許多便攜式應用需要超過8kV的ESD 保護, 同時將電容保持在5p F以下。Z二極管能夠單獨滿足這一要求, 但當與開關或結型二極管等低電容PN 二極管相結合時, 它們可同時滿足該應用的以下兩種要求: 低電容以及高E S D 和浪涌抗擾性。
Z 二極管與小型P N 二極管的這種結合提供了單向保護器件。鉗位電流只能朝一個方向流動, 如圖l所示。添加另一個P N 二極管可打開反向通道, 從而使該保護器件實現(xiàn)雙向保護。當正向和反向的鉗位電壓電平
不同時, 這種器件具有雙向及不對稱的鉗位行為(BiAs), 如圖1。
圖1 鉗位行為示例
當所有三個二極管完全放電時(二極管電容為空) , 具有0.5V 幅度的第一個信號脈沖將在正向驅動上方的PN 二極管D1 , 從而填充或加載Z 二極管ZD 較大的空電容。 根據脈沖的持續(xù)時間以及到下一次脈沖的中止,Z 二極管的電容通過充電已經到了更高水平, 因此下一次脈沖給電容的充人較少。 幾次脈沖后, Z 二極管被完全充滿, 因此隨后的脈沖僅檢測到這兩個P N 二極管的電容較低。
對某些便攜式應用而言電容變化不是問題, 但對于其他應用, 每次脈沖時電容必須相同。對于這些應用,可將Z 二極管連接到電源電壓, 例如USB 端口的Vbus, 在這里電源電壓可對Z 二極管進行充電, 這兩個PN 二極管仍保持在反向模式下, 從而使電容保持在最低水平。
圖2 所示的二極管陣列添加了VBUS054B 一HS3總線端口保護, 可保護雙高速USB 端口, 以防瞬態(tài)電壓信號。該陣列對略低于接地電平的負瞬態(tài)進行鉗位, 同時在略高于5V工作電壓范圍對正瞬態(tài)進行鉗位。
圖2 VBUS054B 一HS3總線端口保護陣列可保護高速USB端口" title="USB端口">USB端口, 以防瞬態(tài)電壓信號
Z 二極管將電源線(在引腳5處為V BuS) 鉗位到引腳2地線, 而高速數據線D1+、D2+、D1-及D2一與引腳l、3、4及6相連。只要數據線上的信號電壓介于接地與Vbus電平之間, 低電容PN 二極管便會實現(xiàn)與V Bus、地線及其他數據線的極高隔離。但任何瞬態(tài)信號一超過該工作電壓范圍, 其中的一個P N 二極管便會恢復到正向模式, 并將該瞬態(tài)鉗位到接地或雪崩擊穿電壓電平。因此, VBUS054B 一HS3可提供士15 kV 的高ESD 抗擾性, 同時提供符合便攜式電子設備應用的低于lpF 的典型電容。
VBUS054B 一HS3是一種單芯片解決方案, 因此線路電容間的差別非常小。 這對于D-和D + 這兩條數據線而言非常重要, 因為該“數據線對”同時傳輸相同的數據脈沖, 但具有相反的極性。