《電子技術(shù)應(yīng)用》
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用于HSPA和LTE等高數(shù)據(jù)速率無線協(xié)議的LNA
摘要: Maxim先進(jìn)的SiGeBiCMOS工藝使得這兩款寬帶LNA同時(shí)具有優(yōu)異的性能和極為緊湊的封裝。器件提供15dB增益,1.0dB的低噪聲系數(shù)可實(shí)現(xiàn)優(yōu)于分立或CMOS方案的接收靈敏度,工作在I、IV、V、VI、VII和XUMTS頻段。
Abstract:
Key words :

  Maxim推出用于HSPA和LTE高數(shù)據(jù)速率無線協(xié)議低噪聲放大器(LNA) MAX2666/MAX2668。每款LNA具有三種可編程增益狀態(tài),允許用戶動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)線性度和靈敏度,優(yōu)化不同輸入信號(hào)強(qiáng)度下的系統(tǒng)性能。當(dāng)鄰道信號(hào)的干擾很高時(shí)(這在移動(dòng)設(shè)備中十分常見),可以調(diào)節(jié)增益以保持最佳的阻塞性能。MAX2666/MAX2668能夠在各種輸入信號(hào)條件下保證優(yōu)異的系統(tǒng)性能,非常適合用于智能手機(jī)和平板電腦等基于HSPA/LTE的無線系統(tǒng)。

  Maxim先進(jìn)的SiGe BiCMOS工藝使得這兩款寬帶LNA同時(shí)具有優(yōu)異的性能和極為緊湊的封裝。器件提供15dB增益,1.0dB的低噪聲系數(shù)可實(shí)現(xiàn)優(yōu)于分立或CMOS方案的接收靈敏度,工作在I、IV、V、VI、VII和X UMTS頻段。Maxim的創(chuàng)新設(shè)計(jì)使器件可提供微型封裝(1.5mm x 1.0mm x 0.55mm),從而可應(yīng)用于手持設(shè)備和基于蜂窩網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)卡等空間受限的系統(tǒng)。只需一個(gè)外部元件即可完成板級(jí)設(shè)計(jì)。

   與Maxim其它的LNA相同,器件極低的功耗和電源電壓可有效延長終端設(shè)備中的電池使用壽命。MAX2666/MAX2668正常工作時(shí)的電源電流僅為3.8mA (典型值),最低增益模式下的電流低于100µA。器件采用2.7V至3.3V電源供電。MAX2666/MAX2668工作在-40°C至+85°C擴(kuò)展級(jí)溫度范圍,采用6引腳超薄焊盤柵格陣列(LGA)封裝。

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