每年七月在美國(guó)加州舉行的Semicon West展覽會(huì)是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備與材料展覽會(huì)之一。由于展覽會(huì)在七月舉行，正好上半年已過，所以在會(huì)議期間許多高管會(huì)對(duì)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展與前景發(fā)表看法。本文試圖綜合展覽會(huì)與產(chǎn)業(yè)于上半年的進(jìn)展加以概括，討論一些業(yè)界特別關(guān)注的課題。

半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)沒有懸念

前兩個(gè)季度半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的變化向減弱方向發(fā)展，不過保持增長(zhǎng)應(yīng)該是沒有懸念，增長(zhǎng)多少需要視未來的市場(chǎng)需求而定。

全球半導(dǎo)體業(yè)如戲劇般在改變，2010年是國(guó)際金融危機(jī)之后的首個(gè)高增長(zhǎng)年，增幅達(dá)32%。剛進(jìn)入2011年，業(yè)界首先理性地認(rèn)為今年不可能持續(xù)如此高的增長(zhǎng)，但是在慣性的推動(dòng)下以及終端電子產(chǎn)品如智能手機(jī)與平板電腦市場(chǎng)依然火爆的情形下，年初時(shí)各家分析機(jī)構(gòu)基本上預(yù)測(cè)2011半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)在2%～10%之間。

隨著兩個(gè)季度的過去，情況出現(xiàn)了一點(diǎn)變化，除了3月時(shí)受日本強(qiáng)地震影響之外，目前主要是受全球經(jīng)濟(jì)大環(huán)境的拖累，如美國(guó)經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇緩慢、失業(yè)率居高不下，歐債危機(jī)未見平息等。IHS iSuppli最新研究數(shù)據(jù)顯示，由于產(chǎn)業(yè)重建庫(kù)存和為預(yù)期中的需求增長(zhǎng)做準(zhǔn)備，第二季度芯片供應(yīng)商的半導(dǎo)體庫(kù)存水平連續(xù)第七個(gè)月上升。

每年正常的Q3是傳統(tǒng)的旺季，如今卻因全球經(jīng)濟(jì)困境導(dǎo)致消費(fèi)者的信心指數(shù)下降，可能會(huì)出現(xiàn)旺季不旺的反?，F(xiàn)象，所以近期許多市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)與公司開始紛紛調(diào)低今年半導(dǎo)體增長(zhǎng)的預(yù)期，如卡內(nèi)基公司的Bruce Diesen在5月時(shí)預(yù)測(cè)增長(zhǎng)率為5%，至7月時(shí)下調(diào)為3%；Gartner在Q1時(shí)預(yù)測(cè)增長(zhǎng)率為6.2%，而至6月時(shí)下調(diào)為增長(zhǎng)5.1%；唯有IHS iSuppli公司在4月時(shí)預(yù)測(cè)增長(zhǎng)率為7.0%，而至6月時(shí)上調(diào)為7.2%。

以上僅反映兩個(gè)季度過去半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的變化向減弱方向發(fā)展，不過總體上產(chǎn)業(yè)基本面仍是正常，如今年半導(dǎo)體設(shè)備的投資從去年的385億美元增加到今年的443億美元，增幅達(dá)12%。而終端電子產(chǎn)品市場(chǎng)仍相當(dāng)有活力，如2011年消費(fèi)性電子產(chǎn)品的市場(chǎng)成長(zhǎng)率將達(dá)5.6%，高于美國(guó)2.4%的GDP成長(zhǎng)率。2012年消費(fèi)性電子產(chǎn)品的營(yíng)收將繼續(xù)攀升，預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到1970億美元。2011年，包括蘋果iPad及其對(duì)手在內(nèi)的平板計(jì)算機(jī)銷售量，將達(dá)到2650萬(wàn)臺(tái)，這將為各裝置廠商產(chǎn)生140億美元的營(yíng)收；智能型手機(jī)的銷售額將比2010年同期增加45%，達(dá)230億美元。

而在目前消費(fèi)性電子產(chǎn)品中，平板電視的銷量則有下滑趨勢(shì)。研究顯示，88%的美國(guó)家庭至少擁有一臺(tái)數(shù)字電視機(jī)。正是由于如此高的普及率，2011年電視的銷量將出現(xiàn)下滑，但營(yíng)收仍將超過180億美元。

