《電子技術應用》
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利用USB2.0的高性能移動存儲設備的設計
摘要: 本文在充分研究USB2.0協(xié)議、Bulk-Only傳輸協(xié)議和SCSI指令規(guī)范的基礎上,設計出USB2.0高性能移動存儲設備。本文作者創(chuàng)新點:將FLASH作為數據采集系統(tǒng)中的存儲單元,應用在與計算機交互數據的采集過程之中;并采用中斷驅動設計固件程序,提高了讀寫效率。實驗證明,其性能穩(wěn)定可靠,讀寫數據速度達到了令人滿意的效果。移動數據的交換和存儲是目前IT行業(yè)的熱點,可以在此基礎上,不斷完善現(xiàn)有設計方案,繼續(xù)研究開發(fā)嵌入式USB主機系統(tǒng),使得在PC機不參與的情況下同樣可以進行數據的存儲與交換。
Abstract:
Key words :

閃存盤(FLASH MEMORY)是USB接口的一種典型應用,1999年朗科研發(fā)出全球第一款USB閃存盤,成功啟動了全球閃存盤行業(yè)。由于閃存是一種基于半導體的存儲器,信息在斷電后可以保存,并且還具有低功耗、速度快、可擦寫性、高可靠性、低成本等特點,是高數據存儲密度的最佳選擇,在外部存儲領域、嵌入式系統(tǒng)、工控行業(yè)和信息家電業(yè)得到廣泛使用,如手機、數碼相機、MP3等。市場上的FLASH有多種技術來實現(xiàn),其中最常用的有NAND(與非)和NOR(異或)兩種。

  武漢電離層觀象臺的高頻多普勒與到達角探測分析系統(tǒng)在投入實際觀測后,獲得了一些很重要的觀測數據[1],該系統(tǒng)的數據采集單元采用閃存作為數據移動存儲設備" title="存儲設備">存儲設備,實現(xiàn)與計算機的信息交互,完成數據的分析與處理。本文所討論的NAND FLASH存儲器與USB2.0控制器的硬件連接和軟件編程方法,在研究開發(fā)USB移動存儲器使其更穩(wěn)定安全地工作,具有重要的價值。本文首先介紹移動存儲設備的硬件設計部分,重點討論了該移動存儲設備的硬件接口設計,繼而給出固件" title="固件">固件程序的編程方法。其中設備固件的編寫是本設計的重點。

  2.硬件實現(xiàn)

  本移動存儲設備的USB2.0控制器采用ATMEL公司的AT89C5131芯片,數據存儲介質采用SAMSUNG公司的NAND FLASH 芯片K9K2G08U0A。

  2.1 AT89C5131芯片特點

  AT89C5131是ATMEL公司生產的基于80C52內核的高性能內置全速USB控制器的8位單CPU微處理芯片[2],直接與MCS-51系列兼容,其內部集成了32KB的Flash存儲器,可用于IN- System Programming;內置4KB EEPROM,其中的1KB用于用戶數據的存儲,具有1個控制端口和6個普通可編程端口,并且支持控制傳送、同步傳送、中斷傳送和批量傳送四種傳輸方式。該芯片的優(yōu)點是采用開發(fā)者熟悉的結構和指令集,處理能力強,構成系統(tǒng)的電路簡單,調試方便。

  2.2 K9K2G08U0A芯片特點

  K9K2G08U0A存儲器芯片的總容量為(256M +8192k)bit*8bit,分為2048扇區(qū),每扇區(qū)又分為64頁,每頁除了2k字節(jié)的主存儲區(qū)外,還包括64字節(jié)的備用[3]。它以200μs/ 頁完成2112個字節(jié)的編程操作;還可以在2ms內完成128k字節(jié)的擦除操作;同時隨機讀數時間是25μs;數據線與地址線復用" title="復用">復用為I/O0-I/O7共 8根線;另外還分別提供了命令控制信號線;數據保存時間超過10年。NAND FLASH存儲器不會因為存儲容量的增加而增加引腳數目,從而極大方便了系統(tǒng)設計和產品升級,但芯片的連接方法與編程訪問同傳統(tǒng)存儲器相比仍有較大差異。

