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安謀科技“星辰”STAR-MC3發(fā)布

安謀科技“星辰”STAR-MC3發(fā)布

日前，安謀科技Arm China發(fā)布“星辰”STAR-MC3 CPU IP解析長(zhǎng)圖，清晰展現(xiàn)了該產(chǎn)品的五大亮點(diǎn)、核心應(yīng)用領(lǐng)域與“星辰”CPU IP系列產(chǎn)品圖譜。

一種自動(dòng)調(diào)零應(yīng)變信號(hào)調(diào)理器的設(shè)計(jì)

使用電阻應(yīng)變片測(cè)量物體的承受載荷情況是最常用的測(cè)量方法。受電阻應(yīng)變片個(gè)體操作差異性、傳輸線路損耗、溫度漂移等因素的影響，初始零位的固定對(duì)實(shí)際測(cè)量數(shù)據(jù)的讀取有重要的意義。基于STM32微控制器，配合多種電子元器件，設(shè)計(jì)出了一種具有自動(dòng)調(diào)零能力的應(yīng)變信號(hào)調(diào)理電路，完全實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化，方便快捷，提高了調(diào)零精度。

發(fā)表于：8/12/2016

便攜式腦功能近紅外信號(hào)采集傳輸系統(tǒng)設(shè)計(jì)

設(shè)計(jì)了一套新型便攜式腦功能近紅外信號(hào)采集傳輸系統(tǒng)。根據(jù)功能近紅外光譜技術(shù)（functional Near-infrared Spectroscopy, fNIRS）檢測(cè)腦血氧濃度原理，使用雙波長(zhǎng)的LED和光電傳感器作為探頭，可以對(duì)腦功能近紅外信號(hào)進(jìn)行實(shí)時(shí)采集傳輸，并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行顯示保存。該系統(tǒng)下位機(jī)采用STM32F407單片機(jī)和TI公司的ADS1299模擬前端集成構(gòu)成，體積小，功耗低，精度高，通過USB HID協(xié)議與上位機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，方便快速，避免了驅(qū)動(dòng)程序的開發(fā)。上位機(jī)程序利用VS2010進(jìn)行開發(fā)，調(diào)用與USB HID設(shè)備相關(guān)的Windows API函數(shù)，實(shí)現(xiàn)上位機(jī)與下位機(jī)之間的通信。

發(fā)表于：8/12/2016

貿(mào)澤電子任命田吉平女士為亞太區(qū)市場(chǎng)及商務(wù)拓展副總裁

2016年8月12日－半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂尖工程設(shè)計(jì)資源與授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）宣布，正式任命田吉平女士（Daphne Tien）為亞太區(qū)市場(chǎng)及商務(wù)拓展副總裁。

發(fā)表于：8/12/2016

達(dá)索2.2億歐元收購(gòu)電磁和電子仿真企業(yè)CST

近日，全球3D設(shè)計(jì)、3D數(shù)字樣機(jī)和產(chǎn)品全生命周期管理(PLM)解決方案、3D體驗(yàn)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者達(dá)索系統(tǒng)宣布達(dá)成以約2.2億歐元收購(gòu)電磁(EM)和電子仿真領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)CST - Computer Simulation Technology AG的最終協(xié)議。

發(fā)表于：8/12/2016

合肥DRAM工廠兆基科技2018年量產(chǎn)

IC Insights 10日發(fā)布研究報(bào)告，受到臺(tái)式電腦、筆記本電腦(兩者是DRAM最大的應(yīng)用市場(chǎng))出貨量下滑，以及平板電腦出貨萎縮、智能手機(jī)成長(zhǎng)趨緩的影響，DRAM庫(kù)存過剩，迫使供應(yīng)商大幅降低均價(jià)。

發(fā)表于：8/12/2016

中國(guó)量子計(jì)算獲新突破成功研發(fā)量子芯片

據(jù)央視新聞8月11日消息，量子芯片相當(dāng)于未來量子計(jì)算機(jī)的“大腦”，研制成功后可實(shí)現(xiàn)量子的邏輯運(yùn)算和信息處理。有了計(jì)算，量子的存儲(chǔ)及控制技術(shù)也必不可少。這款三明治型的固態(tài)量子存儲(chǔ)器，在低溫有磁場(chǎng)的輔助設(shè)備中才能工作。

發(fā)表于：8/12/2016

全球第二季DRAM總營(yíng)收小幅增長(zhǎng)6.3% 位元供給增加立功

最新報(bào)告顯示，由于市況供過于求，第二季DRAM的平均銷售單價(jià)持續(xù)下滑，整體均價(jià)季跌幅超過5%。然而，受惠于美光20納米及SK海力士21納米產(chǎn)出順利，帶動(dòng)位元供給增長(zhǎng)，使得第二季全球DRAM總營(yíng)收約91億美元，季增長(zhǎng)6.3%。

發(fā)表于：8/12/2016

解讀國(guó)家科技創(chuàng)新規(guī)劃振興半導(dǎo)體行業(yè)

8月8日，國(guó)務(wù)院印發(fā)“十三五”國(guó)家科技創(chuàng)新規(guī)劃，明確“十三五”時(shí)期科技創(chuàng)新的總體思路、發(fā)展目標(biāo)、主要任務(wù)和重大舉措。該規(guī)劃的重要程度不言而喻，它是未來一段時(shí)期國(guó)家在科技創(chuàng)新領(lǐng)域的重點(diǎn)專項(xiàng)規(guī)劃，對(duì)未來科技發(fā)展的主攻方向、科研重點(diǎn)、重要技術(shù)領(lǐng)域提出了目標(biāo)任務(wù)。

發(fā)表于：8/12/2016

三星已實(shí)現(xiàn)64層晶粒立體堆疊V-NAND 3D閃存

在美國(guó)加州圣克拉拉舉辦的閃充峰會(huì)上，三星宣布了一項(xiàng)技術(shù)升級(jí)突破：第四代V-NAND（立體堆疊3D閃存）已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了64層晶粒（DIE）堆疊，存儲(chǔ)密度再次突破新高，超過了外媒剛經(jīng)過測(cè)評(píng)的Portable SSD T3中相當(dāng)令人震撼的48層V-NAND立體堆疊.。

發(fā)表于：8/12/2016

三星工廠有毒物質(zhì)已致200多名員工染病至少76人死亡

8月11日晚間消息，據(jù)美聯(lián)社報(bào)道，由于韓國(guó)政府和三星電子的不作為，導(dǎo)致三星半導(dǎo)體和LCD工廠的200多名員工染上重病，其中至少76人死亡。

發(fā)表于：8/12/2016