SK啟方半導體推出第四代0.18微米BCD工藝

9月11日電，韓國8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導體（SK keyfoundry）宣布推出其第四代0.18微米BCD工藝，性能較之前的第三代提升了約20%。SK啟方方面表示，公司期望第四代0.18微米BCD工藝能夠幫助延長移動設備的電池壽命、通過減少發(fā)熱實現(xiàn)穩(wěn)定的性能，并通過提高汽車用功率半導體的能源效率來改善整體性能。

發(fā)表于：9/11/2024

豐田固態(tài)電池生產(chǎn)計劃獲得日本政府批準

豐田固態(tài)電池生產(chǎn)計劃獲得日本政府批準，2026 年啟動生產(chǎn)

發(fā)表于：9/11/2024

SpaceX執(zhí)行首次私人太空行走任務的載人飛船發(fā)射升空

SpaceX：執(zhí)行首次私人太空行走任務的載人飛船發(fā)射升空 9 月 10 日消息，馬斯克旗下太空探索技術公司 SpaceX 今日宣布，搭載 " 北極星黎明 "（Polaris Dawn）任務 4 名私人航天員的飛船發(fā)射升空。

發(fā)表于：9/11/2024

8月我國動力電池裝車量達47.2GWh

8月我國動力電池裝車量47.2GWh，同比增長35.3% 2024 年 8 月國內(nèi)動力電池企業(yè)裝車量前十五名分別為：寧德時代、比亞迪、中創(chuàng)新航、國軒高科、欣旺達、億緯鋰能、蜂巢能源、愛爾集新能源（注：即 LG 新能源）、正力新能、瑞浦蘭鈞、極電新能源、孚能科技、耀寧新能源、多氟多、榮盛盟固利。

發(fā)表于：9/11/2024

上海提出5G-A發(fā)展明確目標

9月10日消息（岳明）近日，上海市通信管理局印發(fā)《上海市5G-A應用賦能“海上揚帆”升級行動計劃（2024—2026年）》，旨在推進5G向5G-A持續(xù)演進，提升上海市5G-A賦能千行百業(yè)應用水平，加快培育新質(zhì)生產(chǎn)力，持續(xù)賦能新型工業(yè)化，不斷增強上海經(jīng)濟社會高質(zhì)量發(fā)展新動能。

發(fā)表于：9/11/2024

Gartner發(fā)布2024年中國基礎設施戰(zhàn)略技術成熟度曲線

Gartner發(fā)布2024年中國基礎設施戰(zhàn)略技術成熟度曲線 Gartner于近日首次發(fā)布2024年中國基礎設施戰(zhàn)略技術成熟度曲線，該曲線收錄的21項技術主要覆蓋四大領域，分別是：自主可控計劃、AI 影響、運營效率以及基礎設施現(xiàn)代化。 Gartner研究總監(jiān)張吟鈴表示：“中國市場與全球市場雖然使用的技術相似，但由于IT運營成熟度不同、國產(chǎn)品牌使?傾向和地緣政治局勢緊張，中國企業(yè)在基礎設施采用偏好方面與國外同行相比存在顯著差異。企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的勢頭，加上國家戰(zhàn)略和?成式??智能（GenAI）對技術創(chuàng)新的影響，推動著中國基礎設施技術不斷進步。特別是，隨著自主可控計劃的出臺，國產(chǎn)技術對于增強企業(yè)乃至國家層面技術韌性和安全性的重要性與日俱增。” 張吟鈴表示：“今年，GenAI成為本技術成熟度曲線上唯?達到顛覆性影響?評級的創(chuàng)新，預計該技術將在二到五年內(nèi)成熟。同時，軟件定義廣域網(wǎng)（SD-WAN）將在未來兩年內(nèi)成熟，可以顯著降低基礎設施廣域網(wǎng)服務的資本性支出（capex）和運營成本?！?/a>

蘋果公布新一代超瓷晶面板

蘋果公布新一代超瓷晶面板：iPhone 16 / Pro 系列已應用，硬度較初代提升 50%

發(fā)表于：9/10/2024

龍芯3B6600桌面處理器預計明年上半年流片

龍芯 3B6600 桌面處理器預計明年上半年流片，單核性能處于“世界領先行列”

發(fā)表于：9/10/2024

Mobileye放棄下代第一方調(diào)頻連續(xù)波激光雷達開發(fā)

9 月 10 日消息，英特爾控股的自動駕駛企業(yè) Mobileye 當?shù)貢r間昨日宣布放棄內(nèi)部開發(fā)下一代用于自動駕駛系統(tǒng)的調(diào)頻連續(xù)波（Frequency Modulated Continuous Wave）激光雷達。 Mobileye 表示終止下代 FMCW 激光雷達的開發(fā)是因為這一設備對其解放雙眼 Eyes-off 自動駕駛系統(tǒng)的規(guī)劃重要性下降，而這是 EyeQ6 系統(tǒng)計算機視覺感知能力明顯提升、內(nèi)部成像雷達清晰度提升與第三方 ToF 激光雷達成本降低幅度大于預期三者的共同作用。

發(fā)表于：9/10/2024

消息稱其臺積電首臺High NA EUV光刻機遠低于ASML3.5億歐元報價

9月10日消息，繼英特爾搶先于2024年4月宣布完成業(yè)界首臺高數(shù)值孔徑極紫外（High NA EUV）光刻機組裝后，臺積電竹科園區(qū)將于 9 月底前引進其首臺高數(shù)值孔徑極紫外光刻機，較外界所猜測的年底時間點提前一整個季度。 Digitimes 報道稱，臺積電首部 High NA EUV 設備的購入價格遠低于原定的 3.5 億歐元（注：當前約 27.55 億元人民幣）報價。 據(jù)稱，臺積電之所以可以享受折扣，主要是因為 ASML 給出了很大讓步（畢竟臺積電可是超級 VIP），全力協(xié)助臺積電進機、調(diào)校與技術支援等，加速上線時間點，也就是此臺主要目的為臺積電試用。ASML 對此則表示，不評論單一客戶。

發(fā)表于：9/10/2024