《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 測(cè)試測(cè)量 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 4200-SCS型半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)優(yōu)化小電流測(cè)量
4200-SCS型半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)優(yōu)化小電流測(cè)量
摘要: 許多關(guān)鍵應(yīng)用都需要能夠測(cè)量小電流的能力——比如pA級(jí)或更小。這些應(yīng)用包括確定FET的柵極漏流、測(cè)試敏感的納米電子器件,以及測(cè)量絕緣體或電容的漏流。
Abstract:
Key words :

I分析系統(tǒng)優(yōu)化小電流測(cè)量- 引言
    許多關(guān)鍵應(yīng)用都需要能夠測(cè)量小電流的能力——比如pA級(jí)或更小。這些應(yīng)用包括確定FET的柵極漏流、測(cè)試敏感的納米電子器件,以及測(cè)量絕緣體或電容的漏流。

    4200-SCS型半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng)配備可選的4200-PA型遠(yuǎn)程前置放大器時(shí),可提供非常卓越的小電流測(cè)量能力,分辨率達(dá)1E–16A。成功測(cè)量小電流不僅依賴(lài)于使用非常靈敏的安培計(jì),例如4200-SCS型,而且還取決于系統(tǒng)的交互測(cè)試環(huán)境(KITE)軟件進(jìn)行正確設(shè)置、使用低噪聲夾具和電纜連接、留有足夠的建立時(shí)間,以及采用能夠防止不希望的電流降低測(cè)量準(zhǔn)確度的技術(shù)。本文介紹利用吉時(shí)利4200-SCS型優(yōu)化小電流測(cè)量的最佳解決方案。

    測(cè)量系統(tǒng)中的偏移電流
    將系統(tǒng)配置為進(jìn)行超低電流測(cè)量的前幾步之中有一步是確定整個(gè)測(cè)量系統(tǒng)的偏移和漏泄電流,包括4200-SCS本身、連接電纜、開(kāi)關(guān)矩陣、測(cè)試夾具和探針。這可確定整個(gè)系統(tǒng)的噪底限值,并設(shè)置一個(gè)開(kāi)始點(diǎn),如果可能的話(huà)則進(jìn)行改進(jìn)。從測(cè)量源測(cè)量單元(SMU)的偏移開(kāi)始,然后繼續(xù)增加測(cè)量電路組件,直到連接了除被測(cè)裝置(DUT)之外的全部組件。直接由帶有4200-PA遠(yuǎn)程前置放大器的4200-SMU利用KITE軟件進(jìn)行測(cè)量。

II分析系統(tǒng)優(yōu)化小電流測(cè)量——內(nèi)部偏移
    對(duì)于理想的安培計(jì),當(dāng)其輸入端子保持開(kāi)路時(shí),其讀數(shù)應(yīng)為零。然而,現(xiàn)實(shí)中的安培計(jì)在輸入開(kāi)路時(shí)確實(shí)存在小電流。這一電流被稱(chēng)為輸入偏移電流,是由于有源器件的偏置電流以及流過(guò)儀器中絕緣體的漏泄電流產(chǎn)生的。SMU內(nèi)產(chǎn)生的偏移電流已包括在吉時(shí)利4200-SCS型的技術(shù)指標(biāo)中。如圖1所示,輸入偏移電流增加至被測(cè)電流,所以?xún)x表測(cè)量的是兩個(gè)電流之和。

 
圖1. SMU的輸入偏移電流

測(cè)量每個(gè)帶有4200-PA前置放大器的4200-SMU的偏移時(shí),F(xiàn)orce HI和Sense HI端子上除金屬帽外不連接任何東西。這些三銷(xiāo)金屬帽已包含在系統(tǒng)中。在進(jìn)行所有測(cè)量之前,SMU應(yīng)該在帶有連接至前置放大器的Force HI和Sense HI端子的金屬帽的條件下,預(yù)熱至少1個(gè)小時(shí)。如果系統(tǒng)安裝有7.1版或更高版本的KTEI,可采用以下目錄中名稱(chēng)為“LowCurrent”的項(xiàng)目測(cè)量偏移電流:C:S4200kiuserProjectsLowCurrent
打開(kāi)該項(xiàng)目,選擇SMU1offset ITM。點(diǎn)擊圖表標(biāo)簽,并運(yùn)行測(cè)試。結(jié)果應(yīng)類(lèi)似于圖2所示的圖形??赡苄枰米詣?dòng)縮放(Auto Scale)功能適當(dāng)縮放曲線(xiàn)。在圖形上右擊,即可找到自動(dòng)縮放功能。4200-PA前置放大器連接至SMU時(shí),偏移電流應(yīng)該在fA級(jí)。電流偏移可為正或負(fù)。根據(jù)公布的4200-SCS型的安培計(jì)技術(shù)指標(biāo)驗(yàn)證這些結(jié)果。

