近年來(lái)，節(jié)能成為全新汽車(chē)技術(shù)和趨勢(shì)的熱門(mén)話題?；仡欉^(guò)去20年，汽車(chē)的電子化主要由駕駛者對(duì)更舒適和更豪華的設(shè)備，例如電動(dòng)車(chē)窗、電動(dòng)天窗和敞篷車(chē)蓋、高級(jí)音響器材、電動(dòng)座椅、空調(diào)或電動(dòng)液壓助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)等的渴求所推動(dòng)，這些設(shè)備全都增加了汽車(chē)對(duì)半導(dǎo)體及電子零件的需求。現(xiàn)在，電子化汽車(chē)設(shè)計(jì)的首要目標(biāo)已經(jīng)有所不同。雖然豪華設(shè)備和更好的駕駛功能對(duì)汽車(chē)來(lái)說(shuō)仍然重要，但現(xiàn)在以至可見(jiàn)的未來(lái)，當(dāng)代汽車(chē)所采用的大部分電子系統(tǒng)，也是以減少排放、提高燃料效率，并且降低車(chē)內(nèi)系統(tǒng)的電力消耗為推動(dòng)力。
達(dá)到這個(gè)目標(biāo)的最好方法，便是使用更有效率，也更智能的電子系統(tǒng)去替代汽車(chē)的機(jī)械及液壓系統(tǒng)。典型的例子有以電動(dòng)轉(zhuǎn)向系統(tǒng)替代液壓或者電動(dòng)液壓系統(tǒng)；電力電機(jī)驅(qū)動(dòng)替代連續(xù)運(yùn)行的皮帶驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，就像空調(diào)壓縮器、渦輪充電器，或其它的泵和風(fēng)扇。即使是一些照明應(yīng)用，如能夠節(jié)能的“高強(qiáng)度氣體放電燈”(HID)或LED燈，也用來(lái)代替欠缺效率的傳統(tǒng)燈泡。最終，內(nèi)燃引擎亦將會(huì)由具效率的電動(dòng)電機(jī)所取代，就像我們現(xiàn)在于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車(chē)的動(dòng)力系統(tǒng)所看到的一樣。
汽車(chē)電子化也使國(guó)際整流器公司(IR)這些半導(dǎo)體供應(yīng)商以開(kāi)發(fā)高效率的電源管理解決方案為己任，從而盡量提高這些應(yīng)用的能源效益。IR先進(jìn)的電源管理解決方案結(jié)合了非常先進(jìn)的硅技術(shù)及革命性的新封裝技術(shù)，能夠同時(shí)改善汽車(chē)系統(tǒng)的性能和耐用性。特別是在封裝方面，我們?yōu)橄到y(tǒng)設(shè)計(jì)師帶來(lái)創(chuàng)新解決方案，以及設(shè)計(jì)ECU、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源的新方法。
現(xiàn)今的硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)了非常好的開(kāi)關(guān)，例如最新的溝道MOSFET和IGBT。不過(guò)，相關(guān)的封裝技術(shù)經(jīng)常利用十分保守的焊接方法把硅芯片裝貼到基片或鉛框架，并且以鍵合線連接其表面。早在2002年，IR已經(jīng)開(kāi)始發(fā)展新的連接界面，希望通過(guò)簡(jiǎn)單的封裝，就能把我們最好的硅技術(shù)連接到電力電路，還把電流和熱流的界面減到最少。最終的成果是，我們開(kāi)發(fā)出免除鍵合線的DirectFET技術(shù)。這種技術(shù)的實(shí)現(xiàn)有賴于硅開(kāi)關(guān)的正面金屬可焊，以便使由簡(jiǎn)單金屬外殼包圍的MOSFET可直接焊接到印刷電路板。圖1和圖2所展示的概念主要是設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、盡量減少物料和界面，最特別的是無(wú)需再用鍵合線去達(dá)到最好的電力和溫度性能。此外，這個(gè)概念也能夠提高汽車(chē)系統(tǒng)的質(zhì)量和可靠性，因?yàn)樗似?chē)功率周期中的主導(dǎo)失效模式：也就是所謂的鍵合線脫離。