IDC最近公布了它的最新預(yù)測(cè)，半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將由2010年的2820億美元增長(zhǎng)到2011的3030億美元，增長(zhǎng)7.4%，并預(yù)測(cè)2012年再增長(zhǎng)5%達(dá)3180億美元，在2010～2015年期間半導(dǎo)體的年均增長(zhǎng)率達(dá)6%。依分類計(jì)，計(jì)算機(jī)類IC的CAGR為4%～5%，通信類為7%，消費(fèi)類為5%。

因此今年全球半導(dǎo)體業(yè)增長(zhǎng)應(yīng)該是沒有懸念，增長(zhǎng)多少需要視未來的市場(chǎng)需求而定。

驗(yàn)證大者恒大定律

并購(gòu)使這個(gè)市場(chǎng)上出現(xiàn)“巨頭”，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“大者恒大”的定律將再次被驗(yàn)證。

“縱觀芯片產(chǎn)業(yè)歷史，凡是在恰當(dāng)時(shí)機(jī)抓住機(jī)會(huì)的公司都獲得了很好的發(fā)展。”今年5月德州儀器(TI)以65億美元的高價(jià)兼并美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體(NS)讓所有人的眼球一亮。該交易不僅是TI歷史上金額最高的一筆并購(gòu)，也是2006年以來金額最高、規(guī)模最大的芯片行業(yè)并購(gòu)交易。巧合的是，幾乎同一時(shí)間，TI的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英飛凌也以1.006億歐元收購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)位于德國(guó)的12英寸晶圓廠。有關(guān)芯片廠商“規(guī)?；?rdquo;的議題再次被提起。

彭博社的數(shù)據(jù)顯示：過去一年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)生196樁并購(gòu)交易，這些交易的平均規(guī)模為1.298億美元。與之相比，TI所支付的差價(jià)相當(dāng)于平均值的4倍以上。業(yè)界評(píng)論TI對(duì)NS的收購(gòu)無疑將此輪擴(kuò)張推向頂峰。

根據(jù)Databeans的報(bào)告，2010年全球模擬半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模為420億美元。TI在該產(chǎn)品線領(lǐng)域營(yíng)收達(dá)到59.8億美元，占有全球市場(chǎng)14%的份額。而2010年NS的收入約為16億美元，市場(chǎng)份額為3%。

長(zhǎng)期以來，TI與NS一直是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，兩家公司每家都有其獨(dú)特競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。TI有3萬(wàn)種模擬產(chǎn)品、廣泛的客戶影響力以及業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的制造技術(shù)，包括世界上第一個(gè)12英寸模擬芯片生產(chǎn)工廠。NS有1.2萬(wàn)種模擬產(chǎn)品，特別在工業(yè)市場(chǎng)占據(jù)強(qiáng)勢(shì)地位。以2010年銷售額合并計(jì)算，TI將因此取代東芝成為全球第三大半導(dǎo)體公司。

對(duì)芯片廠商特別是代工廠來說，“規(guī)?；?rdquo;并不是個(gè)新概念。過去兩年中，半導(dǎo)體業(yè)這種“合縱連橫”的趨勢(shì)尤為明顯。日本芯片巨頭NEC與瑞薩科技合并，阿布扎比ATIC公司和AMD合資成立Global Foundries。2010年1月，Global Foundries又完成了對(duì)新加坡特許半導(dǎo)體的兼并。

不過，大規(guī)模并購(gòu)在模擬芯片市場(chǎng)卻很少發(fā)生。有業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，并購(gòu)使這個(gè)市場(chǎng)上出現(xiàn)“巨頭”，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“大者恒大”的定律將再次被驗(yàn)證。

“在當(dāng)前的市場(chǎng)情況下保持領(lǐng)先有三個(gè)重要方面。”TI的CEO Templeton說，“產(chǎn)品技術(shù)、低成本快速制造能力以及覆蓋全球的技術(shù)服務(wù)體系，一些公司可能只在某方面做得很強(qiáng)，但是同時(shí)具備這三個(gè)條件的不多，這也是TI能夠持續(xù)發(fā)展的原因。”

