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IR推出IRF6708S2和IRF6728M DirectFET MOSFET芯片組專為注重成本的DC-DC應用而設計

2010-12-14
作者:IR

  全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組,特別為注重成本的19V輸入同步降壓應用 (如筆記本電腦) 而設計。
 
  IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元件數量達30%,大幅降低了整體系統(tǒng)成本。這些新款DirectFET MOSFET具有低電荷和低導通電阻 (RDS(on))  ,最大限度減少了傳導及開關損耗。IRF6728M還備有單片型集成式蕭特基二極管 (Schottky) ,可以降低與體二極管導通和反向恢復相關的損耗。
 
  IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IRF6708S2和IRF6728M芯片組能夠為注重成本的DC-DC開關應用提供高效率、且具有成本效益的解決方案,而DirectFET確保的卓越熱特性充分體現了一流的整體價值。”
 
  IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技術。這些新器件除了擁有低導通電阻和低電荷,也具有DirectFET封裝低寄生電阻電感和卓越的散熱性能。
 
產品規(guī)格

 

器件編號

BVDSS (V)

10V下的

典型RDS(on)  (m)

4.5V下的

典型RDS(on) (m)

VGS (V)

4.5V下的

典型QG  (nC)

4.5V下的

典型QGD (nC)

IRF6728M

30

1.8

2.8

+/-20

28

8.7

IRF6708S2

30

7.5

12.0

+/-20

6.6

2.2


  產品詳細數據及應用說明可瀏覽IR網頁www.irf.com。
 
  新器件符合電子產品有害物質管制規(guī)定 (RoHS) ,現已接受批量訂單。
  
專利和商標
 
  DirectFET 和 IR 是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。


 
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