    利用獨(dú)立ITM對(duì)系統(tǒng)中的每個(gè)SMU重復(fù)該項(xiàng)測(cè)試。LowCurrent項(xiàng)目具有可對(duì)帶有前置放大器的4個(gè)SMU進(jìn)行偏移電流測(cè)量的ITM。

    運(yùn)行7.1版本之前的KTEI軟件的系統(tǒng)也很容易測(cè)量偏移電流。請(qǐng)按照以下步驟創(chuàng)建測(cè)試,對(duì)SMU1進(jìn)行測(cè)量:

    1. 在已創(chuàng)建的項(xiàng)目中,打開(kāi)一個(gè)用于一般2端器件的新Device Plan(器件規(guī)劃)。
創(chuàng)建一個(gè)名稱(chēng)為SMU1Offset的新ITM。為端子A選擇SMU1,端子B選擇GNDU。

 
圖2. SMU1的偏移電流測(cè)量

1. 在Definition標(biāo)簽頁(yè)中進(jìn)行如下設(shè)置:
    SMU源測(cè)量配置:電壓偏置0V,10pA固定電流量程。
    Timing菜單:靜音速度,采樣模式,0s間隔,20個(gè)樣本,1s保持時(shí)間,選中使能時(shí)標(biāo)。
    公式計(jì)算器:創(chuàng)建一個(gè)公式,利用標(biāo)準(zhǔn)差測(cè)量噪聲,NOISE=STDDEV(A1)。
    再創(chuàng)建一個(gè)公式測(cè)量平均偏移電流:AVGCURRENT=AVG(A1)。

    2. 在Graph標(biāo)簽頁(yè)中進(jìn)行如下設(shè)置(在圖形上右擊):
    定義圖形:X軸:時(shí)間 
    Y1軸:電流(A1)

    數(shù)據(jù)變量:選擇在圖形上顯示NOISE。選擇在圖形上顯示AVGCURRENT。

    完成配置后,保存測(cè)試并運(yùn)行。結(jié)果應(yīng)類(lèi)似于圖2所示的圖形。對(duì)系統(tǒng)中的全部SMU重復(fù)該測(cè)試。

    在KITE中執(zhí)行自動(dòng)校準(zhǔn)程序,可優(yōu)化輸入偏移電流技術(shù)指標(biāo)。如需執(zhí)行SMU自動(dòng)校準(zhǔn),在KITE的工具菜單中點(diǎn)擊“SMU Auto Calibration”(SMU自動(dòng)校準(zhǔn))。進(jìn)行自動(dòng)校準(zhǔn)之前,使系統(tǒng)在上電后預(yù)熱至少60分鐘。除金屬帽之外,SMU的Force HI和Sense HI端子上不應(yīng)連接任何東西。自動(dòng)校準(zhǔn)程序?qū)ο到y(tǒng)中全部SMU的全部源和測(cè)量功能調(diào)節(jié)電流和電壓偏移。請(qǐng)勿將其與全系統(tǒng)校準(zhǔn)混淆,后者應(yīng)每年在吉時(shí)利工廠進(jìn)行一次。

    完成SMU自動(dòng)校準(zhǔn)后,即可重復(fù)進(jìn)行偏移電流測(cè)量。

III分析系統(tǒng)優(yōu)化小電流測(cè)量——外部偏移
    確定了安培計(jì)的偏移電流后,將系統(tǒng)的其余部分逐步添加至測(cè)試電路,通過(guò)重復(fù)電流(0V)和時(shí)間圖,驗(yàn)證系統(tǒng)其余部分的偏移(利用圖3中所示的“Append Run”按鈕)。最后,在“up”位置對(duì)探針末端或未連接器件的測(cè)試夾具進(jìn)行測(cè)量。該過(guò)程將有助于確定任何故障點(diǎn),例如短路的電纜或測(cè)量電路中的不穩(wěn)定性。然而,要意識(shí)到,連接和斷開(kāi)電纜都會(huì)在電路中產(chǎn)生電流。為了進(jìn)行超低電流測(cè)量,可能有必要在改變測(cè)試電路的連接后等待幾分鐘至幾個(gè)小時(shí),使雜散電流衰減。圖4中的圖形顯示的是以下條件下的偏移:1)SMU的Force HI端子上戴有金屬帽;2)前置放大器上僅連接一根三軸電纜;3)通過(guò)吉時(shí)利7174A型小電流開(kāi)關(guān)矩陣至探針臺(tái),“up”位置有一個(gè)探針。

