2010年7月23日，北京訊  惠瑞捷 (Verigy)（納斯達(dá)克代碼：VRGY）推出了全新的 HSM3G 高速存儲(chǔ)器測(cè)試解決方案，進(jìn)一步拓展了面向 DDR3世代主流存儲(chǔ)器 IC 和更高級(jí)存儲(chǔ)器件測(cè)試能力的 V93000 HSM 平臺(tái)。V93000 HSM3G 獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在于其未來(lái)的可升級(jí)性，能夠?yàn)閿?shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)6.8 Gbps未來(lái)的三代 DDR 存儲(chǔ)器提供價(jià)格低廉的測(cè)試服務(wù)，從而前所未有地長(zhǎng)期節(jié)約經(jīng)濟(jì)成本。
     惠瑞捷 SOC 測(cè)試副總裁 Hans-Juergen Wagner 表示：“存儲(chǔ)器制造商一直在尋找一種既能滿足其生產(chǎn)和功能需求又能提供比一代器件壽命更長(zhǎng)、投資價(jià)值更高的節(jié)約型 ATE 解決方案。我們可升級(jí)前所未有的 V93000 HSM 測(cè)試平臺(tái)的壽命，能夠?yàn)閺?DDR3 到 DDR4 再到將來(lái)更高級(jí)的主流 DRAM 的至少三代設(shè)備提供卓越的投資回報(bào)。這些測(cè)試非常節(jié)約成本，業(yè)界其它產(chǎn)品均不可企及。”
     V93000 HSM3G 的速度和功能將來(lái)都可以升級(jí)，提供了高速存儲(chǔ)器測(cè)試市場(chǎng)上最完整的功能。其可編程的、快速的每引腳 APG 能力得到了數(shù)據(jù)總線倒置 (DBI) 和循環(huán)冗余校驗(yàn)碼 (CRC) 數(shù)據(jù)的支持，能夠?qū)Ω呒?jí)的 DDR4 存儲(chǔ)器技術(shù)功能進(jìn)行測(cè)試，確保了較高的測(cè)試質(zhì)量和產(chǎn)量。
     得益于其每引腳的存儲(chǔ)器自動(dòng)測(cè)試設(shè)備處理能力，V93000 HSM3G 可以節(jié)約高達(dá)20%的測(cè)試時(shí)間。它提供全并行模式的執(zhí)行(parallel pattern execution)、全并行的直流檢測(cè)以及眼寬的測(cè)量(eye-width measurements)，從而提供了非常高的多點(diǎn)效率。
     V93000 HSM3G 在整個(gè)速度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了 2.9 Gbps 的原生數(shù)據(jù)傳輸率以及 256-site DDR3 實(shí)際并行測(cè)試(parallel testing)，而無(wú)需任何測(cè)試時(shí)間管理費(fèi)用，也不會(huì)影響準(zhǔn)確性、功能性、測(cè)試范圍以及產(chǎn)量。得益于其原生速度余量(native speed headroom)，HSM3G 可以滿足所有主流DDR3 總線速度需求以及高端游戲 DDR3 以及前兩個(gè) DDR4 大規(guī)模速度等級(jí)。V93000 平臺(tái)架構(gòu)確保將來(lái)能夠升級(jí)到更高速的設(shè)備。