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Flash存儲器Am29F040結構分析
摘要: Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器,主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù),也就是開機后執(zhí)行閃存的程序,并在程序執(zhí)行的過程中實時地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點和操作。
Abstract:
Key words :

  Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器,主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù),也就是開機后執(zhí)行閃存的程序,并在程序執(zhí)行的過程中實時地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。下面首先介紹Am29F040的特點和操作。Am29F040是采用5 V單電源供電的可編程只讀存儲器,是一種電可擦除與重新編程的器件。該器件由8個獨立的64 K字節(jié)塊組成,訪問速度為55~150 ns。片內(nèi)的狀態(tài)機控制編程和擦除器件、嵌入式字節(jié)編程與區(qū)段/芯片擦除功能是全自動的。內(nèi)部結構框圖如圖1所示。

            

  A0~A18:地址線。其中A8~A18提供存儲區(qū)地址,行地址確定所在扇區(qū);A0~A7選定某扇區(qū)的一 個字節(jié),扇區(qū)容量是256字節(jié)。DQ0-DQ7:數(shù)據(jù)輸入/輸出。在讀周期輸出數(shù)據(jù); 在寫周期接收數(shù)據(jù)。寫過程中寫入的數(shù)據(jù)被內(nèi) 部鎖存。CE:輸入,芯片使能, 低電平時選中該器件。OE:輸入,輸出使能, 低電平時打開數(shù)據(jù)輸出緩沖 區(qū),允許讀操作WE:輸入,寫使能,低電平時允許寫操作。Vcc為5V電源。Vss為地。

  工作方式有讀方式、待機方式、輸出禁止及算法選擇。例如,對于寫操作的編程命令,如表1所列。 其中:RA為被讀出的存儲單元地址; PA為被編程的存儲單元地址; RD為所選地址單元被讀出的數(shù)據(jù); PD為所選地址單元被編程的數(shù)據(jù)。除編程地址、區(qū)段地址和讀地址之外的所有總線周期地址,地址引腳A18、A17、A16、A15為高或低。

  下面以命令表的編程命令為例,簡要介紹字節(jié)編程。表1所列命令是一個4總線周期指令。首先,在地址5555H寫入數(shù)據(jù)0AAH,地址2AAAH寫入數(shù)據(jù)055H,再在地址5555H寫入數(shù)據(jù)AOH,最后是編程的地址和數(shù)據(jù)。 對于芯片擦除功能,自動地提供編程和電擦除之前,校驗所有存儲單元所需的電壓和時序,然后自動擦除并校驗單元界限。利用數(shù)據(jù)輪詢(data-polling)特性,可以監(jiān)視自動芯片擦除操作期間器件的狀態(tài),以檢驗操作是否完成。

  程序如下:int Chip-Erase (){*(int*)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*寫芯片擦除命令部分*/*(int*)0x00002AAA=0x55555555;*(int*)0x00005555=0x80808080;*(int)0x00005555=0xAAAAAAAA:*(int*)0x00002AAA=0x55555555;*(int*)0x00005555=0x10101010;while((*(int)0x00005555&0x80808080)!=0x80808080) /*數(shù)據(jù)輪詢*/ 對于區(qū)段擦除暫停,在區(qū)段擦除期間擦除暫停有效,數(shù)據(jù)值為BOH,不管地址值。區(qū)段擦除恢復,僅在擦除暫停之后擦除有效,數(shù)據(jù)值為30H,不管地址值。下面是簡要的程序代碼:int Sector- Erase(sectadd) int * sectadd;{ *(int*)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*寫區(qū)段擦除命令部分*/ *(int*)0x00002AAA=0x55555555; *(int*)0x00005555=0x80808080; *(int*)0x00005555=0xAAAAAAAA; *(int*)0x00002AAA=0x55555555; *sectadd=0x30303030; 對于數(shù)據(jù)保護,此特性禁止在1-8個區(qū)段的任何組合進行編程和擦除操作。執(zhí)行編程和擦除被保護區(qū)段的命令時,不改變區(qū)段內(nèi)的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)輪詢位和跳轉(zhuǎn)位工作在2~100μs,然后返回到有效數(shù)據(jù)。在地址引腳A9和控制引腳E,使用11.5~12.5 V高電壓VID’且在控制引腳E上使用VIL將使此特性起作用。其具體操作為:當W為VIH’E為VIL且地址引腳G為VID時,區(qū)段保護方式被激活,地址引腳A18、A17、A16用來選擇被保護的區(qū)段。一旦地址穩(wěn)定,W處于脈沖低電平,操作開始于W的下降沿。

            

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