偶合到地和信號通到。
2: 注意過電流量:
- 電流1A, 1 盎司的銅, 線徑最小 = 12 mils Min.
- 電流5A, 1/2 盎司的銅, 線徑最小 = 240 mils Min.
- 電流20A, 1/2 盎司的銅, 線徑最小 = 1275 mils Min.
- 3oz = 0.105mm
- 2oz = 0.070mm
- 1oz = 0.035mm
3: 實(shí)例:
