150V低RDS(ON) MOSFET器件FDMS86200
所屬分類：參考設(shè)計(jì)
上傳者：serena
文檔大?。?span>211 K
標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：飛兆半導(dǎo)體公司推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設(shè)計(jì)人員對(duì)具有較低開關(guān)損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產(chǎn)品的需求。該器件利用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的工藝技術(shù)和封裝技術(shù)，以及系統(tǒng)專有技術(shù)，并采用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。
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