圖1：DirectFET焊接在PCB上。
圖2：DirectFET的橫切面：硅芯片的溫度和電力接口盡量縮小尺寸，同時(shí)電力和溫度性能也遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出采用鍵合線的標(biāo)準(zhǔn)封裝。
直接封裝概念非常適合同時(shí)要求卓越性能、質(zhì)量、耐用性和長(zhǎng)久可靠性的汽車(chē)應(yīng)用。與此同時(shí)，IR優(yōu)化了DirectFET概念，結(jié)果造就了我們?cè)诮衲瓿跬瞥?、全面汽?chē)認(rèn)可的DirectFET2產(chǎn)品線。有關(guān)的汽車(chē)芯片由一個(gè)小外殼包圍，讓的客戶可以為其電子控制單元和功率級(jí)引入非常創(chuàng)新的設(shè)計(jì)概念。這些DirectFET2開(kāi)關(guān)能夠通過(guò)不同的方法散熱，包括從器件的上方散熱，免除了組件要通過(guò)PCB，甚至利用ECU外殼兩側(cè)進(jìn)行冷卻的需要，也不用藉著在ECU設(shè)計(jì)里的其它散熱部分來(lái)降低溫度?？蛻粢蚨缮a(chǎn)專有的系統(tǒng)解決方案，從而在其它采用標(biāo)準(zhǔn)封裝零件和鍵合線的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)中脫穎而出。
圖3：汽車(chē)用DirectFET2的各種創(chuàng)新散熱方法選擇
IR將其無(wú)鍵合線策略伸延到所有汽車(chē)用的功率開(kāi)關(guān)。其最新一代的IGBT也具備IR專有的正面金屬可焊技術(shù)，提供完全沒(méi)有鍵合線的芯片連接，也為采用IGBT和二極管的高電壓系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了雙面散熱概念。據(jù)我所知，IR是首家以裸芯片搭配正面金屬可焊技術(shù)來(lái)推出商用汽車(chē)認(rèn)可IGBT的公司，使擁有硅處理能力的客戶可以建立和設(shè)計(jì)它們自己的雙面散熱無(wú)鍵合線功率模塊或功率級(jí)。有了IR的正面金屬可焊器件，平常無(wú)法接觸專有硅技術(shù)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)師，現(xiàn)在也可享受“無(wú)線汽車(chē)電源管理”的世界。
除了裸芯片，IR亦將提供專有的芯片載體解決方案。該方案附有正面金屬可焊IGBT，來(lái)支持那些生產(chǎn)線沒(méi)有能力處理裸芯片的客戶。最先進(jìn)的高性能IGBT是以非常纖薄的晶圓制造，厚度僅為60到70微米。這些硅晶圓既薄且具彈性，就如紙張一樣，所以必須使用極為專業(yè)的程序和昂貴的器材去處理。很多第一級(jí)和第二級(jí)的系統(tǒng)供應(yīng)商都不愿意投資這種昂貴的器材，也不想經(jīng)歷需要長(zhǎng)久學(xué)習(xí)才會(huì)熟練的纖薄芯片處理過(guò)程，更不希望要承受薄芯片處理期間非常高的良率耗損。
IR推出的這種貼在專有芯片載體上的新款汽車(chē)功率開(kāi)關(guān)將會(huì)把上述顧慮一掃而空。我們將提供預(yù)先貼上IR大型芯片(IGBT及MOSFET)的標(biāo)準(zhǔn)化專有芯片載體。它們隨后會(huì)成為客戶電源模塊的一部分，比方說(shuō)，我們的DirectFET2金屬外殼變成PCB電路的一部分，并且讓每一個(gè)人都可以利用最精密的IGBT和薄芯片，而不用使用薄芯片器材。IR作為硅技術(shù)專家，將負(fù)責(zé)最困難的部分，也就是把薄芯片制成基片的制造過(guò)程，還有在裸芯片和晶圓層面的開(kāi)關(guān)最后測(cè)試，都會(huì)一一解決。只要利用IR的汽車(chē)用正面金屬可焊產(chǎn)品線，即使標(biāo)準(zhǔn)的安裝機(jī)械和焊接器材也將足以應(yīng)付非常先進(jìn)的功率模塊或ECU概念。
