全球最大的純閃存解決方案" title="閃存解決方案">閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ：SPSN）今日宣布計劃開發(fā)下一代數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)品系列，MirrorBit ORNAND 架構(gòu)?；赟pansion專有電荷捕獲" title="電荷捕獲">電荷捕獲技術(shù)的新型MirrorBit ORNAND2?架構(gòu)將在連接于NAND存儲器陣列中采用類似SONOS的45nm" title="45nm">45nm存儲單元" title="存儲單元">存儲單元，具有快速寫入和高封裝密度的特點－－將NAND技術(shù)的性能和成本優(yōu)勢與300mm晶圓" title="晶圓">晶圓的成本結(jié)構(gòu)優(yōu)勢發(fā)揮到最佳。 ?

基于新型架構(gòu)的產(chǎn)品將主要面向集成閃存市場中的數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用領(lǐng)域；在這種市場中，客戶注重的是差異化、高價值的解決方案。新的架構(gòu)將通過45nm系列解決方案擴(kuò)大現(xiàn)有MirrorBit ORNAND產(chǎn)品系列；與Spansion 65nm的MirrorBit ORNAND產(chǎn)品相比，不但能將掩膜(mask layer)層的大小減少25%，其品質(zhì)也遠(yuǎn)勝于浮動門NAND解決方案。MirrorBit ORNAND2產(chǎn)品預(yù)計將于2009年初投放市場。? ?

新的架構(gòu)基于Spansion專有MirrorBit技術(shù)――目前，采用MirrorBit技術(shù)的解決方案總銷售額達(dá)20億美元，占整個NOR閃存市場的22%。通過采用通用的技術(shù)平臺和利用40nm以下的MirrorBit技術(shù)具有的可擴(kuò)展性優(yōu)勢，在同一晶圓廠中可以實現(xiàn)MirrorBit NOR、ORNAND和ORNAND2產(chǎn)品的高效生產(chǎn)。?? ?

Spansion研發(fā)事業(yè)部執(zhí)行副總裁Lou Parrillo博士表示：“Spansion是唯一一家成功實現(xiàn)電荷捕獲存儲技術(shù)大量應(yīng)用的公司。憑借我們專有的先進(jìn)的MirrorBit技術(shù)、300mm晶圓生產(chǎn)能力以及預(yù)計與NAND相當(dāng)?shù)男阅埽覀兡軌蜻M(jìn)一步擴(kuò)大已有產(chǎn)品組合，并加快MirrorBit技術(shù)的發(fā)展步伐?！?

Spansion正利用在其專有MirrorBit技術(shù)應(yīng)用的過程中所積累的經(jīng)驗來為MirrorBit ORNAND2技術(shù)開發(fā)一種專有的類似SONOS的存儲單元。不同于此前業(yè)界生產(chǎn)商試圖開發(fā)商用化SONOS存儲單元而未獲成功的情況，Spansion相信，通過架構(gòu)性的革新和已獲證明的生產(chǎn)技術(shù)相結(jié)合的獨特方法，一定能實現(xiàn)最佳性能并加快投產(chǎn)的速度。 ?

目標(biāo)分析（Objective Analysis）總監(jiān)Jim Handy表示：“隨著技術(shù)在伸縮曲線上的日漸走低，傳統(tǒng)的浮動門閃存在45nm及以下工藝中正逐漸失去競爭力。許多公司都提出將電荷捕獲技術(shù)作為一種解決辦法。Spansion的電荷捕獲技術(shù)投產(chǎn)已達(dá)四年之久，使公司相較競爭對手而言占據(jù)先機(jī)。而Spansion基于類似于SONOS的存儲單元結(jié)構(gòu)的下一代MirrorBit ORNAND2架構(gòu)必將進(jìn)一步發(fā)揮這種領(lǐng)先優(yōu)勢，擴(kuò)大公司在目前由NAND獨霸天下的各個領(lǐng)域中的市場機(jī)會?！?

關(guān)于 Spansion

Spansion（NASDAQ：SPSN）是領(lǐng)先的閃存解決方案供應(yīng)商，致力于為無線、汽車、網(wǎng)絡(luò)和消費電子應(yīng)用提供數(shù)字內(nèi)容的支持、存儲和保護(hù)。Spansion的前身是一家由AMD和富士通合資的公司。它是全球最大的專門致力于設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)、營銷和銷售閃存解決方案的公司。如需了解更多信息，請訪問：www.spansion.com/cn或www.spansion.com。?

