新型500V N沟道功率MOSFET
所屬分類：参考设计
上傳者：serena
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標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0.555Ω，栅极电荷减小为48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封装。
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