Vishay Siliconix新款ThunderFET?功率MOSFET
所屬分類：參考設計
上傳者：serena
文檔大?。?span>121 K
標簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出采用針對更高電壓器件優(yōu)化的新型低導通電阻技術的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅動下就能導通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強型PowerPAK® SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導通電阻。在4.5V柵極驅動下，該器件的典型導通電阻與柵極電荷的乘積為161，該數(shù)值是DC-DC轉換器應用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM，單位是nC-mΩ)。
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