《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 嵌入式技術 > 業(yè)界動態(tài) > Vishay Siliconix首創(chuàng)將高、低MOSFET集成在同一封裝,大幅節(jié)省占位空間并降低設計難度

Vishay Siliconix首創(chuàng)將高、低MOSFET集成在同一封裝,大幅節(jié)省占位空間并降低設計難度

節(jié)省空間的器件在10V電壓下的導通電阻低至5.8 mΩ,在+70℃下的最大電流達13.9A
2009-06-25
作者:Vishay Intertech

日前,Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出在一個封裝內(nèi)集成一對不對稱功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間。SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封裝,在一個緊湊的器件內(nèi)同時提供了低邊和高邊MOSFET,同時保持了低導通電阻和高最大電流的特性,比使用兩個分立器件的方案節(jié)省了很多電路板空間。PowerPAIR的厚度為0.75 mm,比厚度為1.04mmPowerPAK 1212-8PowerPAK SO-8封裝薄了28%。?

?

PowerPAIR型封裝出現(xiàn)之前,工程師在設計用于筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務器、游戲機的系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC轉(zhuǎn)換器和同步降壓轉(zhuǎn)換器,以及工業(yè)系統(tǒng)中的DC-DC轉(zhuǎn)換器時,只能使用兩個獨立的器件來達到降低導通電阻和提高電流的目的。?

?

例如,常規(guī)雙MOSFETPowerPAK 1212-8的導通電阻大約是30mΩ,最大電流不到10A,因此不是可行的方案。單MOSFETPowerPAK 1212-8的導通電阻降至5mΩ左右。SiZ700DT中低邊溝道的MOSFET具有類似的導通電阻,在10V4.5V電壓下的導通電阻分別為5.8mΩ和6.6mΩ,在+25和+70溫度下的最大電流分別為17.3A13.9A。除此以外,高邊溝道的MOSFET10V4.5V電壓下的導通電阻分別為8.6mΩ和10.8mΩ,在+25和+70溫度下的最大電流分別為13.1A10.5A。這些指標令設計者能夠用一個器件替代原先的兩個器件,節(jié)省成本和空間,包括兩個分立MOSFET間的空隙和標識面積。在一些更低電流和更低電壓的應用中,甚至可以用PowerPAIR器件替換兩個SO-8封裝的MOSFET,至少能夠節(jié)省三分之二的空間。?

?

由于兩個MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部連接上了,電路板的布局會更加簡單,PCB走線的寄生電感也減小了,提高了系統(tǒng)效率。此外,SiZ700DT在引腳排列上了優(yōu)化,這樣在一個典型的降壓轉(zhuǎn)換器上,輸入引腳被安排在一側(cè),輸出引腳是在另外一側(cè),進一步簡化了電路板布局。?

?

器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。?

?

性能規(guī)格表:?

通道?

VDS?

VGS?

RDS(ON) @ ?

10 V?

RDS(ON) @ ?

4.5 V?

Qg (typ)?

ID @? TA = 25 °C?

ID @? TA = ?

70 °C?

1 ?

20 V?

± 16 V?

8.6 m??

10.8 m??

9.5 nC?

13.1 A?

10.5 A?

2 ?

20 V?

± 16 V?

5.8 m??

6.6 m??

27 nC?

17.3 A?

13.9 A?

?

SiZ700DT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,將在5月實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。?

?

VISHAY SILICONIX簡介?

Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計算機磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關的供應商。Vishay Siliconix硅技術和封裝產(chǎn)品的里程碑,包括在業(yè)內(nèi)建成第一個基于槽硅工藝(TrenchFET)的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT)。?

?

創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術,例如被設計用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術,以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK) 和更小空間(ChipFET,MICRO FOOT)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外,Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉(zhuǎn)換元件,而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路。?

?

Siliconix創(chuàng)建于1962年,在1998Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。?

?

VISHAY簡介?

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富 1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及提供一站式服務的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領先者。有關 Vishay 的詳細信息,敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。?

PowerPAIR Siliconix Incorporated的商標,TrenchFETPowerPAK Siliconix Incorporated 的注冊商標。?

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內(nèi)容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。