| 功率MOS管RDS(on)负温度系数对负载开关设计的影响 | |
| 所屬分類:技术论文 | |
| 上傳者:aet | |
| 文檔大?。?span>296 K | |
| 標(biāo)簽: 开关|稳压 | |
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| 文檔介紹:介绍了功率MOS管导通电阻的正温度系数和负温度系数的双重特性以及相对应的VGS的转折电压,负载开关电路通过延长米勒平台的时间来限制输入浪涌电流的工作特点。分析了由于米勒平台工作于负温度系数区域,产生的开关损耗导致局部热不平衡从而形成局部热点的原因。实验结果表明,减小输出电容、提高功率MOS管的散热能力,可以提高系统的可靠性。 | |
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