一種基于MEMS傳感器基準(zhǔn)電流源設(shè)計(jì) | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:aet | |
文檔大?。?span>326 K | |
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文檔介紹:基于微機(jī)電系統(tǒng)傳感器工作原理,提出了一種應(yīng)用于MEMS傳感器系統(tǒng)的低溫度系數(shù)和高電源抑制比基準(zhǔn)電流源設(shè)計(jì)方案。在研究傳統(tǒng)Widlar型基準(zhǔn)電流源結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上,運(yùn)用BJT小信號(hào)模型分析,得出通過增大反饋環(huán)路增益來提高PSRR的結(jié)論。 | |
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