《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設(shè)計 > 業(yè)界動態(tài) > 中芯國際與燦芯半導(dǎo)體40納米低漏電工藝ARM Cortex-A9雙核測試芯片成功流片

中芯國際與燦芯半導(dǎo)體40納米低漏電工藝ARM Cortex-A9雙核測試芯片成功流片

測試芯片性能已達(dá)900MHz
2012-02-28
關(guān)鍵詞: 晶圓廠 測試芯片 流片

 

2012年2月27日,中國上海和英國劍橋——國際領(lǐng)先的IC設(shè)計公司及一站式服務(wù)供應(yīng)商—燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司(以下簡稱“燦芯半導(dǎo)體”)與中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐約證券交易所:SMI,香港聯(lián)合交易所:0981.HK)及ARM今日聯(lián)合宣布,采用中芯國際40納米低漏電工藝的ARM® Cortex™-A9 MPCore™雙核測試芯片首次成功流片

該測試芯片基于ARM Cortex-A9雙核處理器設(shè)計,采用了中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器使用了一個集32K I-Cache和32K D-Cache,128 TLB entries,NEON™ 技術(shù),以及包括調(diào)試和追蹤技術(shù)的CoreSight™ 設(shè)計套件。除高速標(biāo)準(zhǔn)單元庫,該測試芯片還采用高速定制存儲器和單元庫以提高性能。設(shè)計規(guī)則檢測之簽核流程(sign-off)結(jié)果已達(dá)到900MHz(WC),預(yù)計2012年第二季度流片結(jié)束后,實(shí)測結(jié)果將達(dá)到1.0GHz。

燦芯半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官職春星博士指出:“ARM Cortex-A9雙核測試芯片采用了中芯國際的40納米低漏電工藝,大幅縮短了整個芯片設(shè)計時間,并且降低了開發(fā)成本與流片風(fēng)險,這一系列工藝技術(shù)和設(shè)計上的優(yōu)化措施將推動高性能的Cortex-A9處理器快速面市。我們很高興在處理器內(nèi)核及其優(yōu)化實(shí)現(xiàn)上與ARM及中芯國際建立緊密的合作伙伴關(guān)系,該測試芯片的順利流片再次證明了三家公司合作的成功。有了ARM和中芯國際的支持,我們必將為需要高性能ARM內(nèi)核的客戶帶來巨大價值。”

中芯國際首席商務(wù)長季克非表示:“通過與ARM和燦芯的密切合作,中芯國際能夠?yàn)榭蛻籼峁┮粋€快速實(shí)現(xiàn)從設(shè)計到生產(chǎn)的完整平臺。我們十分重視與燦芯、ARM的合作伙伴關(guān)系。也正因?yàn)樗麄兊呐?,我們才能達(dá)成此40納米技術(shù)的重要里程碑,這對我們‘為客戶提供最先進(jìn)的制程技術(shù)’的共同承諾是最有力的證明。中芯國際40納米技術(shù)結(jié)合ARM Cortex-A9處理器和燦芯的設(shè)計流程,將有助于滿足高性能和低功耗消費(fèi)電子產(chǎn)品日益增長的需求。”

ARM中國區(qū)總裁吳雄昂說:“在中國,ARM堅持致力于與合作伙伴共同努力,創(chuàng)造一個推動創(chuàng)新與成長的生態(tài)系統(tǒng)。這個與燦芯半導(dǎo)體、中芯國際共同創(chuàng)造的重要里程碑,證明了通過我們的合作,可以承諾并最終實(shí)現(xiàn)以高性能、低功耗的產(chǎn)品,來更快地滿足市場不同領(lǐng)域的需求。”

