《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 嵌入式技術(shù) > 新品快遞 > Vishay Siliconix最新推出的P溝道功率MOSFET的導(dǎo)通電阻不僅為業(yè)內(nèi)最低,更將之前的最低紀錄減小了近50%之多

Vishay Siliconix最新推出的P溝道功率MOSFET的導(dǎo)通電阻不僅為業(yè)內(nèi)最低,更將之前的最低紀錄減小了近50%之多

2009-11-23
作者:Vishay
關(guān)鍵詞: MOSFET SiA433EDJ Vishay

2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝,具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件,使用了自矯正的工藝技術(shù),在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術(shù)實現(xiàn)了超精細、亞微米的間距工藝,將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻減小了近一半。

 

SiA433EDJ具有超低的導(dǎo)通電阻,在4.5V、2.5V1.8V下的導(dǎo)通電阻分別為18mΩ、26mΩ和65mΩ。在4.5V2.5V下,這些數(shù)值比最接近的競爭器件小40%30%

 

新的MOSFET也是唯一同時具有12V柵源電壓和可在1.8V額定電壓下導(dǎo)通的20V器件。這樣就可以將該器件用在由于浪涌、尖峰、噪聲或過壓導(dǎo)致的更高柵極驅(qū)動電壓波動的應(yīng)用,同時在采用更低輸入電壓的應(yīng)用中提供更安全的設(shè)計。

 

SiA433EDJ可以用作手持設(shè)備,如手機、智能手機、PDA、MP3播放器中的負載、電池和充電開關(guān)。MOSFET的低導(dǎo)通電阻意味著更低的導(dǎo)通損耗,節(jié)約能量并延長這些設(shè)備中兩次充電之間的電池壽命。SiA433EDJ的尺寸只有TSOP-6封裝的一半,卻能提供近似的導(dǎo)通電阻,其緊湊的PowerPAK SC-70封裝可將節(jié)約出來的電路板空間用于其他產(chǎn)品特性,或是實現(xiàn)更小的終端產(chǎn)品。

 

為減少ESD導(dǎo)致的故障,器件內(nèi)置了一個齊納二極管,使ESD保護提高到1800V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范,符合RoHS指令2002/95/EC,通過了完整的Rg測試。

 

新的SiA433EDJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,將于2010年第一季度實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十四周至十六周。

 

VISHAY SILICONIX簡介

Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率 MOSFET 和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計算機磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix 的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑,包括在業(yè)內(nèi)建成第一個基于槽硅工藝(TrenchFET®)的功率型 MOSFET 和業(yè)內(nèi)第一個小型的表面貼裝的功率型 MOSFETLITTLE FOOT®)。

創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù),例如被設(shè)計用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負荷切換的應(yīng)用中最佳化功率 MOSFET 的性能的硅技術(shù),以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®)和更小空間(ChipFET®MICRO FOOT®)新的封裝選擇。除了功率 MOSFET 外,Vishay Siliconix 的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix 功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件,而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。

Siliconix 創(chuàng)建于 1962 年,在 1996 Vishay 購買了其 80.4% 的股份使其成為 Vishay子公司。

 

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富 1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及一站式服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細信息,敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com

TrenchFET® PowerPAK® Siliconix Incorporated 的注冊商標

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。