LFPAK封装MOSFET的散热设计指南
所屬分類：参考设计
上傳者：serena
文檔大小：333 K
標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：在设计功率场效应管MOSFET时，散热设计是一个必须考虑的问题，特别是针对工作在高温环境下的MOSFET器件，散热设计尤其重要。本应用指南描述了几种不同的方法，这些方法可在设计阶段使用，以确保印刷电路板的布局提供最佳的热性能。
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