???? 瑞薩科技公司(Renesas)在2009年7月7日宣布推出面向新一代通信網(wǎng)絡(luò)內(nèi)高端路由器和交換機使用的高速SRAM產(chǎn)品系列。這些SRAM產(chǎn)品不僅符合QDR聯(lián)盟行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求，還實現(xiàn)了72Mb四倍數(shù)據(jù)速率II+(QDRTM II++)和雙數(shù)據(jù)速率II+(DDR II++)的業(yè)內(nèi)最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件。整個器件系列(具有多種速度和配置)將于2009年8月在日本開始陸續(xù)進行銷售。
??? 新產(chǎn)品特性如下：
??? (1)業(yè)內(nèi)最高的工作速度：533 MHz(QDRII+和DDRII+ SRAM)和333 MHz(QDRII和DDRII版)；
??? 瑞薩大幅提高了新產(chǎn)品的工作速度，同時還通過利用先進的45nm生產(chǎn)工藝而保持了低壓操作。QDRII SRAM產(chǎn)品實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的工作速度——333 MHz，QDRII+ SRAM產(chǎn)品也達到了業(yè)內(nèi)最高的工作速度——533 MHz。這些器件可以支持高端路由器與交換機(其支持10G、40G和容量更大的多層通信系統(tǒng))內(nèi)的分組查找和包緩沖器應(yīng)用所需的高速處理。
??? (2)大量72Mb器件；
??? 瑞薩將為3種數(shù)據(jù)I/O寬度(9、18或36位)和2種突發(fā)長度(2或4字)的產(chǎn)品提供支持。此外，瑞薩還提供具有內(nèi)置式ODT(晶片上終端電阻)功能的產(chǎn)品，極大地降低了高速操作過程中可能發(fā)生的信號質(zhì)量下降。瑞薩豐富的QDRII、DDR II、QDRII+和DDRII+ SRAM產(chǎn)品系列使得用戶能夠選擇最符合其系統(tǒng)要求的解決方案。
??? 新產(chǎn)品均提供所有突發(fā)長度和位寬度組合，并且標(biāo)準(zhǔn)HSTL(高速晶體管邏輯)接口用于超高速同步SRAM.
??? 新產(chǎn)品采用165-引腳塑料FBGA封裝，尺寸為15 mm × 17 mm，具有出色的散熱特性，適于大密度安裝。這些產(chǎn)品符合RoHS指令*4的要求，還提供無鉛版本。QDR引腳配置支持將來向高達288Mb的密度無縫移植。并且，采用FBGA封裝的產(chǎn)品支持IEEE標(biāo)準(zhǔn)測試存取端口和邊界掃描架構(gòu)(IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1-1990)，能夠在板級模塊安裝過程中實現(xiàn)交叉連接檢查。
??? 對于將來該領(lǐng)域的開發(fā)，瑞薩制定了長遠的發(fā)展規(guī)劃，并致力于開發(fā)容量更大、性能更高的QDR/DDR SRAM產(chǎn)品以支持不斷變化的用戶需求。
??? 典型應(yīng)用：新一代通信設(shè)備，如高端路由器和交換機