功率场效应晶体管MOSFET的单次及重复性雪崩耐量分析
所屬分類(lèi)：技术论文
上傳者：serena
文檔大?。?span>71 K
標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件
所需積分：0分積分不夠怎么辦？
文檔介紹：通常，功率场效应晶体管MOSFET的崩溃效应的评估皆以单一脉冲UIS 为基准。本应用笔记对雪崩耐量进行了详细分析，并在安全操作条件下，尝试对UIS能量进行了适当的量化。
現(xiàn)在下載
VIP會(huì)員，AET專(zhuān)家下載不扣分；重復(fù)下載不扣分，本人上傳資源不扣分。