全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸入同步降壓應用 (如筆記本電腦) 而設計。
IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元件數(shù)量達30%，大幅降低了整體系統(tǒng)成本。這些新款DirectFET MOSFET具有低電荷和低導通電阻 (RDS(on)) ，最大限度減少了傳導及開關(guān)損耗。IRF6728M還備有單片型集成式蕭特基二極管 (Schottky) ，可以降低與體二極管導通和反向恢復相關(guān)的損耗。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IRF6708S2和IRF6728M芯片組能夠為注重成本的DC-DC開關(guān)應用提供高效率、且具有成本效益的解決方案，而DirectFET確保的卓越熱特性充分體現(xiàn)了一流的整體價值。”
IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技術(shù)。這些新器件除了擁有低導通電阻和低電荷，也具有DirectFET封裝低寄生電阻電感和卓越的散熱性能。
產(chǎn)品規(guī)格
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器件編號 |
BVDSS (V) |
10V下的 典型RDS(on) (m) |
4.5V下的 典型RDS(on) (m) |
VGS (V) |
4.5V下的 典型QG (nC) |
4.5V下的 典型QGD (nC) |
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IRF6728M |
30 |
1.8 |
2.8 |
+/-20 |
28 |
8.7 |
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IRF6708S2 |
30 |
7.5 |
12.0 |
+/-20 |
6.6 |
2.2 |
產(chǎn)品詳細數(shù)據(jù)及應用說明可瀏覽IR網(wǎng)頁www.irf.com。
新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ，現(xiàn)已接受批量訂單。
專利和商標
DirectFET 和 IR 是國際整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對應持有人所有的商標。