富士通微電子業(yè)界首推兩款125°C規(guī)格的低功耗SiP存儲器
2009-05-25
作者:富士通微電子(上海)有限公司
富士通微電子(上海)有限公司今日宣布推出兩款新型消費(fèi)類FCRAM(*1)存儲器芯片-512 Mb(MB81EDS516545)和256 Mb(MB81EDS256545)。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口,是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴(kuò)大至
?
如果SiP架構(gòu)上的片上系統(tǒng)(SoC)整合了新型FCRAM芯片,當(dāng)SiP工作速度提高導(dǎo)致工作溫度上升時(shí),存儲器也不會對操作造成影響或限制,客戶將從中受益。此外,它還具有其它優(yōu)勢,如可降低產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)難度,節(jié)省電路板空間,并減少元器件數(shù)量(詳細(xì)信息請參照附件1)。?
?
目前,市場對消費(fèi)類數(shù)字產(chǎn)品的性能、速度和開發(fā)成本的要求越來越高。為滿足這些需求,就會更多地使用SiP,要求它同時(shí)整合帶有SoC的存儲器芯片。使用SiP可以減少元器件數(shù)量并節(jié)省電路板空間,進(jìn)而能夠降低系統(tǒng)成本。使用SiP還能簡化高速存儲器開發(fā)或采取降噪措施等設(shè)計(jì)。?
圖1: 存儲器SiP上的散熱設(shè)計(jì)方案比較:顯示使用新型FCRAM的優(yōu)越性?
?
如圖1所示,迄今為止,使用傳統(tǒng)的存儲器,SiP發(fā)揮受限,而使用新型FCRAM產(chǎn)品就可以解決這一問題。圖1(a)介紹的SiP架構(gòu)上使用的高性能SoC功耗較高,產(chǎn)生的熱量可使SiP溫度上升到105 °C。因?yàn)镾oC的最高溫度額定為125 °C,所以操作能夠正常進(jìn)行,但使用傳統(tǒng)的存儲器僅可在最高為95 °C的溫度環(huán)境下運(yùn)行,因此不能使用這一SiP架構(gòu)。?
?
要在SiP上使用傳統(tǒng)的存儲器,另外一種方法是添加類似散熱器等散熱器件。如圖1(b)所示,這一方案可使SiP溫度降低到90°C,器件可以運(yùn)行,但是增加了成本和電路板占用面積。因此,許多一直在研究SiP的客戶希望擴(kuò)大存儲器的工作溫度范圍。?
?
富士通微電子正是應(yīng)對這一需求而開發(fā)出了最高工作溫度為125 °C 的512 Mb和256 Mb消費(fèi)類FCRAM產(chǎn)品。如1(c)所示,使用額定為125°C的FCRAM,即使整合一顆高功耗的SoC,SiP也能運(yùn)行良好,無需添加散熱器。這就解決了使用額定為95 °C的傳統(tǒng)存儲器而需要采取散熱措施而引發(fā)的成本增加問題。?
?
而且,即使在125°C的環(huán)境下運(yùn)行,這些新型FCRAM產(chǎn)品也可以提供傳統(tǒng)DDR SDRAM存儲器兩倍的數(shù)據(jù)傳輸率,同時(shí)還能保持低功耗。事實(shí)上,與傳統(tǒng)的DDR2 SDRAM存儲器相比,新型512 Mb FCRAM能降低功耗達(dá)50%。所以,這些新型FCRAM可以減少消費(fèi)類電子產(chǎn)品的存儲器的二氧化碳排放達(dá)50%(詳細(xì)信息請參照附件2)。?
?
富士通微電子將繼續(xù)為SiP開發(fā)具備必要性能和功能的產(chǎn)品,從而為消費(fèi)類電子產(chǎn)品提供價(jià)值和成本最優(yōu)的解決方案。?
?
樣片提供?
產(chǎn)品? |
產(chǎn)品型號? |
提供時(shí)間? |
512 Mb FCRAM? |
MB81EDS516545? |
2009年5月19日起? |
256 Mb FCRAM? |
MB81EDS256545? |
2009年5月19日起? |
?
銷售目標(biāo)?
每月共銷售一百萬片?
產(chǎn)品特性?
1. 業(yè)界首推在125 °C下運(yùn)行的芯片?
這些新型FCRAM最高工作溫度為125 °C,與傳統(tǒng)SDRAM存儲器最高85°C或者95°C的溫度規(guī)格相比,提高了系統(tǒng)內(nèi)的允許功耗。因此,可以實(shí)現(xiàn)SiP解決方案,而這在以前是不可能的,例如:高性能數(shù)字消費(fèi)類電子產(chǎn)品所需的高功耗SoC若整合了存儲器會導(dǎo)致器件過熱。而且該產(chǎn)品可以使用低成本封裝,無需高溫規(guī)格。?
?
2. 低功耗?