對(duì)我們的客戶和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師來(lái)說(shuō)，新器件的最大好處并不單單在電力性能上的改進(jìn)，更好的開(kāi)關(guān)效能、經(jīng)過(guò)優(yōu)化的雙面散熱(我們能夠增加最少50%的整體熱交換面積、減少35%的RthJC，以及提高大約25%的硅電流密度)，還有簡(jiǎn)單的制造過(guò)程都是重要的優(yōu)點(diǎn)。另一個(gè)非凡的效益，將在與應(yīng)用相關(guān)的系統(tǒng)布置和應(yīng)用尺寸，以及在汽車(chē)的壽命要求層面上實(shí)現(xiàn)。當(dāng)鍵合線在相對(duì)耐用的DBC模塊中或功率周期壓力中的首個(gè)失效模式中脫離，采用IR專有正面金屬可焊技術(shù)的無(wú)鍵合線IGBT將有機(jī)會(huì)將功率周期能力延展一個(gè)量級(jí)。
圖4展示了IR正在運(yùn)行的功率周期測(cè)試。這個(gè)測(cè)試針是針對(duì)一個(gè)客戶的定制IGBT系統(tǒng)，將在幾個(gè)10,000溫度周期后發(fā)生的鍵合線脫離故障，與使用無(wú)鍵合線系統(tǒng)進(jìn)行相同持續(xù)周期測(cè)試所得的結(jié)果作出比較，可以看到結(jié)果顯示出極大的分別。借助大幅度的可靠性延展，功率周期能效系統(tǒng)設(shè)計(jì)師便能縮小他們的功率級(jí)尺寸。
圖4：在專有客戶陶瓷封裝中，鍵合線IGBT與無(wú)鍵合線雙面焊接IGBT的功率周期能效比較。上面兩個(gè)圖表顯示不同的溫度壓力狀況，每一條色帶代表測(cè)試中的各個(gè)獨(dú)立器件。
為了避免在實(shí)際應(yīng)用中過(guò)早出現(xiàn)鍵合線脫離故障，設(shè)計(jì)師通常會(huì)采用昂貴的基片和散熱器方式，再加上過(guò)大尺寸的功率開(kāi)關(guān)來(lái)降低每個(gè)功率周期的Delta-T溫度擺動(dòng)。相較而言，一個(gè)無(wú)鍵合線系統(tǒng)的芯片尺寸可以大幅減小，同時(shí)系統(tǒng)能夠在更嚴(yán)苛的周期條件下運(yùn)作更長(zhǎng)時(shí)間。這表明，汽車(chē)中的逆變器、直流-直流轉(zhuǎn)換器和其它電源管理應(yīng)用得以通過(guò)正面金屬可焊器件顯著降低系統(tǒng)成本。設(shè)計(jì)師因而可以在性能、可靠性等多方面取得改善。
為了幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)師以適當(dāng)?shù)目刂艻C來(lái)完成整個(gè)功率級(jí)開(kāi)發(fā)工作，IR提供了多款汽車(chē)用驅(qū)動(dòng)器IC選擇，可滿足先進(jìn)逆變器、轉(zhuǎn)換器、電源拓?fù)浜拖到y(tǒng)要求。我們專有的汽車(chē)用高/低電壓柵極驅(qū)動(dòng)器擁有卓越的耐用性和閉鎖抗擾性。在低于75V的電壓范圍內(nèi)，設(shè)計(jì)可基于專有智能功率程序操控驅(qū)動(dòng)器，實(shí)現(xiàn)非常大的電流開(kāi)關(guān)。當(dāng)電壓介于100V到1,200V之間時(shí)，IR也提供了一個(gè)極高電壓接口隔離驅(qū)動(dòng)器IC系列，該系列配備市場(chǎng)領(lǐng)先的負(fù)瞬態(tài)電壓尖峰安全操作區(qū)(NTSOA)。IC的失效模式，通常由于采用大電流電感負(fù)載實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)半橋，因而造成大的負(fù)電壓尖峰，被稱為閉鎖效應(yīng)。這些IC都是以耐用性和閉鎖抗擾性為目標(biāo)來(lái)設(shè)計(jì)，是驅(qū)動(dòng)擁有極高電流密度的大型IGBT(諸如正面金屬可焊器件)的最佳選擇。如果系統(tǒng)設(shè)計(jì)師需要更大的驅(qū)動(dòng)電流，也可利用器件所提供的緩沖IC來(lái)提供最大10A電流的能力。
總之，IR提供一系列的器件，讓汽車(chē)功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師可以為非常先進(jìn)的“無(wú)線”電源管理選擇完整的芯片組，從而支持未來(lái)汽車(chē)的能源效益，即使要在最嚴(yán)苛的環(huán)境中完成最艱難的開(kāi)關(guān)任務(wù)，這些器件也可應(yīng)付自如。