功率場效應晶體管MOSFET的單次及重復性雪崩耐量分析
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：serena
文檔大小：71 K
標簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：通常，功率場效應晶體管MOSFET的崩潰效應的評估皆以單一脈沖UIS 為基準。本應用筆記對雪崩耐量進行了詳細分析，并在安全操作條件下，嘗試對UIS能量進行了適當?shù)牧炕?
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