一種二階溫度補(bǔ)償?shù)腃MOS帶隙基準(zhǔn)電路
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aet
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文檔介紹：提出了一種可用于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝下且具有二階溫度補(bǔ)償電路的帶隙基準(zhǔn)源。所采用的PTAT2電流電路是利用了飽和區(qū)MOSFET的電流特性產(chǎn)生的，具有完全可以與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容的優(yōu)點(diǎn)。針對(duì)在該工藝和電源電壓下傳統(tǒng)的啟動(dòng)電路難以啟動(dòng)的問(wèn)題，引入了一個(gè)電阻，使其可以正常啟動(dòng)。基準(zhǔn)核心電路中的共源共柵結(jié)構(gòu)和串聯(lián)BJT管有效地提高了電源抑制比，降低了溫度系數(shù)?；赥SMC 0.35 μｍ CMOS工藝運(yùn)用HSPICE軟件進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。仿真結(jié)果表明，在3.3 V供電電壓下，輸出基準(zhǔn)電壓為1.225 4 V，溫度系數(shù)為2.91×10-6V/℃，低頻的電源抑制比高達(dá)96 dB，啟動(dòng)時(shí)間為7 μs。
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