  2.3 硬件原理圖

  該系統(tǒng)的硬件部分由內置USB控制器的單片機AT89C5131,SAMSUNG公司的NAND FLASH 芯片K9K2G08U0A組成,硬件原理圖如圖1所示。必須寫入相應的命令才能順利執(zhí)行閃存的各種操作,由于數據線與地址線復用為8根線,因此地址、命令以及數據的輸入/輸出需要通過命令鎖存" title="鎖存">鎖存信號(CLE)和地址鎖存信號(ALE)共同控制從而分時復用。


  I/O[7:0]:數據輸入/輸出端口,該信號與AT89C5131芯片的P0[7:0]連接。

 ?。簩懯鼓苄盘枴T谄渖仙貢r,命令、地址和數據鎖存到相應的寄存器中。該信號與AT89C5131芯片的P3.6 信號連接。

 ?。鹤x使能信號。在其下降沿時,輸出數據到I/O總線,同時,它還可以對內部數據地址進行累加。該信號與AT89C5131芯片的P3.7 信號連接。

  CLE:命令鎖存使能信號。當CLE為高電平時,命令在 上升沿通過I/O端口送入命令寄存器。該信號與AT89C5131芯片的P1.0引腳連接。

  ALE:地址鎖存使能信號。當ALE為高電平時,地址在 上升沿送入地址寄存器。該信號與AT89C5131芯片的P1.1引腳連接。

 ?。浩x信號。用于控制設備的選擇。當設備忙時 為高電平而被忽略,當處于編程和擦除操作時設備不能回到備用狀態(tài)。該信號與AT89C5131芯片的P1.2引腳連接。

  R/ :準備好/忙輸出。當它為低電平時,表示編程、擦除和隨機讀操作正在進行,在操作完成后返回高電平;當芯片沒被選中或輸出禁止時,其為高電平時。該信號與AT89C5131芯片的P1.3引腳連接。

  3.固件設計實現(xiàn)

  本文設計的USB移動存儲設備采用Bulk-Only傳輸方式,遵循UFI命令規(guī)范。移動存儲設備固件的主要功能是響應USB總線的各種標準請求,向主機返回設備的狀態(tài)信息;同時,解析接收到的SCSI命令,進行相應的命令處理和數據讀寫操作。固件設計采用中斷驅動,當AT89C5131從總線上接收到請求包時,通過調用相應的中斷事件處理函數來實現(xiàn),后臺處理USB傳輸,從而保證了閃存的快速讀寫速率。主要中斷事件有:

  (1)主循環(huán)等待USB中斷,設置相應標志位。移動存儲設備插入主機后,主機向移動閃存的控制斷點0發(fā)出標準請求,固件進入標準請求處理函數,設備回送給主機所要求的相應描述符" title="描述符">描述符,調用相關驅動程序。

  (2)當USB主機通過Bulk-In端口讀取閃存數據后,產生Bulk-In端口中斷。

  (3)當AT89C5131通過Bulk-Out端口接收到主機發(fā)送的命令字CBW后,觸發(fā)Bulk-Out端口中斷。

  3.1 響應USB總線標準請求

  當USB移動存儲設備接入主機后,USB主機控制器對設備進行總線枚舉過程,首先向設備發(fā)送標準USB請求GET_DESCRIPTOR來獲得最大數據包長度;接著發(fā)出SET ADDRESS請求,為設備分配地址;使用新分配的地址再次發(fā)出GET_DESCRIPTOR請求,讀取設備的配置信息[4],如設備描述符、配置描述符、接口描述符、端口描述符和字符串描述符等,并選擇合適的驅動程序;最后,發(fā)出SET CONFIGURATION請求配置端口屬性。

 USB設備通過控制端口響應USB標準請求,實現(xiàn)主機和設備間的通信。除控制端口外,Bulk-Only傳輸方式還需支持Bulk-In和Bulk-Out端口。端口初始化代碼如下:

  void Usb_Init(void)

  {

  UEPNUM=0x00;    UEPCONX=0x80;

  //端口0,控制端口

  UEPNUM=0x01;    UEPCONX=0x86;