通過將總線寬擴(kuò)大至64 bit、減少工作頻率和使用終端電阻(*2),與兩個使用16 bit總線寬的傳統(tǒng)DDR2 SDRAM存儲器芯片相比,新型FCRAM可降低功耗最高達(dá)50%。這些新型FCRAM可以減少消費(fèi)類電子產(chǎn)品的存儲器的二氧化碳排放達(dá)50%。?
?
3. 高速數(shù)據(jù)帶寬?
工作溫度是125 °C時(shí),新型FCRAM通過使用64 bit總線寬并在最高工作頻率為200 MHz運(yùn)行時(shí),可以提供3.2 GB/秒的數(shù)據(jù)傳輸率,這是傳統(tǒng)的DDR2 SDRAM速度的兩倍。若工作溫度不高于105 °C(≤ 105 °C),在216 MHz的工作頻率下運(yùn)行時(shí),產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率將增加到3.46 GB/秒。?
附件?
512 Mb FCRAM和256 Mb FCRAM芯片的主要規(guī)格?
?
術(shù)語和注釋?
*1. 消費(fèi)類FCRAM:FCRAM(快速循環(huán)隨機(jī)存儲器)是富士通微電子具有自主知識產(chǎn)權(quán)的RAM內(nèi)核系統(tǒng),以高速度和低功耗出名。消費(fèi)類FCRAM是指使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)低功耗SDRAM接口的FCRAM內(nèi)核,最適宜于消費(fèi)類電子產(chǎn)品。
*2. 終端電阻:終端電阻是指在電線或信號終端跨接的電阻,用于消除信號反射帶來的干擾,但是其功耗較高。DDR2 SDRAM的終端電阻嵌入到芯片(ODT:片內(nèi)終結(jié))。
?
更多信息,請瀏覽:?
富士通微電子株式會社FCRAM產(chǎn)品網(wǎng)站:http://www.fujitsu.com/global/services/microelectronics/product/memory/fcram/?
關(guān)于富士通微電子(上海)有限公司?
富士通微電子(上海)有限公司是富士通在中國的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大連等地均設(shè)有分公司,負(fù)責(zé)統(tǒng)籌富士通在中國半導(dǎo)體的銷售、市場及現(xiàn)場技術(shù)支持服務(wù)。?
富士通微電子(上海)有限公司的產(chǎn)品包括專用集成電路(ASIC)、單片機(jī)(MCU)、專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP)/片上系統(tǒng)(SoC)和系統(tǒng)存儲芯片,它們是以獨(dú)立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶,并應(yīng)用于廣泛領(lǐng)域。在技術(shù)支持方面,分布于上海、香港及成都的IC設(shè)計(jì)中心和解決方案設(shè)計(jì)中心,通過與客戶、設(shè)計(jì)伙伴、研發(fā)資源及其他零部件供應(yīng)商的溝通、協(xié)調(diào),共同開發(fā)完整的解決方案,從而形成一個包括中國在內(nèi)的完整的亞太地區(qū)設(shè)計(jì)、開發(fā)及技術(shù)支持網(wǎng)絡(luò)。欲了解更多信息,請?jiān)L問網(wǎng)站:http://cn.fujitsu.com/fmc?
?
文中提及的公司名稱和產(chǎn)品名稱是其所有者的商標(biāo)或者注冊商標(biāo)。該新聞稿中的信息在發(fā)布時(shí)是準(zhǔn)確無誤的,可能隨時(shí)發(fā)生變化,恕不先行通知。??
附件?
512 Mb FCRAM-MB81EDS516545的主要規(guī)格?
?
存儲器架構(gòu)? |
2M word × 64 bit × 4 banks? | |
電壓? |
1.7 V ~ 1.9 V? | |
接口? |
低功耗DDR SDRAM (CMOS)? | |
工作溫度范圍(結(jié)溫)? |
-10 ℃ ~ +125 ℃? | |
突發(fā)工作頻率? |
最高:105 °C? |
216 MHz(最高)? |
最高:125 °C? |
200 MHz(最高)? | |
數(shù)據(jù)傳輸率? |
最高:105 °C? |
3.46 GB/秒(最高)? |
最高:125 °C? |
3.2 GB/秒(最高)? |
?
256 Mb FCRAM-MB81EDS256545的主要規(guī)格?
?
存儲器架構(gòu)? |
1M word × 64 bit × 4 banks? | |
電壓? |
1.7 V ~ 1.95 V? | |
接口? |
低功耗DDR SDRAM (CMOS)? | |
工作溫度范圍(結(jié)溫)? |
-10 °C ~ +125 °C? | |
突發(fā)工作頻率? |
最高:105 °C? |
216 MHz(最高)? |
最高:125 °C? |
200 MHz(最高)? | |
數(shù)據(jù)傳輸率? |
最高:105 °C? |
3.46 GB/秒(最高)? |
最高:125 °C? |
3.2 GB/秒(最高)? |
?