非易失性存儲器(NVM)在半導(dǎo)體市場占有重要的一席之地,特別是主要用于手機和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對非易失性存儲器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲器,而代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。
圖1a:PCM存儲元件的橫截面原理圖
圖1b:寫入操作過程中的模擬溫度曲線圖
使用比寫入電流低很多的且無重要的焦耳熱效應(yīng)的電流讀取存儲器,從而可以區(qū)別高電阻(非晶體)和低電阻(晶體)狀態(tài)。
圖2:存儲技術(shù)屬性比較
存儲單元小和制造工藝可以升級是讓人們看好PCM的第二大理由。相變物理性質(zhì)顯示制程有望升級到5 nm節(jié)點以下,有可能把閃存確立的成本降低和密度提高的速度延續(xù)到下一個十年期。
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關(guān)于作者
Roberto Bez
恒憶研發(fā)中心技術(shù)開發(fā)部研究員,負責(zé)恒憶相變存儲技術(shù)(PCM)的研發(fā)工作。
恒憶設(shè)計與生產(chǎn)制造完整的集成NV-RAM、NOR、NAND 和相變移位存儲器等非易失性存儲技術(shù)與產(chǎn)品,以滿足無線、數(shù)據(jù)和嵌入式存儲器市場日趨復(fù)雜的需求。恒憶結(jié)合了意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)和英特爾(Intel) 存儲部門的技術(shù)與制造專業(yè),致力于為全球客戶提供高密度、低功耗存儲技術(shù)與封裝解決方案。關(guān)于恒憶的詳細信息,請查詢公司網(wǎng)站 numonyx.com/">www.numonyx.com。