高電源抑制比低溫漂帶隙基準(zhǔn)源設(shè)計
所屬分類：技術(shù)論文
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文檔介紹：設(shè)計并實現(xiàn)了一種新的高PSRR、低TC帶隙基準(zhǔn)源。重點研究了帶隙基準(zhǔn)源電源抑制能力，尤其是高頻PSRR，達到寬頻帶范圍PSRR高性能指標(biāo)。采用0.35 μm BiCMOS工藝進行仿真，結(jié)果表明，PSRR在1 Hz頻率下達-108.5 dB，在15 MHz頻率下達-58.9 dB；采用二次溫漂補償電路使得帶隙基準(zhǔn)源常溫下輸出參考電壓1.183 V，在-40 ℃~95 ℃溫度范圍內(nèi)，溫漂系數(shù)低達1.5 ppm/℃。
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