LFPAK封裝MOSFET的散熱設計指南
所屬分類：參考設計
上傳者：serena
文檔大小：333 K
標簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：在設計功率場效應管MOSFET時，散熱設計是一個必須考慮的問題，特別是針對工作在高溫環(huán)境下的MOSFET器件，散熱設計尤其重要。本應用指南描述了幾種不同的方法，這些方法可在設計階段使用，以確保印刷電路板的布局提供最佳的熱性能。
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