  //端口1,Bulk-I閃存盤(FLASH MEMORY)是USB接口的一種典型應用,1999年朗科研發(fā)出全球第一款USB閃存盤,成功啟動了全球閃存盤行業(yè)。由于閃存是一種基于半導體的存儲器,信息在斷電后可以保存,并且還具有低功耗、速度快、可擦寫性、高可靠性、低成本等特點,是高數據存儲密度的最佳選擇,在外部存儲領域、嵌入式系統(tǒng)、工控行業(yè)和信息家電業(yè)得到廣泛使用,如手機、數碼相機、MP3等。市場上的FLASH有多種技術來實現(xiàn),其中最常用的有NAND(與非)和NOR(異或)兩種。

  武漢電離層觀象臺的高頻多普勒與到達角探測分析系統(tǒng)在投入實際觀測后,獲得了一些很重要的觀測數據[1],該系統(tǒng)的數據采集單元采用閃存作為數據移動存儲設備,實現(xiàn)與計算機的信息交互,完成數據的分析與處理。本文所討論的NAND FLASH存儲器與USB2.0控制器的硬件連接和軟件編程方法,在研究開發(fā)USB移動存儲器使其更穩(wěn)定安全地工作,具有重要的價值。本文首先介紹移動存儲設備的硬件設計部分,重點討論了該移動存儲設備的硬件接口設計,繼而給出固件程序的編程方法。其中設備固件的編寫是本設計的重點。

  2.硬件實現(xiàn)

  本移動存儲設備的USB2.0控制器采用ATMEL公司的AT89C5131芯片,數據存儲介質采用SAMSUNG公司的NAND FLASH 芯片K9K2G08U0A。

  2.1 AT89C5131芯片特點

  AT89C5131是ATMEL公司生產的基于80C52內核的高性能內置全速USB控制器的8位單CPU微處理芯片[2],直接與MCS-51系列兼容,其內部集成了32KB的Flash存儲器,可用于IN- System Programming;內置4KB EEPROM,其中的1KB用于用戶數據的存儲,具有1個控制端口和6個普通可編程端口,并且支持控制傳送、同步傳送、中斷傳送和批量傳送四種傳輸方式。該芯片的優(yōu)點是采用開發(fā)者熟悉的結構和指令集,處理能力強,構成系統(tǒng)的電路簡單,調試方便。

  2.2 K9K2G08U0A芯片特點

  K9K2G08U0A存儲器芯片的總容量為(256M +8192k)bit*8bit,分為2048扇區(qū),每扇區(qū)又分為64頁,每頁除了2k字節(jié)的主存儲區(qū)外,還包括64字節(jié)的備用[3]。它以200μs/ 頁完成2112個字節(jié)的編程操作;還可以在2ms內完成128k字節(jié)的擦除操作;同時隨機讀數時間是25μs;數據線與地址線復用為I/O0-I/O7共 8根線;另外還分別提供了命令控制信號線;數據保存時間超過10年。NAND FLASH存儲器不會因為存儲容量的增加而增加引腳數目,從而極大方便了系統(tǒng)設計和產品升級,但芯片的連接方法與編程訪問同傳統(tǒng)存儲器相比仍有較大差異。

  2.3 硬件原理圖

  該系統(tǒng)的硬件部分由內置USB控制器的單片機AT89C5131,SAMSUNG公司的NAND FLASH 芯片K9K2G08U0A組成,硬件原理圖如圖1所示。必須寫入相應的命令才能順利執(zhí)行閃存的各種操作,由于數據線與地址線復用為8根線,因此地址、命令以及數據的輸入/輸出需要通過命令鎖存信號(CLE)和地址鎖存信號(ALE)共同控制從而分時復用。


  I/O[7:0]:數據輸入/輸出端口,該信號與AT89C5131芯片的P0[7:0]連接。

  :寫使能信號。在其上升沿時,命令、地址和數據鎖存到相應的寄存器中。該信號與AT89C5131芯片的P3.6 信號連接。

 ?。鹤x使能信號。在其下降沿時,輸出數據到I/O總線,同時,它還可以對內部數據地址進行累加。該信號與AT89C5131芯片的P3.7 信號連接。

  CLE:命令鎖存使能信號。當CLE為高電平時,命令在 上升沿通過I/O端口送入命令寄存器。該信號與AT89C5131芯片的P1.0引腳連接。

  ALE:地址鎖存使能信號。當ALE為高電平時,地址在 上升沿送入地址寄存器。該信號與AT89C5131芯片的P1.1引腳連接。

 ?。浩x信號。用于控制設備的選擇。當設備忙時 為高電平而被忽略,當處于編程和擦除操作時設備不能回到備用狀態(tài)。該信號與AT89C5131芯片的P1.2引腳連接。

