“单正向”栅驱动IGBT简化驱动电路
所屬分類：技术论文
上傳者：serena
文檔大?。?span>467 K
標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件
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文檔介紹：单正向栅驱动IGBT是器件发展的巨大进步。IRGP30B120KD-E的CRES 值很低，在单正向栅驱动条件下，其开关性能非常理想。器件不需要负偏置栅驱动便能可靠关断，即使在集电极的dV/dt为3V/ns。与单片式栅驱动器的兼容性更为桥式变换器和交流电机驱动提供更优越和成本更低的解决方案。所以我们期望这些先进的IGBT能为新的IC设计提供更大的优势。
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