解读功率电子技术发展趋势——飞兆半导体与PCIM China 2010大放异彩
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標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：2010年6月1日～3日在上海举办的PCIM China 2010展会上，来自飞兆半导体的技术专家与业内人士共聚一堂，分享了最新成果，并于同期研讨会上阐述了功率电子技术的最新发展状况和未来的发展趋势。
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