《電子技術(shù)應用》
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兩種低噪聲放大器設(shè)計方法
摘要: 低噪聲放大器(LNA)是射頻收發(fā)機的一個重要組成部分,它能有效提高接收機的接收靈敏度,進而提高收發(fā)機的傳輸距離。因此低噪聲放大器的設(shè)計是否良好,關(guān)系到整個通信系統(tǒng)的通信質(zhì)量。本文以晶體管ATF54143為例,說明兩種不同低噪聲放大器的設(shè)計方法,其頻率范圍為2~2.2GHz;晶體管工作電壓為3V;工作電流為40mA;輸入輸出阻抗為50Ω。
Abstract:
Key words :

低噪聲放大器( LN A)是射頻收發(fā)機的一個重要組成部分, 它能有效提高接收機的接收靈敏度, 進而提高收發(fā)機的傳輸距離。因此低噪聲放大器的設(shè)計是否良好,關(guān)系到整個通信系統(tǒng)的通信質(zhì)量。本文以晶體管ATF54143 為例, 說明兩種不同低噪聲放大器的設(shè)計方法, 其頻率范圍為2~ 2. 2 GHz;晶體管工作電壓為3 V;工作電流為40 mA; 輸入輸出阻抗為50Ω。

1 定性分析

1. 1 晶體管的建模

通過網(wǎng)絡(luò)可以查閱晶體管生產(chǎn)廠商的相關(guān)資料, 可以下載廠商提供的該款晶體管模型,也可以根據(jù)實際需要下載該管的S2P 文件。本例采用直接將該管的S2P文件導入到軟件中, 利用S 參數(shù)為模型設(shè)計電路。如果是第一次導入, 則可以利用模塊SParams 進行S 參數(shù)仿真, 觀察得到的S 參數(shù)與S2P 文件提供的數(shù)據(jù)是否相同, 同時, 測量晶體管的輸入阻抗與對應的最小噪聲系數(shù), 以及判斷晶體管的穩(wěn)定性等, 為下一步驟做好準備。

1. 2 晶體管的穩(wěn)定性

對電路完成S 參數(shù)仿真后, 可以得到輸入/ 輸出端的mu 在頻率2~ 2. 2 GHz 之間均小于1, 根據(jù)射頻相關(guān)理論,晶體管是不穩(wěn)定的。通過在輸出端并聯(lián)一個10 Ω和5 pF 的電容, m2 和m3 的值均大于1, 如圖1,圖2 所示。晶體管實現(xiàn)了在帶寬內(nèi)條件穩(wěn)定, 并且測得在2. 1 GHz 時的輸入阻抗為16. 827- j16. 041。同時發(fā)現(xiàn), 由于在輸出端加入了電阻, 使得Fmin由0. 48 增大到0. 573,Topt 為0. 329 ∠125. 99°, Zopt = ( 30. 007 +j17. 754) Ω 。其中, Topt 是最佳信源反射系數(shù)。

圖1 利用模塊SParams 進行仿真的電路原理圖

圖2 輸入/ 輸出mu 與頻率的關(guān)系

1. 3 制定方案

如圖3 所示, 將可用增益圓族與噪聲系數(shù)圓族畫在同一個Ts 平面上。通過分析可知, 如果可用增益圓通過最佳噪聲系數(shù)所在點的位置, 并根據(jù)該點來進行輸入端電路匹配的話, 此時對于LNA 而言, 噪聲系數(shù)是最小的, 但是其增益并沒有達到最佳放大。因此它是通過犧牲可用增益來換取的 。在這種情況下, 該晶體管增益可以達到14 dB 左右, Fmin 大約為0. 48, 如圖3 所示。

另一種方案是在可用增益和噪聲系數(shù)之間取得平衡, 以盡可能用小噪聲匹配為目標,采用在兼顧增益前提下的設(shè)計方案。在這種情況下該晶體管增益大約為15 dB左右, Fmin大約為0. 7( 見圖3) 。這個就是本文中提到的第2 種方案。

圖3 同一個Ts 平面上的可用增益圓族與噪聲系數(shù)圓族。

2 以最佳噪聲系數(shù)為設(shè)計目標方案的仿真

2. 1 輸入匹配電路設(shè)計

對于低噪聲放大器, 為了獲得最小的噪聲系數(shù), Ts有個最佳Topt 系數(shù)值, 此時LNA 達到最小噪聲系數(shù), 即達到最佳噪聲匹配狀態(tài)。當匹配狀態(tài)偏離最佳位置時,LNA 的噪聲系數(shù)將增大。前面定性分析中已經(jīng)獲得Topt= 0. 329∠125. 99°, 以及對應的Zopt = 30. 007 +j17. 754 Ω 。下面可以利用ADS 的Passive CIRcuit / MicorST rip Co nt ro lWindow 這個工具, 自動生成輸入端口的匹配電路。

