《電子技術(shù)應(yīng)用》
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提升LED TV背光系統(tǒng)的中壓升壓轉(zhuǎn)換器效率
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摘要: 低電壓范圍升壓轉(zhuǎn)換器通常用于移動設(shè)備,以便將電池電壓(1.2V至4.2V)提升到較高的電壓水平(如1.5至20V),從...
Abstract:
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關(guān)鍵字:電源管理芯片 Buck 便攜式產(chǎn)品

  低電壓范圍升壓轉(zhuǎn)換器通常用于移動設(shè)備,以便將電池電壓(1.2V 至4.2V)提升到較高的電壓水平(如1.5至20V),從而為應(yīng)用電路供電。在這個電壓范圍里,傳導損耗是主要的考慮因素。市面上存在許多專門設(shè)計用于這些應(yīng)用的器件,連續(xù)傳導模式(CCM)是這些器件的主要工作模式。

   高電壓范圍升壓轉(zhuǎn)換器通常用作具有90V至270V AC輸入和約400V DC輸出的PFC轉(zhuǎn)換器,在這些應(yīng)用中,傳導損耗并不像在低電壓升壓轉(zhuǎn)換器中那么重要,需要更多地考慮開關(guān)損耗和抗噪聲能力。因而PFC控制器通常采用某些特別的設(shè)計要素如臨界導通 (CRM)工作模式、更高的電流感測電壓。PFC控制器由于市場巨大而被廣泛使用。

   LED TV背光應(yīng)用需要24V DC輸入、 180V DC 0.4A輸出升壓轉(zhuǎn)換器,相比前面提到的低電壓和高電壓范圍升壓轉(zhuǎn)換器,這類中等電壓升壓轉(zhuǎn)換器很少用于消費電子產(chǎn)品。在這種電壓和額定功率值范圍中,傳導損耗、開關(guān)損耗和抗噪聲能力均需予以考慮,很難找到一款適合的較廉價的器件。

拓撲和器件選擇考慮事項

   在設(shè)計消費產(chǎn)品解決方案時,始終需要避免使用昂貴的拓撲和器件。而且,由于DC輸入節(jié)點和輸出節(jié)點(LED陣列)均位于次級端,因而LED背光照明級無需進行隔離。即便我們還有軟開關(guān)諧振半/全橋拓撲等其它選擇,升壓(boost)拓撲是LED TV背光照明電源應(yīng)用的最佳核心拓撲。

   考慮到用于移動設(shè)備的升壓控制器具有高PWM頻率 (通常為500 KHz 至6MHz)和低噪聲兼容性(電壓模式或低電流感測電壓)。用于AC/DC電源的PWM控制器似乎更合適,因其具有高柵極驅(qū)動電壓 (超過10V)和高電流感測電壓(通常為0.5V-1.2V)。但是,大多數(shù) AC/DC PWM控制器的工作頻率為50 kHz至100 kHz。這種頻率范圍對于90-270VAC輸入的電源是合適的,因為它能夠平衡開關(guān)損耗和電感元件尺寸。不過,對于24VDC輸入電源,該頻率有些低,因為低工作頻率需要使用大電感器。

   CRM PFC控制器是最佳的選擇,因為它不僅具備AC/DC PWM控制器的優(yōu)勢(高柵極驅(qū)動電壓和高電流感測電壓),還能夠通過選擇電感將工作頻率設(shè)置為最佳數(shù)值(200 kHz)。即便CRM PFC控制器的反饋回路在電壓模式下工作,但是其鋸齒波發(fā)生器和比較器內(nèi)置在芯片中,并具有足夠大的振幅。因而,在噪聲兼容性方面不會出現(xiàn)問題。

提高效率

   使用標準CRM PFC控制器來實現(xiàn)升壓轉(zhuǎn)換器,因為具有相對較低的輸入/輸出電壓和臨界導通模式工作方式,開關(guān)損耗并不是問題,其問題在于傳導損耗。圖1所示為升壓轉(zhuǎn)換器中的主要傳導損耗來源。

   我們可以看到導通期間的傳導損耗來自于Rsense、Rdson和Rcoil,本文不討論減小Rcoil的方法,下面將分別探討如何減小Rsense和Rdson。

   在PFC應(yīng)用中,Rsense值由最大額定功率來決定,在出現(xiàn)異常過流情況時,Rsense上的電壓應(yīng)當達到逐脈沖限流電平(Vcslim),需要保留 10% 的余量范圍,因而可由下式計算Rsense :

 

   對于本文探討的應(yīng)用,我們同樣應(yīng)當遵循這個公式。Rsense的功耗為:

,因而

   我們可以看到Rsense的功耗與Vcslim成比例。標準PFC控制器的Vcslim約為0.5V至1.2V,以期避免噪聲帶來的錯誤觸發(fā)。在FAN7930CM 中Vcslim為0.8V。因為輸入電壓相對較高,而IQRMS相對較低,這個數(shù)值對于PFC應(yīng)用是合適的。但對于24V輸入應(yīng)用,這一電壓太高,使得PRsense 過大。例如,我們使用飛兆半導體公司提供的設(shè)計工具,計算72W PFC (90VAC輸入、400V/0.18A輸出)的Rsense的功耗。我們得到結(jié)果:Rsense = 0.289Ω,Rsense的功耗為0.22W。然后得出Rsense上的效率損失為0.22/72×100%=0.31%,如果我們使用相同的設(shè)計工具,計算具有24V輸入、180V/0.4A輸出的72W PFC控制器,其結(jié)果為:Rsense = 0.077Ω,Rsense的功耗為0.96W,因而效率損失為0.96/72×100%=1.33%,相比90VAC輸入狀況高出三倍。