 
圖3. Append按鈕
 
圖4. 整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)的偏移電流測(cè)量

在生成電流-時(shí)間圖形時(shí)施加一個(gè)測(cè)試電壓,重復(fù)該項(xiàng)測(cè)試,確定測(cè)量電路中的漏泄電流。在DUT的實(shí)際測(cè)量中,使用的是測(cè)試電壓,而非零偏壓。現(xiàn)在,將測(cè)量并繪制測(cè)試夾具和電纜中的任何漏流。如果漏流太高,可對(duì)測(cè)量電路進(jìn)行調(diào)節(jié),減小漏流。關(guān)于減小漏流的方法信息,請(qǐng)參見(jiàn)本文“漏流和保護(hù)”部分。

IV測(cè)量誤差源及減小誤差的方法
    確定了電流偏移、漏流及所有不穩(wěn)定性后,采取措施減小測(cè)量誤差將有助于提高測(cè)量準(zhǔn)確度。這些誤差源包括建立時(shí)間不足、靜電干擾、漏泄電流、摩擦效應(yīng)、壓電效應(yīng)、污染、濕度、接地環(huán)路,以及源阻抗。圖5中匯總了本節(jié)討論的部分電流的幅值。


 
圖5. 產(chǎn)生電流的典型幅值


    建立時(shí)間和定時(shí)菜單設(shè)置
    測(cè)量電路的建立時(shí)間在測(cè)量小電流和高電阻時(shí)尤其重要。建立時(shí)間是指施加或改變電流或電壓后測(cè)量達(dá)到穩(wěn)定的時(shí)間。影響測(cè)量電路建立時(shí)間的因素包括并聯(lián)電容(CSHUNT)和源電阻(RS)。并聯(lián)電容是由于連接電纜、測(cè)試夾具、開(kāi)關(guān)和探針造成的。DUT的源電阻越高,建立時(shí)間越長(zhǎng)。圖6的測(cè)量電路中標(biāo)出了并聯(lián)電容和源電阻。


 
圖6. 包含CSHUNT和RS的SMU測(cè)量電路

建立時(shí)間是RC時(shí)間常數(shù)τ的結(jié)果,其中:
    τ = RSCSHUNT
    以下為計(jì)算建立時(shí)間的一個(gè)例子,假設(shè) CSHUNT = 10pF,RS = 1TΩ,那么:
    τ = 10pF × 1TΩ = 10s
    因此,讀數(shù)穩(wěn)定至最終值的1%所需的建立時(shí)間為τ的5倍,也就是50秒。圖7所示為RC電路的階躍電壓指數(shù)響應(yīng)。經(jīng)過(guò)一個(gè)時(shí)間常數(shù)(τ = RC)后,電壓上升至最終值的63%。


 
圖7. RC電路的階躍電壓指數(shù)響應(yīng)

為了成功測(cè)量小電流,重要的是每次測(cè)量留有足夠的時(shí)間,尤其是掃描電壓時(shí)。對(duì)于掃描模式,可在“ Sweep Delay”(掃描延遲)域的“Timing”(定時(shí))菜單中添加建立時(shí)間;對(duì)于采樣模式,則在“Interval time”域內(nèi)。為了確定需要增加多長(zhǎng)間隔時(shí)間,通過(guò)繪制電流-時(shí)間圖,測(cè)量DUT穩(wěn)定至某個(gè)階躍電壓的建立時(shí)間。階躍電壓應(yīng)該是DUT實(shí)際測(cè)量中使用的偏執(zhí)電壓。可利用LowCurrent項(xiàng)目中的ITM測(cè)量建立時(shí)間。應(yīng)適當(dāng)增加“Timing”(定時(shí))菜單中的“#Samples”,以確保穩(wěn)定后的讀數(shù)顯示在圖形中。在測(cè)量小電流時(shí),采用“Quiet Speed Mode”或在“Timing”菜單中增加額外濾波。請(qǐng)注意,這是噪聲和速度之間的平衡。濾波和延遲越大,噪聲越小,但是測(cè)量速度也越小。

