摘 要: IS42G32256是高速度16Mbit CMOS同步圖形存儲(chǔ)器(SGRAM),適用于高性能計(jì)算機(jī)的顯示卡、圖形工作站、電視機(jī)頂盒、游戲卡、二維/三維圖形處理等場(chǎng)合。對(duì)其功能、特點(diǎn)、工作原理及其應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
關(guān)鍵詞: SGRAM CMOS IS42G32256 圖形處理
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的重要組成部分,隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的迅速發(fā)展,CPU的速度越來(lái)越高,以往采用的普通動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)速度低,帶寬窄,已無(wú)法適應(yīng)高速CPU。為了適應(yīng)各種實(shí)際應(yīng)用的需要,出現(xiàn)了采用新技術(shù)的DRAM。其中同步DRAM(SDRAM)的出現(xiàn),大大地提高了存儲(chǔ)器的速度,改善了其性能。在高性能計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,常用SDRAM作為主存儲(chǔ)器和顯示存儲(chǔ)器。如果將圖形特點(diǎn)加入到SDRAM中,即得到同步圖形存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱(chēng)SGRAM。
IS42G32256是高速16Mbit CMOS同步圖形存儲(chǔ)器,性能優(yōu)良,速度快,適合于圖形工作站、顯示卡、電視機(jī)頂盒、游戲卡、二維/三維圖形處理等高性能、高帶寬的應(yīng)用場(chǎng)合。
它具有以下特點(diǎn):①256K×32位×2存儲(chǔ)體結(jié)構(gòu);②所有輸入采樣和輸出都在同一個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘的上升沿同步動(dòng)作;③雙重內(nèi)部存儲(chǔ)體控制;④單3.3V±3V電源;⑤可編程方式寄存器指定突發(fā)范圍為1、2、4、8字節(jié)或整頁(yè),/CAS等待周期為2和3周期,突發(fā)類(lèi)型為順序和交替;⑥突發(fā)讀寫(xiě)操作;⑦刷新能力為自動(dòng)和自舉刷新;⑧每32ms刷新2048周期;⑨輸入輸出電平與TTL電平兼容;⑩100引腳PQFP封裝(14mm×20mm)。
它具有以下圖形特點(diǎn):①SMRS周期:裝載屏蔽寄存器,裝載顏色寄存器;②寫(xiě)每位;③塊寫(xiě)(8列)
1 工作原理
IS42G32256 SGRAM的基本組成是兩個(gè)結(jié)構(gòu)為1024×256×32位的存儲(chǔ)體,功能框圖見(jiàn)圖1。它比普通的DRAM增加了一個(gè)可編程的方式寄存器,方式寄存器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)用來(lái)控制SGRAM的各種操作方式。通過(guò)編程設(shè)置/CAS等待周期、突發(fā)類(lèi)型、尋址方式、突發(fā)范圍、測(cè)試方式和各種特殊操作,使SGRAM具有各種不同的應(yīng)用。方式寄存器的內(nèi)容缺省時(shí)是不定的,因此,上電時(shí)必須設(shè)置,當(dāng)/CS、/CAS、/RAS、/WE和DSF為低電平時(shí)方式寄存器被寫(xiě)入,同時(shí),A0~A10也被寫(xiě)入。它分成不同區(qū)域:A0~A2用于突發(fā)范圍,A3用于突發(fā)類(lèi)型,A4~A6用于/CAS等待周期,A7、A8、A10僅供感廠家用或用于測(cè)試方式,SGRAM正常操作時(shí),必須設(shè)置為低電平,A9用于可編程寫(xiě)突發(fā)范圍。
DQM用于屏蔽輸入輸出操作。DQM操作和時(shí)鐘同步,讀等待周期為2周期,寫(xiě)等待周期為0周期,DQM也用于存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)備選擇和總線控制,DQM0控制DQ0~DQ7,DQM1控制DQ8~DQ15,DQM2控制DQ16~DQ23,DQM3控制DQ24~DQ31。
DSF定義特殊功能,控制SGRAM的圖形應(yīng)用。DSF為低電平時(shí),SGRAM的功能與普通存儲(chǔ)器相同,只有當(dāng)DSF為高電平時(shí),才具有圖形功能。SGRAM的功能,諸如/RAS激活、寫(xiě)和用WCBR(方式寄存器設(shè)置命令)改變SGRAM的功能等,都由DSF控制。