   為了減小Rsense的功耗,我們設(shè)計了如圖2所示的“電壓墊高(Voltage block up)”電路,使用分壓器R1和 R2在Vrs和Vsense引腳之間引入一個電壓差,通過這個電壓差,Vsense能夠以較低的Rsense電壓來達到 Vcslim。

   在圖3中, 我們可以看到通過增添R1和R2,即便Rsense上的電壓降比Vcslim低很多,Vsense也能夠達到(Vcslim/1.1)水平。這樣可以降低Rsense的功耗。例如,在不使用R1和R2的情況下,如果Rsense為0.077Ω,當Ipk=10.39A,Vsense則為0.8V。如果Vgate=11V,R1=10KΩ,R2=400Ω,Rsense=0.0375Ω,當Ipk=10.39A,Vsense也可達到0.8V。但是,如果Rsense=0.0375Ω,Rsense的功耗則為0.47W,效率損失為0.47/72×100%=0.65%,相對于使用0.77Ω Rsense,效率則可以提高0.68%。

  在MOSFET晶片尺寸和封裝相同的情況下,如果Vdss增加,MOSFET 的Rdson會增大。例如,飛兆100V MOS器件FDD86102的Rdson 為24 mΩ。但是對于具有相同封裝和價格的 250V MOS器件FQD16N25C,Rdson為270 mΩ。MOSFET器件的傳導損耗在24mΩ和270 mΩ條件下的差別很大,我們使用相同設(shè)計工具計算了24VAC輸入、 180V/0.4A輸出PFC轉(zhuǎn)換器Rdson的傳導損耗。其數(shù)值分別是0.9W和10.08W。顯然,270 mΩ Rdson是不可接受的。在標準升壓拓撲中,為了提供180V輸出電壓,需要使用250V MOSFET以獲得足夠的Vdss余量。在這種情況下,減小傳導損耗的標準途徑是選擇一個Rdson較低的MOSFET器件。不過,在相同Vdss下,Rdson較低的MOSFET器件不僅昂貴,而且具有較大的Coss。較大的Coss意味著較大的關(guān)斷損耗。這里,我們找到了另一種減小傳導損耗的方法。就是使用100V MOSFET器件如FDD86102,將24V電壓提升到180V,當然,必須采用特殊的方法解決電壓問題,如自耦變壓器。

   圖4所示為使用自耦變壓器替代電感器的升壓轉(zhuǎn)換器,在導通期間,電流流經(jīng)紅色的路徑就象標準升壓轉(zhuǎn)換器的一樣,而在關(guān)斷期間,電流則經(jīng)過綠色路徑。MOSFET漏極上的電壓為:

   如果我們輸入 N1=3T, N2=7T, Vdiode=1V, Vout=180V, Vin=24V, 則Vd為:

   因而可以使用100V MOSFET器件。

設(shè)計示例和測試結(jié)果

 

  圖 5所示為飛兆半導體用于LED背光照明電源的評估電路板的示意圖。

   U4, Q35, T3, D36和外部元件構(gòu)成了這個升壓轉(zhuǎn)換器,繞組6-10用于實現(xiàn)零電流檢測(ZCD),D37, C42, R39, R40具有兩項功能,一項功能是作為箝位線路,吸收N1和N2之間的泄漏電感引起的電壓脈沖,另一項功能是監(jiān)視Q35的漏極電壓,反饋至U4的引腳1,實現(xiàn)過電壓保護。

 圖6

 圖7

   圖6是評估電路板頂部、底部和側(cè)面照片。我們可以看到,增添R38,效率提高了1.09%。圖7是使用/不使用Vrsense 電壓墊高電路(R38)的波形差別示意圖。表2是使用/不使用自耦變壓器的結(jié)果比較。如果不使用自耦變壓器,應(yīng)當去掉D37,將D37的陰極連接到24V Vin。我們可以看到使用自耦變壓器,效率提高了14.06%,圖8所示為波形比較。

 表1:使用/不使用Vrsense電壓墊高電路(R38)的結(jié)果比較

 

 表2:使用/不使用自耦變壓器的結(jié)果比較

 圖8

 本文小結(jié)

   標準CRM PFC控制器就其特性、通用性和低價格而言,適用于中等電壓升壓轉(zhuǎn)換器。傳導損耗是其應(yīng)用的主要挑戰(zhàn)。采用電壓墊高電路能夠降低Rsense所需的峰值電壓以期提升轉(zhuǎn)換器的效率。在升壓轉(zhuǎn)換器中采用自耦變壓器,允許使用低Vdss MOSFET器件以減小Rdson,從而顯著提升效率。評估電路板的測試結(jié)果證實這一思路是可行的。

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