Si7625DN數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
所屬分類:參考設(shè)計(jì) | |
上傳者:serena | |
文檔大小:126 K | |
標(biāo)簽: MOS|IGBT|元器件 | |
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文檔介紹:Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)推出首款采用PowerPAK® 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級(jí)和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中,該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。 | |
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