功率MOS管RDS(on)負(fù)溫度系數(shù)對(duì)負(fù)載開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)的影響
所屬分類(lèi)：技術(shù)論文
上傳者：aet
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標(biāo)簽： 開(kāi)關(guān)|穩(wěn)壓
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文檔介紹：介紹了功率MOS管導(dǎo)通電阻的正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)的雙重特性以及相對(duì)應(yīng)的VGS的轉(zhuǎn)折電壓，負(fù)載開(kāi)關(guān)電路通過(guò)延長(zhǎng)米勒平臺(tái)的時(shí)間來(lái)限制輸入浪涌電流的工作特點(diǎn)。分析了由于米勒平臺(tái)工作于負(fù)溫度系數(shù)區(qū)域，產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗導(dǎo)致局部熱不平衡從而形成局部熱點(diǎn)的原因。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，減小輸出電容、提高功率MOS管的散熱能力，可以提高系統(tǒng)的可靠性。
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