《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設(shè)計 > 業(yè)界動態(tài) > Vishay Siliconix 推出的新型TrenchFET 功率 MOSFET實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

Vishay Siliconix 推出的新型TrenchFET 功率 MOSFET實現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

新型器件采用 SO-8 封裝,具有 3.3 m?(在 10 V 時)及 5.5 m?(在 4.5 V 時)的優(yōu)異性能
2008-12-23
作者:Vishay Intertech

?

日前,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE 股市代號: VSH)日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si7633DPSi7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻" title="導(dǎo)通電阻">導(dǎo)通電阻。?

?

現(xiàn)有的同類 SO-8 封裝器件" title="封裝器件">封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至 24 m? ,而VishaySi7633DP 具有 3.3 m? (在 10 V 時)及 5.5 m? (在4.5 V 時)的超低導(dǎo)通電阻。這些值比最接近的同類 30-V 器件低 27%(在 10 V 時)和 28% (在4.5 V 時),比最接近的同類 25-V SO-8 器件分別低 ?28% 和 15%。30-V Si7135DP 的導(dǎo)通電阻為 3.9 m?(在 10 V 時) 和 ?6.2 m?(在4.5 V 時),比最接近的同類器件分別低 13% (在 10 V 時)和 19.5% (在4.5 V 時)。?

?

這次推出的兩款 MOSFET均采用 PowerPAK SO-8 封裝,可容許比其它 SO-8 封裝器件高 60% 最大" title="最大">最大漏電流和高 75 % 的最大功率損耗。?

?

這兩款新型器件可用作適配器切換開關(guān),用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。適配器切換開關(guān)(在適配器/墻壁電源和電池電源間切換)一直處于導(dǎo)通狀態(tài),消耗電流。Si7633DP Si7135DP的低導(dǎo)通電阻能耗低,節(jié)省電力并延長兩次充電間的電池可用時間。?

Vishay 還推出了采用 SO-8 封裝的 Si4459ADY 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET。該器件具有 5 m?(在 10 V 時)和 7.75 m?(在4.5 V 時)的導(dǎo)通電阻。此次推出的所有器件 100% 通過 Rg 和 UIS 認(rèn)證,且不含鹵素。?

?

目前,該新型Si7633DPSi7135DP TrenchFET 功率 MOSFET可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂單的供貨周期為 10 12 周。?

【可從以下網(wǎng)址下載高分辨率圖像 (<500K) http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=448?

?

VISHAY SILICONIX簡介?

Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機(jī)、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計算機(jī)磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix硅技術(shù)" title="硅技術(shù)">硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑,包括在業(yè)內(nèi)建成第一個" title="第一個">第一個基于槽硅工藝(TrenchFET)的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT)。?

創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù),例如被設(shè)計用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負(fù)荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù),以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK) 和更小空間(ChipFET,MICRO FOOT)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外,Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計算機(jī)、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件,而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。?

Siliconix創(chuàng)建于1962年,在1996Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。?

?

VISHAY簡介?

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息,敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。?

PowerPAK TrenchFET Siliconix incorporated 的注冊商標(biāo)。?

?

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。