工藝技術(shù)進(jìn)入22nm節(jié)點(diǎn)

半導(dǎo)體工藝技術(shù)至今仍是按摩爾定律進(jìn)步，2011年可進(jìn)入22nm節(jié)點(diǎn)，進(jìn)入下一個(gè)節(jié)點(diǎn)的時(shí)間尚難預(yù)料。

英特爾已經(jīng)公布它的路線圖，兩年之后，英特爾將以14nm節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)芯片，然后在2015年以10nm工藝生產(chǎn)芯片。最后，英特爾計(jì)劃在2017年生產(chǎn)其第一款7nm芯片。

英特爾的22nm三柵(tri gate)晶體管技術(shù)具里程碑意義，預(yù)示半導(dǎo)體技術(shù)將向3D過渡。

因?yàn)榘凑誌TRS半導(dǎo)體工藝路線圖，在2007年45nm節(jié)點(diǎn)時(shí)，英特爾就發(fā)布了高k/金屬柵技術(shù)，可以看作是晶體管組成材料的一次革新，用高k材料來替代傳統(tǒng)的SiO2，讓定律又延伸了10年～15年。今年5月英特爾又發(fā)布3D晶體管結(jié)構(gòu)，使傳統(tǒng)的晶體管二維結(jié)構(gòu)變成三維，應(yīng)該是半導(dǎo)體工藝技術(shù)中又一次重大的革命。

業(yè)界對(duì)于英特爾將采用的技術(shù)節(jié)點(diǎn)也有諸多猜測(cè)。英特爾的22nm制程將基于英特爾的第三代high-k/金屬柵方法，它使用銅互連、low-k技術(shù)。與32nm相同，英特爾采用193nm浸液式光刻技術(shù)。

英特爾的22nm的3D晶體管技術(shù)，性能相比40nm高40%，功耗省30%，其工藝成本僅上升2%～3%，而采用SOI工藝要上升10%。另外可實(shí)現(xiàn)100%的電池續(xù)航能力，預(yù)期2011上半年開始試生產(chǎn)。

據(jù)英特爾最新報(bào)道，22nm產(chǎn)品于今年投產(chǎn)，14nm廠房正加大投資加緊建設(shè)，不久就會(huì)接到14nm設(shè)備的訂單，未來半導(dǎo)體技術(shù)可達(dá)7nm節(jié)點(diǎn)。

臺(tái)積電年內(nèi)28nm工藝規(guī)模量產(chǎn)，將于今年底正式開始生產(chǎn)基于28nm工藝的晶圓。臺(tái)積電稱，公司計(jì)劃于2011年Q3某個(gè)時(shí)候開始導(dǎo)入28nm制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年Q4時(shí)，28nm晶圓帶來的營(yíng)收貢獻(xiàn)比率將達(dá)到2%～3%左右。

與當(dāng)初升級(jí)到40nm制造工藝時(shí)相比，臺(tái)積電本次升級(jí)28nm制造工藝是無論在產(chǎn)能提升還是在良品率改善方面都會(huì)更為順利，因?yàn)楫?dāng)初升級(jí)40nm制造工藝的時(shí)候臺(tái)積電是需要設(shè)備升級(jí)的，而本次28nm制造工藝升級(jí)臺(tái)積電似乎已完成了新設(shè)備的調(diào)試。
三星2010年4月開始量產(chǎn)27nm　NAND Flash，開啟全球20nm等級(jí)制程的時(shí)代，經(jīng)過15個(gè)月，三星即發(fā)展到21nm產(chǎn)品，展示其獨(dú)步全球的技術(shù)水準(zhǔn)。

另外，東芝于今年7月底將在日本三重縣八日市fab 5半導(dǎo)體廠中，以19nm制程量產(chǎn)NAND Flash，目前東芝主要量產(chǎn)24nm制程產(chǎn)品。海力士在技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中也不落人后，將于2011年第四季度以20nm制程量產(chǎn)NAND Flash。

EUV是未來光刻必然趨勢(shì)

