《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 其他 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 英飛凌取得重大技術(shù)突破 創(chuàng)新半導(dǎo)體架構(gòu)大大改善能效

英飛凌取得重大技術(shù)突破 創(chuàng)新半導(dǎo)體架構(gòu)大大改善能效

2007-08-07
作者:英飛凌

英飛凌" title="英飛凌">英飛凌研究人員今日在日本公布了新型晶體管架構(gòu)的詳細(xì)信息,該技術(shù)將為生產(chǎn)體積更小、功能更強(qiáng)大的電子器件和電路消除障礙。這種多柵極場(chǎng)效晶體管技術(shù)是英飛凌能效業(yè)績(jī)目標(biāo)的一部分。與當(dāng)前的65nm" title="65nm">65nm晶體管相比,集成多柵極場(chǎng)效晶體管可將關(guān)斷電流減小10倍以上,并將晶體管開關(guān)耗電減少50%。英飛凌的研究人員第一次將具有高介電常數(shù)柵極電介質(zhì)和金屬柵的多柵極場(chǎng)效晶體管集成到具有創(chuàng)紀(jì)錄開關(guān)速度、泄漏功率和開關(guān)功效的高度復(fù)雜數(shù)字電路" title="數(shù)字電路">數(shù)字電路中。在日本京都舉行的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)——VLSI技術(shù)研討會(huì)上,共提交論文90多篇,而英飛凌的論文受到了來自全球的700多位研究人員的高度評(píng)價(jià),為歐洲尖端技術(shù)贏得了殊榮。 ?

高集成電路生產(chǎn)商常常需要將數(shù)百萬個(gè)元件集成到一個(gè)針尖大小的空間中,因而面臨著許多挑戰(zhàn):它們需要將多種功能壓縮到一個(gè)產(chǎn)品中,同時(shí)還要盡可能地保持其外觀小巧和低功耗" title="低功耗">低功耗。然而,從技術(shù)角度來說,這些目標(biāo)彼此相互沖突:更小的晶體管和更高的操作頻率需要更多的能耗,這意味著當(dāng)電路處于停用和待機(jī)模式" title="待機(jī)模式">待機(jī)模式時(shí),泄漏功耗更高,當(dāng)電路處于工作模式時(shí),開關(guān)或工作電耗更高。在日本,英飛凌研究人員為與會(huì)人員介紹了克服這些難題的解決方案。?

與目前普遍使用的二維平面標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)不同,多柵極場(chǎng)效晶體管為三維形式。 ?

英飛凌首次在復(fù)雜的數(shù)字電路上完成了采用65nm技術(shù)的新型晶體管架構(gòu)的測(cè)試,這種復(fù)雜數(shù)字電路具有超過23,000個(gè)晶體管,融合了當(dāng)前高級(jí)集成電路使用的所有重要元件和SRAM。新架構(gòu)測(cè)得的最短開關(guān)時(shí)間為13.9皮秒,比以前減少了40%,創(chuàng)造了新紀(jì)錄。即使是光在這樣短的時(shí)間內(nèi),也只能走4毫米的路程。?

英飛凌管理委員會(huì)成員兼通信解決方案業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人Hermann Eul 博士評(píng)論說:“我們測(cè)得的靜態(tài)電流比當(dāng)今的集成電路低10倍。這將使移動(dòng)設(shè)備的能效和電池壽命提高兩倍。這使我們堅(jiān)信,多柵極場(chǎng)效晶體管與我們領(lǐng)先的應(yīng)用專業(yè)知識(shí)和技術(shù)的結(jié)合,將帶來高成本效益的解決方案、低功耗應(yīng)用,并大大延長(zhǎng)移動(dòng)設(shè)備的電池壽命。并且,這種新型架構(gòu)將使用戶能夠在便攜設(shè)備上長(zhǎng)時(shí)間地觀看視頻節(jié)目?!?

游戲和視頻這樣的動(dòng)態(tài)多媒體需要較高的處理速度,這使它們大大加快能耗速度。有時(shí)候,電池的電能在不到一個(gè)小時(shí)的時(shí)間內(nèi)就被耗盡,使用戶頗為失望。如果環(huán)境溫度快速上升,當(dāng)前手機(jī)的待機(jī)能耗將增加三倍——比如把手機(jī)放在車內(nèi)支架上。英飛凌的新型架構(gòu)可防止出現(xiàn)這種現(xiàn)象,并大幅度提高能效。在工作模式下電池的使用時(shí)間是以前的兩倍,待機(jī)模式下,數(shù)字基帶處理器的耗電降低了10倍。 ?

英飛凌已經(jīng)采用新的方法確保晶體管開關(guān)的可靠性和將電耗降低至最低水平:標(biāo)準(zhǔn)晶體管在過去50年中一直是平面式,目前已經(jīng)被設(shè)計(jì)為三維形式。晶體管的柵極多面(多柵極)包圍帶電硅通道,使接觸面增加了一倍,從而能夠更高效地關(guān)斷晶體管。 ?

英飛凌將繼續(xù)探索這種新型制程技術(shù),以便為未來32nm工藝量產(chǎn)奠定基礎(chǔ),英飛凌還將通過參與歐洲最大的電子半導(dǎo)體研究中心IMEC(比利時(shí)校際微電子研究中心)的核心合作伙伴項(xiàng)目,繼續(xù)進(jìn)行該項(xiàng)技術(shù)的研究。?

關(guān)于英飛凌

總部位于德國(guó)慕尼黑的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域——高能效、連通性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。2006財(cái)年(截止到9月份),公司實(shí)現(xiàn)銷售額79億歐元(包括奇夢(mèng)達(dá)的銷售額38億歐元),在全球擁有約42,000名雇員(其中奇夢(mèng)達(dá)雇員約12,000人)。英飛凌科技公司的業(yè)務(wù)遍及全球,在美國(guó)圣何塞、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地?fù)碛蟹种C(jī)構(gòu)。英飛凌公司已列入法蘭克福股票交易所的DAX指數(shù),并在紐約股票交易所掛牌上市,股票代號(hào):IFX。?

如欲了解更多信息,敬請(qǐng)登錄www.infineon.com.cn
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請(qǐng)及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。