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恒憶(NUMONYX)針對無線通信、嵌入式系統(tǒng)和存儲器市場推出新系列NAND閃存

新產品定位于高密度eMMC和microSD解決方案;采用先進的41nm制造工藝
2008-12-18
作者:恒憶
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以提供完整的NOR、NAND、RAM和PCM(相變移位存儲器)解決方案為己任,恒憶" title="恒憶">恒憶公司(Numonyx)針對無線通信、嵌入式設計和數(shù)據(jù)存儲市場推出新系列NAND閃存產品。新系列產品包括32Gb" title="32Gb">32Gb(gigabits)的多級單元 (MLC) NAND閃存、32GB(gigabytes)的eMMC存儲芯片和高達8 GB的 microSD產品,全部采用先進的41nm制造工藝。對于手機、便攜導航儀等消費電子產品廠商,這些新產品將是一系列易于設計的存儲器解決方案;對于消費者,新產品將提供更大的存儲空間,他們可以在設備上保存相片、視頻和音樂,使用流行的多媒體應用程序。?

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從機頂盒到手機,凡是消費電子產品都要儲存大量的數(shù)據(jù),因此,NAND閃存繼續(xù)成為半導體行業(yè)中最大的市場之一。今天發(fā)布的新產品為恒憶帶來突出的競爭優(yōu)勢,擴展了領先的基于MLC(多級單元)、SLC(單級單元)技術的NAND閃存、以及Managed NAND閃存和NAND存儲卡" title="存儲卡">存儲卡,壯大了存儲子系統(tǒng)解決方案,包括多片封裝、軟件和固件單元。?

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“經過我們的不懈努力,恒憶的NAND閃存產品迅速達到了市場領先水平,”恒憶公司副總裁兼數(shù)據(jù)業(yè)務部總經理Fabio Gualandris表示,“通過推出新的41nm工藝的NAND產品,恒憶將會給無線通信和嵌入式設計客戶帶來更高的價值,為數(shù)據(jù)存儲專用閃存市場提供先進的技術和高容量存儲器。配合使用恒憶的NOR產品和低成本的DRAM,恒憶為相關應用提供了存儲容量與技術最優(yōu)的組合?!?/SPAN> ?

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Numonyx NAND:廣泛的產品組合,先進的制造技術 ?

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今天發(fā)布的產品意味著恒憶把先進的41nm工藝的應用到了客戶需要的產品解決方案和深受市場歡迎的各種容量的存儲器中,產品包括16Gb32Gb的單片封裝和多片封裝的MLC產品, 2GB32GBeMMC Managed NAND產品以及2GB8GBmicroSD移動存儲卡。恒憶還推出一款48nm SLC 1Gb NAND產品,為嵌入式和無線應用客戶提供性能更優(yōu)、更安全、使用壽命" title="使用壽命">使用壽命更長的存儲解決方案。 ?

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滿足市場對高密度Managed NAND的需求 ?

為了滿足市場對Managed NAND產品的需求恒憶推出了41nm Managed NAND存儲設備。新產品具有管理NAND存儲器所需的基本控制功能,非常適合全球定位系統(tǒng)以及其它需要大量存儲管理的設備。多功能手機廠商將從整合Managed NAND和RAM的多芯片封裝中受益。?

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在目前競爭解決方案中,恒憶的32GB eMMC是當前市場上存儲容量最高的解決方案,而且完全兼容4.3版的JEDEC eMMC標準,可以大幅度簡化設備廠商的產品開發(fā)設計。eMMC 32GB可以保存多達16000張高分辨率數(shù)碼相片、8000首歌曲和長達20小時的高清視頻。新的32GB嵌入式閃存集成8顆32Gb NAND閃存芯片,集成一個專用控制器。額定工作溫度范圍 -25 °C到+85 °C,并支持1.7V-1.95V和 2.7V-3.6V雙電壓電源,可滿足無線產品等電池供電的移動設備對電源的要求。32GB容量的產品的樣片將于2009年1月上市。?

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恒憶的microSD解決方案給數(shù)據(jù)存儲帶來更多選擇?

隨著移動用戶對數(shù)字內容的需求日益增長,很多手機廠商給手機增加了一個 microSD存儲卡。迎合這種需求,恒憶將為無線客戶提供2GB到 8GB的microSD存儲卡。MicroSD存儲卡是為有插槽的舊式手機設計的,最大存儲容量為2GB。今天的microSDHC 存儲卡分為4GB8GB (SDA Speed Class 6)兩類特別適合新型手機,大多數(shù)新型手機都兼容這種大容量存儲卡。 ?

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恒憶48nm 1Gb SLC NAND閃存提高安全性、讀寫速度和使用壽命?

為了幫助用戶防止數(shù)據(jù)被惡意篡改,預防應用程序被意外修改,恒憶48nm 1Gb SLC NAND增加一個128 KB的一次性可編程(OTP)區(qū)塊,確保存放在這個位置的數(shù)據(jù)不會被修改或破壞。此外,恒憶的1 Gb SLC NAND還大幅度提高了存儲器的性能,把數(shù)據(jù)讀取速度提高了一倍,從原來的每秒13MB提到現(xiàn)在的每秒26MB?;?8nm工藝,恒憶1 GbSLC NAND程序運行速度是90nm" title="90nm">90nm產品的4倍,擦除操作是90nm產品的8倍,使產品的性能更強,用戶的使用體驗更好。?

為了延長存儲器的使用壽命,恒憶1 Gb SLC NAND提供了標準的每528字節(jié)地址空間1位ECC的選項,需要1位EEC校驗功能的應用無需升級軟件或修改硬件,就能輕松升級到1位ECC校驗。 恒憶48nm? 1Gb? NAND產品采用300mm技術生產,為客戶提供穩(wěn)定供貨。樣片目前已經上市。??

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