Vishay Siliconix新款ThunderFET™功率MOSFET
所屬分類(lèi)：参考设计
上傳者：serena
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標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用热增强型PowerPAK® SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下，该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161，该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM，单位是nC-mΩ)。
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