功率场效应晶体管MOSFET的单次及重复性雪崩耐量分析
所屬分類：技术论文
上傳者：serena
文檔大小：71 K
標簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：通常，功率场效应晶体管MOSFET的崩溃效应的评估皆以单一脉冲UIS 为基准。本应用笔记对雪崩耐量进行了详细分析，并在安全操作条件下，尝试对UIS能量进行了适当的量化。
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