除了EUV技術(shù)之外，還有無掩膜的多束電子束光刻及納米印刷等多種候選技術(shù)，未來進(jìn)展取決于性價(jià)比。

推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步的兩個(gè)輪子，一個(gè)是特征尺寸縮小，另一個(gè)是硅片直徑增大。毋庸置疑，尺寸縮小總是占先。近日英特爾公布22nm的3D技術(shù)開發(fā)成功，表明一直前景不明的16nm技術(shù)可能會(huì)提前導(dǎo)入市場(chǎng)。

影響尺寸縮微的光刻技術(shù)，目前是一直沿用更短的曝光波波長(zhǎng)，如ArF光源，振蕩波長(zhǎng)為193 nm。由于EUV(極紫外線光刻)技術(shù)的多次推遲，使得193nm光學(xué)光刻方法發(fā)揮到淋漓盡致。如從193nm干法到濕法，一直到工藝繁復(fù)與成本增加的雙重圖形技術(shù)。
業(yè)界早在2008年時(shí)就認(rèn)為光學(xué)光刻已快到盡頭，22nm是終點(diǎn)，之后必須要采用波長(zhǎng)為13.4nm的EUV技術(shù)。盡管EUV可能是下一代光刻的候選者，但是EUV已經(jīng)被多次推遲，原因是還有些問題沒有解決，包括缺乏合適光源(功率不夠)及EUV掩膜用的pellicle。此外還有經(jīng)濟(jì)因素，如每臺(tái)設(shè)備價(jià)格高達(dá)1.25億美元，以及設(shè)備的每小時(shí)硅片產(chǎn)出問題。

除了EUV技術(shù)之外，還有無掩膜的多束電子束光刻及納米印刷等多種候選技術(shù)，未來進(jìn)展取決于哪一種技術(shù)的性價(jià)比更高。

目前全球EUV與無掩膜電子束光刻設(shè)備的進(jìn)展如下：

Nikon提出它的最新光學(xué)系統(tǒng)621D，套刻精度2nm/3sigma。它的開發(fā)型EUV-1的NA為0.25，未來推出生產(chǎn)型EUV-HVM時(shí)NA為0.4。
ASML設(shè)定它的EUV路線圖，其開發(fā)型NXE3100的NA為0.25，如果光源能量在硅片表面上達(dá)到15毫焦耳/cm2時(shí)，每小時(shí)可達(dá)125片。ASML目前已有三臺(tái)設(shè)備在客戶端作測(cè)試，第四臺(tái)正在安裝，并預(yù)測(cè)到2012年底前可出貨10臺(tái)。由于全球EUV光源的供應(yīng)商包括Cymer、Gigaphoton及Ushiro，另有新興廠XTtreme。ASML公司對(duì)于它的EUV光源供應(yīng)商選擇尚未作最后決定。

另一家Mapper公司正在開發(fā)無掩膜的多束電子束光刻機(jī)。它的第一代機(jī)1.1在25nm時(shí)每小時(shí)產(chǎn)出1片，已發(fā)貨給法國(guó)的研發(fā)機(jī)構(gòu)Leti，明年將再發(fā)貨給TSMC。該公司計(jì)劃利用集束電子束把產(chǎn)能提高到每小時(shí)10片，以及最終在16nm時(shí)實(shí)現(xiàn)每小時(shí)100片。Mapper的優(yōu)勢(shì)在于它的每臺(tái)設(shè)備的價(jià)格及產(chǎn)能，目標(biāo)是每臺(tái)設(shè)備為500萬(wàn)歐元，與EUV價(jià)格相比僅為其零頭。

另一家EUV光源供應(yīng)商Xtreme，它采用激光放電等離子技術(shù)。光源裝置包括兩個(gè)裝有液態(tài)錫的輪，在10000Hz下放電產(chǎn)生激光脈沖(未來量產(chǎn)裝置高達(dá)10萬(wàn)Hz)。光源的重量可重達(dá)8噸，為了防止錫污染，聚光鏡四周裝有屏蔽罩。Xtreme的Marc Corthout認(rèn)為實(shí)際上光源能達(dá)到工藝要求所需的功率。