  R/ :準備好/忙輸出。當它為低電平時,表示編程、擦除和隨機讀操作正在進行,在操作完成后返回高電平;當芯片沒被選中或輸出禁止時,其為高電平時。該信號與AT89C5131芯片的P1.3引腳連接。

  3.固件設計實現(xiàn)

  本文設計的USB移動存儲設備采用Bulk-Only傳輸方式,遵循UFI命令規(guī)范。移動存儲設備固件的主要功能是響應USB總線的各種標準請求,向主機返回設備的狀態(tài)信息;同時,解析接收到的SCSI命令,進行相應的命令處理和數據讀寫操作。固件設計采用中斷驅動,當AT89C5131從總線上接收到請求包時,通過調用相應的中斷事件處理函數來實現(xiàn),后臺處理USB傳輸,從而保證了閃存的快速讀寫速率。主要中斷事件有:

  (1)主循環(huán)等待USB中斷,設置相應標志位。移動存儲設備插入主機后,主機向移動閃存的控制斷點0發(fā)出標準請求,固件進入標準請求處理函數,設備回送給主機所要求的相應描述符,調用相關驅動程序。

  (2)當USB主機通過Bulk-In端口讀取閃存數據后,產生Bulk-In端口中斷。

  (3)當AT89C5131通過Bulk-Out端口接收到主機發(fā)送的命令字CBW后,觸發(fā)Bulk-Out端口中斷。

  3.1 響應USB總線標準請求

  當USB移動存儲設備接入主機后,USB主機控制器對設備進行總線枚舉過程,首先向設備發(fā)送標準USB請求GET_DESCRIPTOR來獲得最大數據包長度;接著發(fā)出SET ADDRESS請求,為設備分配地址;使用新分配的地址再次發(fā)出GET_DESCRIPTOR請求,讀取設備的配置信息[4],如設備描述符、配置描述符、接口描述符、端口描述符和字符串描述符等,并選擇合適的驅動程序;最后,發(fā)出SET CONFIGURATION請求配置端口屬性。

 USB設備通過控制端口響應USB標準請求,實現(xiàn)主機和設備間的通信。除控制端口外,Bulk-Only傳輸方式還需支持Bulk-In和Bulk-Out端口。端口初始化代碼如下:

  void Usb_Init(void)

  {

  UEPNUM=0x00;    UEPCONX=0x80;

  //端口0,控制端口

  UEPNUM=0x01;    UEPCONX=0x86;

  //端口1,Bulk-In端口

  UEPNUM=0x02;    UEPCONX=0x82;

  //端口2,Bulk-Out端口

  UEPRST=0x07;     UEPRST= 0x00;//端口復位

  UEPIEN=0x07;      USBIEN|=EEOFINT;

  USBADDR=FEN;         //功能使能位

  }

  當控制端口配置成功后,主機會發(fā)出Inquiry、Mode_Sense、Read_Capacity等請求,提供閃盤基本信息,如扇區(qū)大小、簇大小、閃盤容量等,當請求結果正確后,便會發(fā)出Read(10)命令,進入文件系統(tǒng)識別階段。

  3.2 解析SCSI命令并處理

  UFI 命令規(guī)范基于 SFF-8070i 和 SCSI-2 的規(guī)范,總共定義了19個固定12字節(jié)長度的操作命令,用于 USB主機和 USB 移動存儲設備之間進行命令字CBW (Command Block Wrapper)、普通數據、狀態(tài)字CSW (Command Status Wrapper)的交換。