在原理圖中添加一個DA_SSMatch1 的智能模塊,然后修改其中的設(shè)置: F = 2. 1 GH z, Zin= 50Ω。值得注意的是, 利用該工具生成匹配電路時, Zload 是Zopt 的共軛。設(shè)置完畢后,再添加一個MSub 的控件, 該控件主要用于描述基板的基本信息,修改其中的設(shè)置為H =0. 8 mm, Er = 4. 3,Mur = 1, CONd= 5. 88 × 107 ,H u =1. 0e+ 33 mm, T = 0. 03 mil。設(shè)置完后, 即可進行自動匹配電路的生成,結(jié)果電路如圖4 所示。

圖4 輸入端口的匹配電路

將輸入匹配電路添加到圖1 后再進行S 參數(shù)的仿真??梢钥吹?, 最佳噪聲系數(shù)Topt 的位置由于輸入匹配電路的加入而成功匹配到50Ω的位置。

2. 2 輸出端匹配電路設(shè)計

根據(jù)最大功率增益原則進行輸出端匹配電路的設(shè)計( 考慮到輸出穩(wěn)定電路的存在,對輸出阻抗的影響, 在進行輸出阻抗測量時要把穩(wěn)定電路計算在內(nèi)) , 即將輸出阻抗( Zout= 8. 055- j8. 980, 如圖5 所示) 使用上述的方法匹配到50 Ω 。得到的輸出端匹配電路如圖6所示。

圖5 輸出阻抗匹配

圖6 輸出端匹配電路

2. 3 仿真結(jié)果

觀察最后的仿真結(jié)果可以看到, 增益為14. 4 dB;噪聲系數(shù)為0. 586, 這與穩(wěn)定后的晶體管最佳噪聲系數(shù)0. 573非常接近, 且增益平坦度低, 穩(wěn)定性能優(yōu)異。具體性能指標如圖7 所示。

圖7 原理圖仿真數(shù)據(jù)

3 以噪聲系數(shù)為主兼顧增益為設(shè)計目標方案的仿真

3. 1 輸入匹配電路設(shè)計

如果選擇基板材料為環(huán)氧玻璃FR4 基板, 介電常數(shù)為4. 3, 厚度為0. 8 mm, 則2. 1 GHz 時的晶體管輸入阻抗為16. 827- j16. 041。采用上述匹配電路生成方法, 輸入匹配電路采用A DS 設(shè)計向?qū)е械膯沃Ч?jié)模塊來設(shè)計??梢院芸斓玫綀D8 中的匹配電路。如圖9 所示, 圖中m6 = 50( 0. 927+ j0. 001) 。與50Ω的非常接近, 所以得出的輸入端匹配情況比較合理。

圖8 輸入匹配電路

圖9 加入輸入匹配電路后的S 11 的smit h 原圖

3. 2 輸出匹配電路設(shè)計

在完成輸入匹配電路設(shè)計之后, 可以對輸出匹配電路進行設(shè)計。在此充分發(fā)揮CAD 軟件的優(yōu)勢, 借助優(yōu)化的方法來實現(xiàn)?;具^程如下:

將輸入匹配電路的結(jié)果添加到圖10 中,并在晶體管輸出端添加如圖所示的微帶。調(diào)出優(yōu)化控件, 并將優(yōu)化的目標設(shè)置為dB ( S ) 11))為- 20, dB (S ( 22)) 為- 15。

在優(yōu)化開始時, 先將T L1, T L2, TL3 寬度設(shè)置為61. 394 mil, 這是為了保障在考慮到板材、板材厚度等因素下微帶線的特性阻抗為50 Ω。預設(shè)T L1, T L2,TL3 的長度, 優(yōu)化一次后, 刷新結(jié)果, 觀察各種圖表的指標是否更好, 數(shù)值是否達到設(shè)置的最大值, 如果達到最大值, 再次改變設(shè)置值重新優(yōu)化。反復多次后, 將會達到再次改變這幾個數(shù)值, 若改變后對于各種指標作用不大,可以嘗試改變電阻和輸入匹配的數(shù)值再進行優(yōu)化。

通過多次調(diào)試發(fā)現(xiàn), R1 設(shè)為15Ω, 以及加上TL7后, 增益和噪聲系數(shù)以及輸入輸出駐波比效果更好。仿真電路原理圖及優(yōu)化控件和目標控件如圖10 所示。

圖10 仿真電路原理圖及優(yōu)化控件和目標控件

3. 3 仿真結(jié)果

觀察最后的仿真結(jié)果可以看到, 增益為15. 816 dB;噪聲系數(shù)為0. 708, 該指標均比定性分析時的都要好,其他性能指標如圖11 所示。

圖11 原理圖仿真數(shù)據(jù)

4 結(jié) 語

通過對晶體管進行定性分析, 可以根據(jù)實際需要選擇低噪聲前置放大器的設(shè)計方案,第一種方案的最佳噪聲系數(shù)是以犧牲增益而得到的; 第二種方案是以提高噪聲系數(shù)為代價,降低駐波比VSWR 的值得到的。2 種方法利用計算機輔助設(shè)計工具均可以快速實現(xiàn), 各有各自的存在價值, 這在很多場合都得到了應用。

 


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