V電磁干擾和屏蔽
    當(dāng)帶電物體接近被測(cè)電路時(shí),會(huì)發(fā)生靜電耦合或干擾。低阻抗時(shí),由于電荷消失很快,所以干擾的影響不明顯。然而,高電阻材料不會(huì)使電荷快速衰減,則會(huì)造成測(cè)量不穩(wěn)定、噪聲很大。通常情況下,當(dāng)被測(cè)電流≤1nA或者被測(cè)電阻≥1GΩ時(shí),靜電干擾就會(huì)成為問(wèn)題。

    為了減小靜電場(chǎng)影響,被測(cè)電路可被密封在一個(gè)靜電屏內(nèi)。圖8所示為非屏蔽和屏蔽測(cè)量一個(gè)100GΩ電阻之間的巨大差異。非屏蔽測(cè)量比屏蔽測(cè)量時(shí)的噪聲要大得多。


 
圖8. 100GΩ電阻的屏蔽和非屏蔽測(cè)量的比較

屏蔽可以?xún)H僅是一個(gè)將測(cè)試電路包圍起來(lái)的簡(jiǎn)單金屬盒或金屬網(wǎng)。商業(yè)探針臺(tái)往往將敏感電路密封在一個(gè)靜電屏蔽內(nèi)。屏蔽被連接至測(cè)量電路LO端子,該端子不一定接地。對(duì)于4200-SCS來(lái)說(shuō),屏蔽連接至Force LO端子,如圖9所示。


 
圖9. 屏蔽高阻器件

采取以下步驟將靜電耦合導(dǎo)致誤的差電流降至最小:
    • 屏蔽DUT,并將屏蔽層在電氣上連接至測(cè)試電路公共端——4200-SCS的Force LO端子。
    • 使所有帶電物體(包括人員)和導(dǎo)體遠(yuǎn)離電路的敏感區(qū)域。
    • 測(cè)試區(qū)域附近避免移動(dòng)和振動(dòng)。

VI漏流和保護(hù)I
    漏流是施加電壓時(shí)通過(guò)(泄露)電阻的誤差電流。當(dāng)DUT的阻抗與測(cè)試電路中絕緣體的阻抗相當(dāng)時(shí),該誤差電流就會(huì)成為問(wèn)題。為減小漏流,在測(cè)試電流中采用高質(zhì)量的絕緣體、降低測(cè)試實(shí)驗(yàn)室的濕度,并采用保護(hù)。

    保護(hù)是由一個(gè)低阻源驅(qū)動(dòng)的導(dǎo)體,其輸出為或接近高阻端子的電勢(shì)。保護(hù)端子用于保護(hù)測(cè)試夾具和電纜絕緣電阻和電容。保護(hù)是三軸連接器/電纜的芯屏蔽,如圖10所示。


 
圖10. 4200三軸連接器/電纜的導(dǎo)體


     請(qǐng)勿混淆保護(hù)和屏蔽。屏蔽通常意味著采用金屬護(hù)欄防止靜電干擾影響高阻電路。保護(hù)則意味著使用增加的低阻導(dǎo)體,將其維持在于高阻電路相同的電勢(shì),它將攔截任何干擾電壓或電流。保護(hù)不一定提供屏蔽。下圖

    為保護(hù)的兩個(gè)例子:1)利用保護(hù)降低測(cè)試夾具導(dǎo)致的漏流,而2)則利用保護(hù)降低由于電纜連接產(chǎn)生的漏流。

    圖11所示為保護(hù)消除可能會(huì)通過(guò)測(cè)試夾具內(nèi)隔離絕緣體的原理。在圖11a中,漏流(IL)通過(guò)隔離絕緣體(RL)。該漏流增加至來(lái)自于DUT (IDUT),然后被SMU安培計(jì)測(cè)得(IM),對(duì)小電流測(cè)量的準(zhǔn)確度造成不利影響。


 
圖11. 利用保護(hù)減小測(cè)試夾具中的漏流


    在圖11b中,金屬安裝板被連接至SMU的保護(hù)端子。隔離絕緣體頂部和底部的電壓接近相同電勢(shì)(0V壓降),所以在隔離絕緣體中就不會(huì)有漏流影響測(cè)量準(zhǔn)確度。由于金屬安裝板將處于保護(hù)電勢(shì),所以為安全起見(jiàn),金屬屏蔽必須連接至地。

此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。