《電子技術應用》
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IC的衛(wèi)士,靜電的克星

近觀安森美半導體ESD解決方案
2007-11-29
作者:余 蓮

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?? ?當今時代,無處不在的靜電與人們日常生活所依賴的各種電子設備已成為一對難以解決的矛盾,尤其是當手持電子設備體積縮小而產品特性及功能不斷增加時,它們的輸入/輸出端口也隨之增多,導致靜電放電ESD(Electro Static Discharge)進入系統(tǒng)并干擾或損壞集成電路(IC),因此如何進行有效的ESD保護已成為電子設備制造商面對的重要課題。
??? 在4月26日安森美" title="安森美">安森美舉行的ESD保護媒體交流會上,安森美半導體" title="安森美半導體">安森美半導體亞太區(qū)標準產品部市場營銷副總裁麥滿權先生從以下幾方面對ESD問題進行了分析,并介紹了安森美半導體在ESD保護方面從“插口到插袋TM”的完整解決方案。


ESD問題日趨嚴重


??? 以往,由于電子設備的體積沒有那么小,所使用的IC器件也比現(xiàn)在要大很多,所以ESD似乎還不是一個問題。因為器件越大電容也越大,它們可以容納每伏(V)更多的電荷,因此比較小器件對ESD的敏感性更低。如今電子設備的體積越來越小,功能越來越多,電路越來越精密,使用的半導體工藝到了亞微米以下。此時,IC設計對ESD更加敏感,更容易受到ESD的損壞,ESD也就成了IC設計者面臨的更大挑戰(zhàn)。
??? 電子電路的輸入/輸出連接器為ESD的進入提供了路徑。以手機為例,音量鍵、語音鍵、智能鍵、充電器插口、配件連接端口、揚聲器、鍵區(qū)、擴音器、SIM卡、電池接頭等都可能成為ESD的進入點。當進入的ESD電壓足夠高時,就會在IC器件的電介質上產生電弧,在門氧化物層燒出顯微鏡可見的孔洞,造成器件的永久損壞。


ESD保護與CMOS芯片的分離


??? 人們曾經嘗試將ESD保護與CMOS芯片集成在一起。但是隨著半導體工藝向65nm以下的轉移, ESD保護的面積甚至超出了整個芯片的面積。相反,工藝越來越精細,對需要ESD保護的要求就越高。因此,有效的ESD保護已不能完全集成到CMOS芯片中。
此外,對電子設備來說,外部保護器件" title="保護器件">保護器件可以更有效地防止ESD進入電路及電壓敏感型元件。強制性ESD抑制標準IEC61000-4-2要求,保護器件應放置在連接器或端口處,以便在ESD進入電路板之前有效抑制ESD事件的發(fā)生。


TVS與壓敏電阻的比較


??? 傳統(tǒng)上一般采用壓敏電阻來進行ESD保護,但是它存在體積大、性能差的缺點。而且由于壓敏電阻采用的是物理吸收原理,所以每經過一次ESD事件,材料就會受到一定的物理損傷,形成無法恢復的漏電通道;而且,要達到更好的吸收效果,就要使用更多的材料,使其體積增加,進而限制了在今天小型化產品當中的應用。TVS器件利用半導體的鉗位原理,只要可以集成在小型封裝里,就可以保證其可靠性。
??? TVS技術基于二級管工作原理,在受到8kV高壓電擊后,會立即擊穿,將能量傳遞出去,從而不會像壓敏電阻一樣影響到壽命。而壓敏電阻在高壓電擊20次之后,漏電會越來越嚴重,因為其物理結構形成了多條漏電通道。
麥先生形象地比喻說:TVS好比耍太極,把靜電在幾個納秒內泄掉。


精彩的現(xiàn)場測試


??? 為給在座記者以直觀感受,安森美工程師Lon Robinson先生進行了現(xiàn)場測試" title="現(xiàn)場測試">現(xiàn)場測試演示。他利用高頻測試電路板提供ESD接觸放電脈沖電流和ESD槍測試ESD保護器件的性能,在示波器上顯示出真實的鉗制電壓曲線。TVS器件可以立即將進入的8kV靜電鉗制到5~6V水平。而壓敏電阻的曲線則下降得很緩慢,且無法降到很低的水平。該曲線表明,TVS器件的恢復時間非常短,經過TVS器件泄漏到電路的能量也非常少。從而能夠適合在便攜式設備中應用。
??? 現(xiàn)場測試還顯示出,在正脈沖時,安森美半導體ESD9X5.0ST5G二極管的鉗位電壓" title="鉗位電壓">鉗位電壓比其他產品的鉗位電壓稍低;但在負脈沖時,安森美半導體的二極管同樣能迅速將放電脈沖電壓鉗制到很低,而其他同類競爭產品的電壓則下降很緩慢,幾乎多了5倍時間才把電壓降下來。事實上,負脈沖條件下的鉗位電壓同樣有意義,因為存在超量電子的表面會進行負充電,同樣需要進行ESD保護。
??? 通過麥先生的介紹以及現(xiàn)場測試中安森美ESD解決方案所表現(xiàn)出的理想效果,我們有充分的理由相信,此ESD解決方案將給IC的安全性帶來一次革命性的提升,它不愧為IC的衛(wèi)士,靜電的克星!

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