SGRAM有兩種特殊方式寄存器:顏色寄存器和屏蔽寄存器,用于寫(xiě)每位和塊寫(xiě)。當(dāng)A5和DSF為高電平,/CS、/RAS、/CAS和/WE為低電平時(shí)裝載顏色寄存器,通過(guò)DQ引腳裝入與DQ相關(guān)的數(shù)據(jù)。
當(dāng)時(shí)鐘允許CKE=1時(shí),允許時(shí)鐘信號(hào)加入SGRAM;當(dāng)CKE=0時(shí),輸出狀態(tài)和突發(fā)地址被凍結(jié),芯片進(jìn)入低功耗狀態(tài)。
存儲(chǔ)體選擇(A10):SGRAM是由兩個(gè)262144×32bit存儲(chǔ)體組成的,當(dāng)A10為低電平時(shí),選擇A存儲(chǔ)體,否則選擇B存儲(chǔ)體。
地址輸入(A0~A9):譯碼262144個(gè)存儲(chǔ)單元需要18位地址,采用多路復(fù)用器輸入地址A0~A9,10位行地址通過(guò)/RAS和A10鎖存,8位列地址通過(guò)/CAS、/WE和A10鎖存。
寫(xiě)每位是選擇數(shù)據(jù)屏蔽位寫(xiě)入的功能,儲(chǔ)存在內(nèi)部寄存器中,當(dāng)它有效時(shí),用于數(shù)據(jù)的每一位寫(xiě)。塊寫(xiě)允許訪問(wèn)周期連續(xù)的8列數(shù)據(jù)同時(shí)寫(xiě)入。塊寫(xiě)時(shí)序圖見(jiàn)圖2。
引腳功能參見(jiàn)表1,引腳圖略。
2 上電順序
?、匐娫幢仨毎袰KE和DQM拉為高電平,在輸入數(shù)據(jù)之前或者上電時(shí)其它引腳為空操作,時(shí)鐘信號(hào)也必須同時(shí)加入;②VDD到達(dá)確定電壓后,空操作至少要延遲200μs;③兩個(gè)存儲(chǔ)體必須預(yù)充電;④在兩個(gè)最小刷新周期之前使內(nèi)部電路穩(wěn)定;⑤在一個(gè)方式寄存器設(shè)置周期之前,若方式寄存器的內(nèi)容缺省,應(yīng)編程設(shè)置/CAS等待周期、突發(fā)范圍和突發(fā)類(lèi)型。在方式寄存器設(shè)置周期的時(shí)鐘周期末,設(shè)備操作已準(zhǔn)備好。按上述順序上電后,所有的輸出均為高阻態(tài)。其它任何操作順序都不能保證輸出為高阻態(tài)。(次序④和⑤可以交換)。
3 典型應(yīng)用
IS42G32256是16Mbit SGRAM,頻率高達(dá)100MHz,比同屬的高速EDO DRAM速度高,它與系統(tǒng)時(shí)鐘(即CPU頻率)同步工作,使CPU實(shí)現(xiàn)無(wú)等待操作,從而提高計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的工作速度。它的圖形特點(diǎn)使其在高性能計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、圖形工作站、電視機(jī)頂盒、游戲卡及二維/三維圖形處理等方面得到了廣泛應(yīng)用。最典型的應(yīng)用是在顯卡中作顯存。普通顯卡或娛樂(lè)級(jí)顯卡對(duì)顯存的性能要求不是很高,但要求性價(jià)比高,一般用4MB的EDO RAM或SDRAM就行了,而專(zhuān)業(yè)級(jí)顯卡要求對(duì)CPU依賴(lài)小,顯存盡可能大、快,為了讓工作盡可能在顯卡內(nèi)完成,要求顯存多多益善,以免緩慢的磁盤(pán)拖后腿,為了提高顯卡的帶寬,采用最高檔和最快的顯存,SGRAM是高檔顯存之一。ELSA和耕宇等公司生產(chǎn)的顯卡都用到了8MB或16MB的SGRAM作顯存。IS42G32256 SGRAM在顯示卡中的應(yīng)用框圖見(jiàn)圖3,由3DFXVOODOO加速芯片、SGRAM、ROM和連接器等組成,VOODOO芯片是顯卡的核心部分,處理原來(lái)得靠CPU處理的三維圖像數(shù)據(jù),使圖像處理能力極大提高。ROM(或EPROM)用來(lái)存放視頻BIOS程序,8片IS42G32256 SGRAM構(gòu)成16MB的顯存,提高了顯卡的帶寬,可用作專(zhuān)業(yè)級(jí)的顯卡。
隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)和半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,不斷涌現(xiàn)采用新技術(shù)的存儲(chǔ)器,以適應(yīng)各種不同的應(yīng)用需要。SGRAM以其高帶寬、高速度、低功耗,特別是在圖形處理方面的特點(diǎn),使其在圖像處理等場(chǎng)合得到了廣泛應(yīng)用。
參考文獻(xiàn)
1 ISSI IS42G32256 256K×32×2(16Mbit)Synchronous Graphics RAM.Advance Information,1998
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