背景 
        當(dāng)前通信技術(shù)日新月異，CDMA2000，WCDMA等3G技術(shù)商用正酣，LTE，OFDM各種新技術(shù)又嶄露頭角。無(wú)論是正在大規(guī)模商用的3G技術(shù)，還是已經(jīng)有的LTE,OFDM產(chǎn)品，都有一個(gè)共同的特征——多載波。而多載波信號(hào)必然帶來(lái)高峰值因數(shù)或高峰均比。射頻工程師的挑戰(zhàn)來(lái)了，即如何準(zhǔn)確測(cè)量輸出功率和提高功率放大器的效率PAE。

　　為了幫助射頻工程師迎接該挑戰(zhàn)，Hittite公司給出了創(chuàng)新性解決方案，推出具有包絡(luò)跟蹤功能的均值檢波器HMC1021LP4E,為其陣容強(qiáng)大的功率檢波器家族新添一員干將。HMC1021LP4E提供兩種輸出形式，即RMSout均值輸出和ETout包絡(luò)輸出。其中RMSout可以準(zhǔn)確的測(cè)量輸入信號(hào)的均值，而ETout則可以測(cè)量輸入信號(hào)的包絡(luò)，利用ETout的輸出控制放大器的電源供給，則可以提高功率放大器的效率PAE。

　　HMC1021LP4E簡(jiǎn)介 
HMC1021LP4E可以工作在DC-3.9GHz，動(dòng)態(tài)范圍高達(dá)70dB，可檢測(cè)包絡(luò)帶寬高達(dá)150MHz?？蓱?yīng)用在發(fā)射通道功率控制，接收鏈路自動(dòng)增益控制等。其包絡(luò)跟蹤功能又使其可以用來(lái)提高功率放大器的PAE和線性。無(wú)論對(duì)于3G技術(shù)還是LTE,OFDM技術(shù)，HMC1021LP4E都是功率檢波的理想之選。

 
三：使用介紹
1，測(cè)試輸入信號(hào)的均值功率  用儀表讀取RMSout管腳的電平值。紋波響應(yīng)和上升沿下降沿時(shí)間響應(yīng)上，Hittite公司創(chuàng)新地引入了軟件調(diào)試方法，將傳統(tǒng)的改變外部電容的方法，改用軟件設(shè)置SCI值來(lái)實(shí)現(xiàn)的方式，將工程師從繁雜的硬件調(diào)試工作中解脫出來(lái)，提高了工作效率。而且Hittite給出了SCI值和響應(yīng)時(shí)間的如下圖表供客戶參考。
 

       另外RMSout輸出曲線的截止點(diǎn)和斜率也可以調(diào)整。在RMSout和Vset端選擇合適阻值的電阻可以改變輸出曲線的斜率，而改變Vset端的直流電壓可以調(diào)整輸出曲線的截止點(diǎn)。

　　2，跟蹤輸入信號(hào)的包絡(luò)   ETout輸出，可以跟蹤輸入信號(hào)的包絡(luò)，當(dāng)利用該輸出來(lái)控制功率放大器的電源，可以提高功率放大器的PAE，降低電源的功耗。當(dāng)前基站廠家采用的主流Doherty技術(shù)，用以提升功率放大器的PAE。若將包絡(luò)跟蹤與輔助放大器的電源供給相結(jié)合，則可以進(jìn)一步提升功率放大器的PAE。下圖是利用包絡(luò)跟蹤優(yōu)化了的Doherty放大器與傳統(tǒng)的Class AB放大器PAE的比較。可以看到，在ACLR都為30dBc的情況下，取得15.2%的效率提升，效果非常顯著。

 
       3，Layout的注意事項(xiàng)  射頻輸入端耦合電容盡量靠近IN+ ,IN- 管腳；芯片的地焊接在PCB上有過(guò)孔的射頻地，要良好散熱；芯片的地要與射頻地連通；加電源管腳的去耦電容盡量靠近芯片的電源管腳。

　　樣品及評(píng)估板現(xiàn)在已經(jīng)可以提供，詳情請(qǐng)聯(lián)系Hittite中國(guó)區(qū)授權(quán)代理商世強(qiáng)電訊。