比利時(shí)的IMEC認(rèn)為EUV是未來光刻的必然趨勢(shì)。從全球互聯(lián)網(wǎng)的需求出發(fā)，一定會(huì)促使邏輯或存儲(chǔ)器客戶采用它。EUV的三個(gè)關(guān)鍵是設(shè)備、掩膜與光刻膠，目前已被確認(rèn)都是可實(shí)行的。盡管如此目前EUV的主要挑戰(zhàn)仍是光源，預(yù)計(jì)真正采用可能是在11nm工藝導(dǎo)入左右。

IMEC于2011年3月導(dǎo)入了曝光裝置單機(jī)和EUV光源，并開始在研究設(shè)施內(nèi)進(jìn)行了調(diào)整和整合測(cè)試?，F(xiàn)在已與東電電子(TEL)的涂布顯影裝置“Lithius Pro”連接。IMEC表示：“吞吐量為ASML公司曝光工藝評(píng)測(cè)用EUV曝光裝置的20倍，計(jì)劃在2012年初期實(shí)現(xiàn)100W的光源輸出功率和60張/小時(shí)的吞吐量。”在重疊精度方面，此次成果具有達(dá)到目標(biāo)值4nm以下的潛在能力。分辨率在使用偶極照明時(shí)可達(dá)到20nm以下，對(duì)于IMEC的目標(biāo)——2013年確立分辨率達(dá)到16nm的量產(chǎn)技術(shù)來說，此次成果具有里程碑的意義。

業(yè)界對(duì)于EUV的前景仍有疑慮，明年是關(guān)鍵。盡管如此，EUV與一年之前相比已經(jīng)大有改善，可能有兩臺(tái)設(shè)備將進(jìn)入量產(chǎn)前的準(zhǔn)備階段。

可以肯定業(yè)界采用傳統(tǒng)的光學(xué)光刻設(shè)備是最為經(jīng)濟(jì)的，但也總有盡頭，尤其當(dāng)尺寸越來越小時(shí)，由于成本太高愿意跟蹤的廠商數(shù)量會(huì)越來越少，將導(dǎo)致未來經(jīng)濟(jì)可行性差，因此有人對(duì)于在11nm時(shí)EUV才能導(dǎo)入提出質(zhì)疑。

推動(dòng)450mm硅片迅速過渡

成本下降是決定450mm硅片成功的關(guān)鍵，只有使芯片制造商與設(shè)備制造商同時(shí)實(shí)現(xiàn)雙嬴，才能持續(xù)進(jìn)步與發(fā)展。

有關(guān)450mm硅片過渡在業(yè)界一直爭(zhēng)論不休。到今天為止持積極態(tài)度的已有三家，分別是英特爾、臺(tái)積電及三星，其中臺(tái)積電的態(tài)度似乎更明朗一些。如臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)暨產(chǎn)品發(fā)展副總秦永沛曾談到有關(guān)18英寸晶圓廠計(jì)劃，重申臺(tái)積電預(yù)定2013年～2014年建立試產(chǎn)線，2015年～2016年在臺(tái)中廠量產(chǎn)，18英寸晶圓生產(chǎn)從環(huán)保、經(jīng)濟(jì)上來看，都會(huì)比12英寸廠更有效率。

業(yè)內(nèi)對(duì)于18英寸、450mm硅片過渡持另一種觀點(diǎn)是應(yīng)用材料公司為首的一批設(shè)備供應(yīng)商。理由也十分清晰，開發(fā)450mm設(shè)備的費(fèi)用約為200億美元，由誰(shuí)來承擔(dān)？另一方面更為實(shí)際，即未來有多少訂單可用來提高投資的回報(bào)率。

然而，由于近期產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步已使雙方的觀點(diǎn)越來越接近。如應(yīng)用材料公司總裁Mike Splinter在其今年Q2的總結(jié)會(huì)上已公開表示，在2012年公司要加大450mm設(shè)備的研發(fā)投資力度，表明應(yīng)用材料公司已經(jīng)看出450mm硅片是大勢(shì)所趨，作為全球半導(dǎo)體設(shè)備的領(lǐng)頭羊，不能再有絲毫的遲疑，只有積極的跟進(jìn)才是未來的生存之道。

