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中芯國際和Virage Logic拓展伙伴關系至40nm低漏電工藝

2010-07-23

         IP供應商Virage Logic公司和中國最先進的半導體制造商中芯國際集成電路有限公司(中芯國際,SMIC)今天宣布其長期合作伙伴關系擴展到40nm的低漏電(low-leakage)工藝技術。Virage Logic 公司和中芯國際從最初的130納米工藝合作起便為雙方共同的客戶提供具高度差異的 IP,涵蓋的工藝廣泛還包含90納米以及65納米。根據協(xié)議條款,系統(tǒng)級芯片(SoC)設計人員將能夠使用 Virage Logic 開發(fā)的,基于中芯國際40納米低漏電工藝的 SiWare存儲器編譯器,SiWare邏輯庫,SiPro MIPI 硅知識產權 (IP) 和 Intelli DDR IP。除此之外這方面的一個新協(xié)議的關鍵將提供中芯國際 Virage Logic 先進的 STAR記憶系統(tǒng)和 STAR量率加速器工具,以加速中芯國際關于40納米低漏電工藝記憶的技術開發(fā),測試以及產量的提升。

 
  “作為中國首屈一指的代工廠,我們與 Virage Logic 公司拓展合作伙伴關系將使中芯國際能夠提供更多業(yè)界領先的40nm低漏電工藝的半導體 IP,這不僅能滿足來自中國本地的系統(tǒng)級芯片開發(fā)人員的需要,亦將助益我們開發(fā)全球半導體市場,”中芯國際資深副總裁兼首席商務官季克非表示。“中芯國際正采取積極措施提升客戶更先進的技術。我們之前已經有客戶正積極利用中芯國際的65納米低漏電工藝及 Virage Logic 公司相關 IP 進行芯片項目的開發(fā)。與 Virage Logic 的合作關系可提供我們的客戶將來遷移到40納米的一個相對容易的途徑。因應中芯國際市場營銷的成長,我們期待著與 Virage Logic 長久的合作以滿足日益增長的市場需求。”
 
  “我們很高興與中芯國際擴大合作伙伴關系從最初的130nm工藝到現(xiàn)在的40納米低漏電工藝。Virage Logic 開發(fā)的業(yè)界領先的 IP 產品將能夠提供客戶更多的選擇使中芯國際能成為客戶首選的代工廠,” Virage Logic 公司市場和銷售執(zhí)行副總裁 Brani Buric 表示。“這次聯(lián)合協(xié)議是 Virage Logic 公司透過業(yè)界領先的晶圓代工廠來拓展公司業(yè)務策略的延續(xù),同時也更鞏固了中芯國際對其客戶提供完整 IP 解決方案的承諾。”
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