Si7625DN数据手册
所屬分類：参考设计
上傳者：serena
文檔大?。?span>126 K
標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出首款采用PowerPAK® 1212-8封装的30V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在这种电压等级和3.3mmx3.3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。
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