《電子技術(shù)應(yīng)用》
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科銳展示業(yè)界首款用于衛(wèi)星通信的 C 波段 GaN HEMT 單片式微波集成電路(MMIC) 高功率放大器

2011-06-22
作者:科銳公司

  科銳公司(納斯達(dá)克:CREE)日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國(guó)際微波研討會(huì)上展出業(yè)界首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA) 。與現(xiàn)有商用 GaAs MESFET 晶體管或基于行波管的放大器相比,該產(chǎn)品可大幅提高性能。
 
  科銳無(wú)線射頻(RF) 總監(jiān) Jim Milligan 指出:“這是首款可為衛(wèi)星通信應(yīng)用提供全新高性能的 GaN MMIC 產(chǎn)品,因?yàn)槲覀兊?GaN HEMT 技術(shù)可實(shí)現(xiàn)出色的線性效率與功率增益。我們預(yù)計(jì) GaN 產(chǎn)品不但將對(duì)熱管理技術(shù)產(chǎn)生巨大影響,還可使商用及軍用衛(wèi)星通信系統(tǒng)的尺寸更小、重量更輕。”
 
  CMPA5585025F MMIC 采用多引腳陶瓷/金屬封裝 (1”x 0.38”) ,是一款 50 歐姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的雙級(jí) GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬時(shí)帶寬為 5.8 GHz 至 8.4 GHz,提供 15 瓦特線性功率(<-30 dBc 的相鄰頻道功率) 與 20 dB 功率增益。在該線性運(yùn)行功率下,功率附加效率為 25%。
 
  該器件采用小型封裝,可減小晶體管尺寸與重量,降低熱管理的成本,從而實(shí)現(xiàn)出色的線性效率(比傳統(tǒng)解決方案高 60%)。此外,該器件運(yùn)行時(shí)需要的工作電壓(28 伏特)大于 GaAs MESFET(12 伏特),因此晶體管還支持更低流耗,可降低功率分布損耗,實(shí)現(xiàn)更高的整體系統(tǒng)效率。
 
  CMPA5585025F 現(xiàn)已開(kāi)始提供樣片,并將于 2011 年夏天投入量產(chǎn)。如欲了解更多產(chǎn)品詳情,敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn):www.cree.com/rf。


 
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