SE9435_P沟道增强型功率MOSFET_SINO-IC
所屬分類：白皮书
上傳者：serena
文檔大小：344 K
標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：参数：VDS = -30 V ●ID = -5.3 A ●RDS(ON) = 0.050 Ω @VGS = -10V ●Low gate charge. ●Fast switching speed. ●Extremely low RDS(ON) ●High power and current handling capability ●SE9435兼顾了快速开关能力、低导通电阻和成本。
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