全球最大的純閃存解決方案" title="閃存解決方案">閃存解決方案供應商Spansion（NASDAQ：SPSN）今日宣布計劃開發(fā)下一代數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品系列，MirrorBit ORNAND 架構?；赟pansion專有電荷捕獲" title="電荷捕獲">電荷捕獲技術的新型MirrorBit ORNAND2?架構將在連接于NAND存儲器陣列中采用類似SONOS的45nm" title="45nm">45nm存儲單元" title="存儲單元">存儲單元，具有快速寫入和高封裝密度的特點－－將NAND技術的性能和成本優(yōu)勢與300mm晶圓" title="晶圓">晶圓的成本結構優(yōu)勢發(fā)揮到最佳。 ?

基于新型架構的產(chǎn)品將主要面向集成閃存市場中的數(shù)據(jù)存儲應用領域；在這種市場中，客戶注重的是差異化、高價值的解決方案。新的架構將通過45nm系列解決方案擴大現(xiàn)有MirrorBit ORNAND產(chǎn)品系列；與Spansion 65nm的MirrorBit ORNAND產(chǎn)品相比，不但能將掩膜(mask layer)層的大小減少25%，其品質也遠勝于浮動門NAND解決方案。MirrorBit ORNAND2產(chǎn)品預計將于2009年初投放市場。? ?

新的架構基于Spansion專有MirrorBit技術――目前，采用MirrorBit技術的解決方案總銷售額達20億美元，占整個NOR閃存市場的22%。通過采用通用的技術平臺和利用40nm以下的MirrorBit技術具有的可擴展性優(yōu)勢，在同一晶圓廠中可以實現(xiàn)MirrorBit NOR、ORNAND和ORNAND2產(chǎn)品的高效生產(chǎn)。?? ?

Spansion研發(fā)事業(yè)部執(zhí)行副總裁Lou Parrillo博士表示：“Spansion是唯一一家成功實現(xiàn)電荷捕獲存儲技術大量應用的公司。憑借我們專有的先進的MirrorBit技術、300mm晶圓生產(chǎn)能力以及預計與NAND相當?shù)男阅?，我們能夠進一步擴大已有產(chǎn)品組合，并加快MirrorBit技術的發(fā)展步伐?！?

Spansion正利用在其專有MirrorBit技術應用的過程中所積累的經(jīng)驗來為MirrorBit ORNAND2技術開發(fā)一種專有的類似SONOS的存儲單元。不同于此前業(yè)界生產(chǎn)商試圖開發(fā)商用化SONOS存儲單元而未獲成功的情況，Spansion相信，通過架構性的革新和已獲證明的生產(chǎn)技術相結合的獨特方法，一定能實現(xiàn)最佳性能并加快投產(chǎn)的速度。 ?

目標分析（Objective Analysis）總監(jiān)Jim Handy表示：“隨著技術在伸縮曲線上的日漸走低，傳統(tǒng)的浮動門閃存在45nm及以下工藝中正逐漸失去競爭力。許多公司都提出將電荷捕獲技術作為一種解決辦法。Spansion的電荷捕獲技術投產(chǎn)已達四年之久，使公司相較競爭對手而言占據(jù)先機。而Spansion基于類似于SONOS的存儲單元結構的下一代MirrorBit ORNAND2架構必將進一步發(fā)揮這種領先優(yōu)勢，擴大公司在目前由NAND獨霸天下的各個領域中的市場機會。”?

關于 Spansion

Spansion（NASDAQ：SPSN）是領先的閃存解決方案供應商，致力于為無線、汽車、網(wǎng)絡和消費電子應用提供數(shù)字內容的支持、存儲和保護。Spansion的前身是一家由AMD和富士通合資的公司。它是全球最大的專門致力于設計、開發(fā)、生產(chǎn)、營銷和銷售閃存解決方案的公司。如需了解更多信息，請訪問：www.spansion.com/cn或www.spansion.com。?

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警告性聲明?

本新聞稿涉及符合《1995 年美國私人證券訴訟改革法案》安全港規(guī)則的前瞻性聲明，其中包括： MirrorBit ORNAND2架構能充分發(fā)揮NAND技術的性能和成本優(yōu)勢以及300毫米晶圓出色的成本結構；與采用65納米工藝技術的MirrorBit ORNAND產(chǎn)品相比，采用45納米工藝技術的MirrorBit ORNAND2架構將掩膜層的大小減少了25%；計劃于2009年初將MirrorBit ORNAND2產(chǎn)品投放市場；預期在同一晶圓廠中可實現(xiàn)MirrorBit NOR產(chǎn)品和新型MirrorBit ORNAND2產(chǎn)品高效生產(chǎn)；采用MirrorBit ORNAND2技術且類似于SONOS的存儲單元解決了多種基本問題，比如通過較厚的隧道氧化層來解決常規(guī)SONOS產(chǎn)品面臨的數(shù)據(jù)保留與擦除速度折衷問題；浮動柵NOR在45納米及以下工藝中將失去競爭力；MirrorBit ORNAND 2架構將擴大Spansion在目前由NAND獨霸天下的各個領域中的市場機會；以及Spansion將按計劃完成與Saifun半導體公司的并購。投資者必須注意，由于本稿件中的前瞻性陳述涉及風險和不確定性，因此，結果可能與公司的當前預期存在重大差異。公司認為可能導致實際結果與前瞻性陳述所闡述的結果存在重大差異的重要風險因素包括：對公司閃存產(chǎn)品的需求可能低于預期；平均銷售價格可能下降；專利或其他知識產(chǎn)權侵權訴訟風險增大可能導致重大知識產(chǎn)權損失；經(jīng)歷過嚴重衰退的閃存市場具有極高的周期性；Spansion在節(jié)省開支方面所做努力可能成效不大；與Saifun的并購可能不會帶來預期收益，或者并購遇到任何延遲或遭遇失敗可能給公司帶來不利影響；OEM會越來越多地在其應用中選擇基于NAND的閃存產(chǎn)品，而拋棄基于NOR、MirrorBit ORNAND和MirrorBit ORNAND2架構的閃存產(chǎn)品；Spansion沉重的債務可能給契約的簽訂帶來一些限制；現(xiàn)金流及外部融資不足等因素可能使公司無法執(zhí)行設施及產(chǎn)能落實計劃；公司可能失去主要客戶，或者主要客戶的需求量可能減少；公司可能無法成功地開發(fā)、推出并商品化新產(chǎn)品和技術，或者無法加快產(chǎn)品開發(fā)周期；競爭對手可能推出新的存儲或其他技術，使我們的閃存產(chǎn)品過時或失去競爭優(yōu)勢；公司可能無法開發(fā)基于MirrorBit ORNAND和MirrorBit ORNAND2架構的閃存產(chǎn)品，或者客戶不認同這類產(chǎn)品；公司可能經(jīng)受生產(chǎn)限制，或者無法提升生產(chǎn)效率；客戶更改預訂訂單的行為可能導致庫存過剩；公司的研發(fā)投入可能不能帶來技術的及時改進；以及，知識產(chǎn)權訴訟可能使公司發(fā)生巨額費用，或者支付巨額賠償費用，或者致使其產(chǎn)品遭到禁售。公司建議投資者的證券交易委員會仔細評估這些風險和不確定性，包括但不僅限于 2006 年 12 月 31 日財政年度結束時的年度報表 10-K 和 2007 年 7 月 1 日財政季度結束時的季度報表 10-Q。公司不負責更新此新聞稿中提及的前瞻性聲明或信息。

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