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警告性聲明?

本新聞稿涉及符合《1995 年美國私人證券訴訟改革法案》安全港規(guī)則的前瞻性聲明，其中包括： MirrorBit ORNAND2架構(gòu)能充分發(fā)揮NAND技術(shù)的性能和成本優(yōu)勢以及300毫米晶圓出色的成本結(jié)構(gòu)；與采用65納米工藝技術(shù)的MirrorBit ORNAND產(chǎn)品相比，采用45納米工藝技術(shù)的MirrorBit ORNAND2架構(gòu)將掩膜層的大小減少了25%；計劃于2009年初將MirrorBit ORNAND2產(chǎn)品投放市場；預(yù)期在同一晶圓廠中可實現(xiàn)MirrorBit NOR產(chǎn)品和新型MirrorBit ORNAND2產(chǎn)品高效生產(chǎn)；采用MirrorBit ORNAND2技術(shù)且類似于SONOS的存儲單元解決了多種基本問題，比如通過較厚的隧道氧化層來解決常規(guī)SONOS產(chǎn)品面臨的數(shù)據(jù)保留與擦除速度折衷問題；浮動?xùn)臢OR在45納米及以下工藝中將失去競爭力；MirrorBit ORNAND 2架構(gòu)將擴(kuò)大Spansion在目前由NAND獨霸天下的各個領(lǐng)域中的市場機(jī)會；以及Spansion將按計劃完成與Saifun半導(dǎo)體公司的并購。投資者必須注意，由于本稿件中的前瞻性陳述涉及風(fēng)險和不確定性，因此，結(jié)果可能與公司的當(dāng)前預(yù)期存在重大差異。公司認(rèn)為可能導(dǎo)致實際結(jié)果與前瞻性陳述所闡述的結(jié)果存在重大差異的重要風(fēng)險因素包括：對公司閃存產(chǎn)品的需求可能低于預(yù)期；平均銷售價格可能下降；專利或其他知識產(chǎn)權(quán)侵權(quán)訴訟風(fēng)險增大可能導(dǎo)致重大知識產(chǎn)權(quán)損失；經(jīng)歷過嚴(yán)重衰退的閃存市場具有極高的周期性；Spansion在節(jié)省開支方面所做努力可能成效不大；與Saifun的并購可能不會帶來預(yù)期收益，或者并購遇到任何延遲或遭遇失敗可能給公司帶來不利影響；OEM會越來越多地在其應(yīng)用中選擇基于NAND的閃存產(chǎn)品，而拋棄基于NOR、MirrorBit ORNAND和MirrorBit ORNAND2架構(gòu)的閃存產(chǎn)品；Spansion沉重的債務(wù)可能給契約的簽訂帶來一些限制；現(xiàn)金流及外部融資不足等因素可能使公司無法執(zhí)行設(shè)施及產(chǎn)能落實計劃；公司可能失去主要客戶，或者主要客戶的需求量可能減少；公司可能無法成功地開發(fā)、推出并商品化新產(chǎn)品和技術(shù)，或者無法加快產(chǎn)品開發(fā)周期；競爭對手可能推出新的存儲或其他技術(shù)，使我們的閃存產(chǎn)品過時或失去競爭優(yōu)勢；公司可能無法開發(fā)基于MirrorBit ORNAND和MirrorBit ORNAND2架構(gòu)的閃存產(chǎn)品，或者客戶不認(rèn)同這類產(chǎn)品；公司可能經(jīng)受生產(chǎn)限制，或者無法提升生產(chǎn)效率；客戶更改預(yù)訂訂單的行為可能導(dǎo)致庫存過剩；公司的研發(fā)投入可能不能帶來技術(shù)的及時改進(jìn)；以及，知識產(chǎn)權(quán)訴訟可能使公司發(fā)生巨額費用，或者支付巨額賠償費用，或者致使其產(chǎn)品遭到禁售。公司建議投資者的證券交易委員會仔細(xì)評估這些風(fēng)險和不確定性，包括但不僅限于 2006 年 12 月 31 日財政年度結(jié)束時的年度報表 10-K 和 2007 年 7 月 1 日財政季度結(jié)束時的季度報表 10-Q。公司不負(fù)責(zé)更新此新聞稿中提及的前瞻性聲明或信息。

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