DC-DC變換器中一種高性能振蕩電路的設(shè)計(jì) | |
所屬分類(lèi):技術(shù)論文 | |
上傳者:aet | |
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文檔介紹:采用UMC 0.6μm BCD工藝,設(shè)計(jì)了一種高性能雙頻振蕩電路,并成功地將其應(yīng)用于一款高效率、寬輸入電壓范圍的DC-DC降壓型開(kāi)關(guān)變換器中。該電路作為整個(gè)芯片的核心模塊之一,采用雙電容充放電技術(shù)和RS觸發(fā)機(jī)制,實(shí)現(xiàn)方波信號(hào)高、低電平時(shí)間精確可控。仿真結(jié)果表明,在考慮偏置電流、電源電壓、溫度以及MOSFET工藝波動(dòng)的容差時(shí),該振蕩器的正常工作頻率和占空比的最大偏差分別為7%和5%。 | |
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