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“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會代表提案的關(guān)鍵詞

“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會代表提案的關(guān)鍵詞

今年的兩會已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡(luò)安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問題已對國家、社會及個人造成巨大威脅。下面就一起看看對于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。

上半年國內(nèi)乘用車座艙芯片交付榜公布

8月13日消息，根據(jù)高工智能汽車研究院最新發(fā)布的《2024上半年中國市場乘用車座艙芯片交付量TOP10》榜單。華為海思作為本土品牌，在激烈的市場競爭中表現(xiàn)出色，成功躋身前十，交付量達(dá)到225898輛，市場份額為1.42%。

發(fā)表于：2024/8/13

復(fù)旦團(tuán)隊(duì)國際首次驗(yàn)證超快閃存集成工藝

8 月 13 日消息，據(jù)復(fù)旦大學(xué)官方今日消息，人工智能的飛速發(fā)展迫切需要高速非易失存儲技術(shù)。當(dāng)前主流非易失閃存的編程速度在百微秒級，無法支撐應(yīng)用需求。復(fù)旦大學(xué)周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)前期研究表明二維半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠?qū)⑺俣忍嵘磺П兑陨?，?shí)現(xiàn)顛覆性的納秒級超快存儲閃存。然而，如何實(shí)現(xiàn)規(guī)模集成、走向?qū)嶋H應(yīng)用極具挑戰(zhàn)。從界面工程出發(fā)，復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國際上首次驗(yàn)證了 1Kb 超快閃存陣列集成驗(yàn)證，并證明了超快特性可延伸至亞 10 納米尺度。北京時間 8 月 12 日下午 5 點(diǎn)，相關(guān)成果以《二維超快閃存的規(guī)模集成工藝》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）為題發(fā)表于國際頂尖期刊《自然-電子學(xué)》（Nature Electronics），DOI: 10.1038 / s41928-024-01229-6。

發(fā)表于：2024/8/13

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

把兩塊芯片壓成一塊：EUV以來半導(dǎo)體制造的最大創(chuàng)新

發(fā)表于：2024/8/13

網(wǎng)信辦：我國備案上線可提供服務(wù)生成式AI大模型達(dá)190多個

網(wǎng)信辦：我國備案上線可提供服務(wù)生成式AI大模型達(dá)190多個8月12日，新華社對中央網(wǎng)信辦主任莊榮文的訪談文章引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注，特別是莊榮文對積極推動生成式人工智能發(fā)展和管理方面的問答。莊榮文有提到，近年來，生成式人工智能快速發(fā)展，新技術(shù)不斷突破，新業(yè)態(tài)持續(xù)涌現(xiàn)，為經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展注入了強(qiáng)勁動能。

發(fā)表于：2024/8/13

傳臺積電將在高雄建設(shè)1.4nm晶圓廠

因應(yīng)全球芯片訂單及AI快速發(fā)展，臺積電持續(xù)尋覓可用廠區(qū)土地，將最先進(jìn)制程技術(shù)留在臺灣發(fā)展。高雄楠梓園區(qū)除3座2納米技術(shù)晶圓廠外，還有基地可容納2納米以下技術(shù)設(shè)廠需求。據(jù)悉，高雄市府已超前部署，鎖定A14（14埃米）制程，盤點(diǎn)次世代先進(jìn)技術(shù)生產(chǎn)土地及水電供給，作為臺積電堅(jiān)強(qiáng)后盾。針對臺積電將于高雄擴(kuò)大埃米制程布局，公司低調(diào)表示不回應(yīng)市場傳言。

發(fā)表于：2024/8/13

禾賽科技被移除出美國防部黑名單

中國激光雷達(dá)企業(yè)被移除出美國防部黑名單

發(fā)表于：2024/8/13

消息稱三星電子確認(rèn)平澤P4工廠1c nm DRAM內(nèi)存產(chǎn)線投資

8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃，該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報(bào)道中稱，三星電子計(jì)劃在今年底啟動 1c nm 內(nèi)存生產(chǎn)。

發(fā)表于：2024/8/13

美光加碼投資臺灣建立第二研發(fā)中心

美光總裁暨CEO Sanjay Mehrotra今年7月訪問中國臺灣，將帶來更進(jìn)一步合作，例如在人工智能（AI）應(yīng)用扮演重要角色的高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)悉，美光將加碼在中國臺灣投資，除制造HBM先進(jìn)制程外，不排除有機(jī)會在中國臺灣創(chuàng)建第二個研發(fā)中心。

發(fā)表于：2024/8/13

武漢光谷實(shí)驗(yàn)室研發(fā)量子點(diǎn)光刻膠

8 月 13 日消息，武漢光谷實(shí)驗(yàn)室宣布與華中科技大學(xué)等研究團(tuán)隊(duì)合作研發(fā)出高性能量子點(diǎn)光刻膠（QD-PR），其藍(lán)光轉(zhuǎn)換效率達(dá)到 44.6%（綠色）和 45.0%（紅色），光刻精度達(dá)到 1 μm，各項(xiàng)性能指標(biāo)為行業(yè)領(lǐng)先水平。

發(fā)表于：2024/8/13

日本研究團(tuán)隊(duì)提出EUV光刻新方案

日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍，成本將大幅降低！

發(fā)表于：2024/8/13