如今對(duì)于向450mm硅片的過渡，持懷疑者已不多見，然而誰(shuí)是真正首批的推進(jìn)者，以及在什么時(shí)間過渡可能尚存有不同的看法。

因?yàn)槔硐氲难葑冞^程應(yīng)該是剛開始時(shí)有2～3家公司建立450mm試制生產(chǎn)線，然而在芯片制造成本下降的誘因下迅速過渡到量產(chǎn)生產(chǎn)線，與之前由200mm向300mm硅片過渡的過程幾乎相同。由于在相同工藝條件下，450mm生產(chǎn)線的運(yùn)作成本大約與300mm相比僅增加30%，但是由于硅片面積增大2.25倍，導(dǎo)致最終芯片的制造成本下降，由此將激發(fā)產(chǎn)能擴(kuò)充，以及更多的廠投入450mm硅片(估計(jì)全球有10家以上)。這樣的過程導(dǎo)致450mm硅片的市場(chǎng)占有率將由小至大，如目前300mm硅片占總硅片出貨量已超過60%。因此向450mm硅片過渡的關(guān)鍵在于成本下降，而且必須同時(shí)使芯片制造商與設(shè)備制造商實(shí)現(xiàn)雙贏。

至于450mm硅片的過渡時(shí)間點(diǎn)，臺(tái)積電選擇在2015年～2016年，也即22nm～16nm的量產(chǎn)階段，可能業(yè)界存在不同的看法。因?yàn)橛?00mm向300mm硅片過渡時(shí)，原先估計(jì)在250nm節(jié)點(diǎn)，實(shí)際上推遲到130nm節(jié)點(diǎn)，英特爾在2002年首次建12英寸生產(chǎn)線。因此未來450mm硅片的配套產(chǎn)業(yè)鏈將成為制約因素，導(dǎo)致業(yè)界產(chǎn)生有不同看法是完全正常的。

從應(yīng)用材料公司角度，從1996年開始就研發(fā)300mm設(shè)備。原來以為在2000年左右就會(huì)有大量的訂單到手，實(shí)際上由于遇到2001年的網(wǎng)絡(luò)泡沫，導(dǎo)致實(shí)際上全球300mm設(shè)備推遲到2003年才稍有起色，所以公司的獲利點(diǎn)被推遲了3～4年，這樣的歷史教訓(xùn)在向450mm過渡時(shí)不可能完全被忘卻。

應(yīng)用材料公司總裁Mik Splinter近期在回答分析師提問有關(guān)450mm設(shè)備進(jìn)程時(shí)，認(rèn)為目前尚有大量的工作要做，如設(shè)備的自動(dòng)化與腔體設(shè)計(jì)等，但是2012年公司肯定會(huì)加大投資力度。然而由于還不太清楚客戶究竟什么時(shí)候會(huì)下訂單，所以什么時(shí)候能夠提供樣機(jī)尚不好說。不過有些廠家正考慮在2015年～2017年要實(shí)現(xiàn)450mm硅片的量產(chǎn)。

成本下降是決定450mm硅片成功的關(guān)鍵，然而這是指芯片的制造成本，不僅與設(shè)備有關(guān)，還與配套的產(chǎn)業(yè)鏈有關(guān)。相信只有使芯片制造商與設(shè)備制造商同時(shí)實(shí)現(xiàn)雙贏，才能持續(xù)進(jìn)步與發(fā)展。因此未來向450mm硅片過渡，估計(jì)要比向300mm硅片過渡更為復(fù)雜與困難，可能周期會(huì)更長(zhǎng)一些。

總體上450mm硅片是大勢(shì)所趨，業(yè)界己有共識(shí)。然而何時(shí)真正的開始過渡，以及全球有多少?gòu)S家愿意出資70億美元～100億美元投資建廠尚有待觀察，這也是目前似乎存有不同觀點(diǎn)的癥結(jié)所在，因?yàn)榭赡苤挥袖N售額達(dá)到或接近200億美元的企業(yè)才能夠支持得起如此巨額的持續(xù)投資。(特約撰稿 莫大康)