關(guān)于ARM

ARM公司設(shè)計先進(jìn)的數(shù)字產(chǎn)品核心應(yīng)用技術(shù),應(yīng)用領(lǐng)域從無線、網(wǎng)絡(luò)和消費(fèi)娛樂解決方案到影像、汽車電子、安全應(yīng)用及存儲裝置。ARM提供廣泛地產(chǎn)品,包括:32位RISC微處理器、圖形處理器、視頻引擎、軟件(enabling software)、單元庫、嵌入式存儲器、高速連接產(chǎn)品(PHY)、I/O(外設(shè))和開發(fā)工具。ARM公司綜合了全面設(shè)計、培訓(xùn)、支持和維護(hù)方案等服務(wù),通過協(xié)同眾多技術(shù)合作伙伴為業(yè)界領(lǐng)先的電子企業(yè)提供快速、可靠的完整系統(tǒng)解決方案。欲了解ARM公司詳情,請訪問以下連接:http://www.arm.com/

關(guān)于燦芯半導(dǎo)體

燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司是一家ASIC 設(shè)計以及后段一站式服務(wù)公司,為客戶提供最具成本效益的,可預(yù)測和可靠的定制化ASIC解決方案。與Open-Silicon和中芯國際成為戰(zhàn)略合作伙伴,燦芯采用成熟的設(shè)計流程和方法,具備先進(jìn)的設(shè)計能力,提供一站式定制化ASIC解決方案,以一個提供低成本,低風(fēng)險的成熟商業(yè)模式替代了復(fù)雜的ASIC設(shè)計和開發(fā)的傳統(tǒng)模式。欲了解更多訊息,請訪問www.britesemi.com。

關(guān)于中芯國際

中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)合交易所股票代碼:981),是世界領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一,也是中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到40納米晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。中芯國際總部位于上海,在上海建有一座300mm 晶圓廠和三座200mm 晶圓廠。在北京建有兩座300mm 晶圓廠,在天津建有一座200mm 晶圓廠,在深圳有一座200mm 晶圓廠在興建中。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺灣地區(qū)提供客戶服務(wù)和設(shè)立營銷辦事處,同時在香港設(shè)立了代表處。此外,中芯國際代武漢新芯集成電路制造有限公司經(jīng)營管理一座300mm 晶圓廠。詳細(xì)信息請參考中芯國際網(wǎng)站www.smics.com

安全港聲明

(根據(jù)1995 私人有價證券訴訟改革法案)本次新聞發(fā)布可能載有(除歷史資料外)依據(jù)1995 美國私人有價證券訴訟改革法案的“安全港”條文所界定的“前瞻性陳述”。該等前瞻性陳述的聲明乃根據(jù)中芯對未來事件的現(xiàn)行假設(shè)、期望及預(yù)測而作出。中芯使用“相信”、“預(yù)期”、“打算”、“估計”、“期望”、“預(yù)測”或類似的用語來標(biāo)識前瞻性陳述,盡管并非所有前瞻性聲明都包含這些用語。這些前瞻性聲明涉及可能導(dǎo)致中芯實(shí)際表現(xiàn)、財務(wù)狀況和經(jīng)營業(yè)績與這些前瞻性聲明所表明的意見產(chǎn)生重大差異的已知和未知的重大風(fēng)險、不確定因素和其他因素,當(dāng)前全球金融危機(jī)的相關(guān)風(fēng)險、未決訴訟的頒令或判決,和終端市場的財政穩(wěn)定。投資者應(yīng)考慮中芯呈交予美國證券交易委員會(“證交會”)的文件資料,包括其于二零一一年六月二十八日以20-F 表格形式呈交給證交會的年報,特別是在“風(fēng)險因素”和“管理層對財務(wù)狀況和經(jīng)營業(yè)績的討論與分析”部分,并中芯不時向證交會(包括以6-K 表格形式),或聯(lián)交所呈交的其他文件。其它未知或不可預(yù)測的因素也可能對中芯的未來結(jié)果,業(yè)績或成就產(chǎn)生重大不利影響。鑒于這些風(fēng)險,不確定性,假設(shè)及因素本次新聞發(fā)布中討論的前瞻性事件可能不會發(fā)生。請閣下審慎不要過分依賴這些前瞻性聲明,因其只于聲明當(dāng)日有效,如果沒有標(biāo)明聲明的日期,就截至本新聞發(fā)布之日。除法律有所規(guī)定以外,中芯概不負(fù)責(zé)因新資料、未來事件或其他原因引起的任何情況,亦不擬更新任何前瞻性陳述。

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。