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LSI率先演示采用Toshiba 19nm和Intel 20nm NAND閃存技術的SSD

LSI SandForce SF-2000 閃存存儲處理器可加速業(yè)界最先進閃存介質(zhì)的性能,并使可靠性實現(xiàn)最大化
2012-06-05

北京2012年6月5日電 /美通社亞洲/ -- 在2012臺北國際電腦展上,LSI公司( http://www.lsi.com/china/Pages/china.aspx  )(紐約證交所股票代碼:LSI)宣布演示其備受贊譽的SandForce(R) SF-2000閃存( http://www.sandforce.com/index.php?id=2  )存儲處理器(FSP),該產(chǎn)品采用Toshiba 19nm以及Intel 20nm NAND 閃存 -- 目前SSD應用中所使用的最先進閃存技術。這些前沿的技術將于本周舉行的2012年臺北國際電腦展上進行互動演示。

LSI SandForce FSP 可為NAND 閃存固態(tài)硬盤(SSD)提供同類最佳的性能、可靠性、耐用性和功效。公司現(xiàn)有的產(chǎn)品證明,LSI不僅可以幫助SSD制造商以更快的速度向市場推出成本更低的SSD產(chǎn)品,還可以加速閃存存儲在云計算、企業(yè)和客戶端應用中的廣泛普及。到2015年SSD產(chǎn)品在客戶端和企業(yè)市場領域的出貨量將超過1億,與2011年相比出貨量增長56%。(1)
SSD目標分析師Jim Handy 指出:“SSD用戶都希望從領先的閃存技術中獲得巨大的成本優(yōu)勢,但大部分SSD控制器都無法管理最先進和成本最低的閃存芯片的復雜性。通過支持最小的NAND工藝,LSI將幫助OEM廠商和終端用戶在云計算、企業(yè)和客戶端等I/O密集型和基本數(shù)據(jù)存儲應用中部署最具成本效益的閃存存儲處理器。”
隨著閃存存儲器的尺寸不斷縮小,引入最先進的錯誤校驗功能已成為當務之急。這是因為獨立單元已很難維持一定荷質(zhì)比,這會降低閃存器件的可靠性、數(shù)據(jù)完整性和數(shù)據(jù)保留特性。為了優(yōu)化19nm和20nm閃存存儲的可靠性和耐用性,LSI 的SandForce SF-2000 FSP在512字節(jié)扇區(qū)內(nèi)可校正多達55位錯誤,也成為業(yè)界首款可同時支持企業(yè)和客戶端市場的處理器。LSI SandForce產(chǎn)品包括一個獨特的糾錯引擎,盡管當今和未來先進NAND閃存技術對閃存錯誤校驗功能的要求不斷變化和提高,但是該引擎憑借其獨特的設計完全可以應對這些挑戰(zhàn)。
LSI 閃存組件部副總裁兼總經(jīng)理Michael Raam 指出:“與6家NAND閃存技術領先制造商開展合作,使我們能夠針對不斷縮小的芯片尺寸對閃存處理器進行優(yōu)化。SSD已經(jīng)具備云計算和財富1000企業(yè)中關鍵任務型計算環(huán)境所需的卓越可靠性,使用壽命和功效,并且隨著用戶越來越認可這些屬性,我們期望繼續(xù)看到SSD技術被廣泛采用。”
為了滿足客戶對小尺寸閃存器件的可靠性和耐用性要求,LSI SandForce FSP 采用了DuraClass(R)( http://www.sandforce.com/index.php?id=3  ) 高級NAND閃存管理技術。
DuraClass管理特性包括:
  -- DuraWrite(TM):優(yōu)化閃存的程序周期數(shù)量,有效地提高閃存耐用性。
  -- RAISE(TM)(獨立芯片冗余陣列):驅(qū)動器可靠性得到大幅提高,可實現(xiàn)單驅(qū)動解決方案、RAID式的保護及恢復功能。
  -- 高級耗損平衡和監(jiān)視:最佳耗損平衡算法可進一步增強閃存耐用性。
  -- 反復循環(huán)器:智能地執(zhí)行“垃圾收集”操作,清除無效數(shù)據(jù),使閃存耐用性影響最小化。
LSI技術演示將在臺北市君悅酒店1037和1038號LSI套房中進行。如需了解關于LSI SandForce FSP的更多信息,敬請訪問:www.lsi.com/sandforce。
 
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