《電子技術(shù)應(yīng)用》
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短路保护电路基于高压MOS/IGBT模块的设计
赛微编辑
摘要: 带短路保护锁定的驱动的3脚为短路信号检测入端;2脚为驱动地;1脚为驱动输出。当电路存在短路的时候流过MOS的电流很大在S极电阻两端产生的压降导致三极管由截止进入导通(当然导到什么程度具体跟MOS的跨导有关系),因此驱动电阻上面有压降,MOS进入放大区。这个时候高电压不会通过MOS进行强电流放电,因而芯片不会有局部过热的可能,在很短的时间内保护电路检测到短路存在关闭并锁定驱动电压输出,MOS仅承受了动作时间内的恒流功率损耗,安全性得到了很大提高。此电路仅作为理解原理使用具体参数看实际工况选取。S级的电阻是根据你选定的MOS的IDM(PulsedDrainC
Abstract:
Key words :

短路保護(hù)鎖定的驅(qū)動(dòng)的3腳為短路信號(hào)檢測入端;2腳為驅(qū)動(dòng)地;1腳為驅(qū)動(dòng)輸出。

  當(dāng)電路存在短路的時(shí)候流過MOS的電流很大在S極電阻兩端產(chǎn)生的壓降導(dǎo)致三極管由截止進(jìn)入導(dǎo)通(當(dāng)然導(dǎo)到什么程度具體跟MOS的跨導(dǎo)有關(guān)系),因此驅(qū)動(dòng)電阻上面有壓降,MOS進(jìn)入放大區(qū)。這個(gè)時(shí)候高電壓不會(huì)通過MOS進(jìn)行強(qiáng)電流放電,因而芯片不會(huì)有局部過熱的可能,在很短的時(shí)間內(nèi)保護(hù)電路檢測到短路存在關(guān)閉并鎖定驅(qū)動(dòng)電壓輸出,MOS僅承受了動(dòng)作時(shí)間內(nèi)的恒流功率損耗,安全性得到了很大提高。

  此電路僅作為理解原理使用具體參數(shù)看實(shí)際工況選取。

  S級(jí)的電阻是根據(jù)你選定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)選定的,至于跨導(dǎo)這個(gè)不是主要因數(shù);這里三極管并不工作在開關(guān)狀態(tài)他只是根據(jù)MOS的瞬態(tài)電流值調(diào)整MOS的驅(qū)動(dòng)電壓,保證在短路出現(xiàn)的時(shí)候IDM不至于超出安全工作范圍,這個(gè)時(shí)候由于在1US甚至更短的時(shí)間內(nèi)驅(qū)動(dòng)已經(jīng)被關(guān)斷并鎖定,所以不存在過功損耗.三極管的反映時(shí)間越快越好.其實(shí)這個(gè)電路是電流負(fù)反饋電路演變過來的.電路如下:

  

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