  USB移動存儲設備接收到來自于USB主機Bulk-Out端口發(fā)給其的CBW命令字后,按照SCSI的命令格式進行解析,得到其中的命令信息,如:格式化設備、查詢設備信息、讀寫設備等,對移動存儲設備執(zhí)行相應的命令后,向主機Bulk-In端口返回狀態(tài)字 CSW,報告命令執(zhí)行情況,主機根據反饋的狀態(tài)字決定是否繼續(xù)發(fā)送命令字或是數據。

  3.3 閃存的操作實現(xiàn)

  K9K2G08U0A芯片以頁為單位來進行讀寫,以塊為單位進行擦除。K9K2G08U0A支持的操作主要有幾種:讀操作(Read)、頁編程(Page Program)、緩存編程(Cache Program)、塊擦除(Block Erase)、塊復制(Copy-Back Program)、隨機數據輸入(Random Data Input)、隨機數據輸出(Random Data Output)、復位(Reset)、讀設備號(ReadID)、讀狀態(tài)(Read Status)等操作。在進行寫操作之前,必須對寫單元所在塊進行擦除,因此事先需要對所擦除塊內容進行保存。

  如果閃存存在壞塊,則在進行讀、頁編程、塊擦除、塊復制等操作時會失敗,因此對壞塊要進行提前檢測并進行標注。芯片在出廠時,在每塊的第一頁和第二頁的2048列的首字節(jié)做出好壞標記,如果標志位不是FFh則為壞塊,基于此建立壞塊列表。

  基于篇幅的原因,這里以寫操作過程為例描述閃存使用方法。一般閃存的使用順序是:塊擦除-編程-多次讀取-塊擦除…, 對K9K2G08U0A芯片進行數據寫的步驟如下:(1)將寫入數據扇區(qū)地址與壞塊列表對照,檢查錯誤扇區(qū)。若存在壞區(qū),則繼續(xù)檢查下一扇區(qū);(2)開辟緩沖區(qū)域,將寫入數據扇區(qū)的原始數據利用Copy-Back Program方式保存到緩沖區(qū);(3) 利用Block Erase擦除要寫入的數據扇區(qū);(4) 利用 Page Program操作將主機傳輸的數據寫到閃存中;(5)利用Copy-Back Program操作將緩沖區(qū)的數據寫入指定扇區(qū)。

  K9K2G08U0A編程器件以頁為單位編程,它允許在單頁編程周期中對部分頁或一個甚至連續(xù)的多達2112個連續(xù)字節(jié)編程。一個頁編程周期由2個階段組成[3]:(1)串行數據加載階段:數據被加載到數據寄存器中,以輸入命令80h為標志,緊接著是5個字節(jié)的地址輸入和串行數據加載;(2)非易失性的編程階段:命令10h標志著該編程階段的開始,將已加載的數據寫入實際的存儲單元,編程典型時間為200μs。之后R/ 跳低,進入閃存內部編程,最后進入讀狀態(tài)確認操作,命令70h表示讀狀態(tài)命令,I/O0表示讀到的狀態(tài)。頁編程實現(xiàn)代碼如下:

  void PageWrite(void )   //頁編程

  {

  CheckBlock(startpage);   //檢測壞塊列表

  if(FirstP)

  // FirstP為1,開始對一頁進行寫操作,否則為0

  {//片選信號有效

  F_CE=0; F_RE=1; F_ALE=0;F_CLE=1;F_WE=0;

  OutputCommand(0x80);   //輸入命令0x80

  F_WE=1;

  F_ALE=1;//發(fā)送地址開始

  AddrOut (addr1); //得到頁地址,五個周期

  AddrOut (addr2); AddrOut (addr3); AddrOut (addr4); AddrOut (addr5);

  F_ALE=0;

  FirstP =0; }

  WriteData(BuffBlock);   //將數據寫入緩沖區(qū)

  FlagWrite =0;

  Do{

  F_WE=0;

  WriteFlash();      //將數據寫入flash

  FlagWrite++;

  F_WE=1;

  }while(FlagWrite<64);  //寫滿一頁數據

  OutputCommand (0x10);   //輸入命令0x10

  while(!F_RB);     //等待讀信號有效

  OutputCommand (0x70);   //輸入命令0x70

  Wait();

  F_CE=1;    //片選結束

  startpage++;    //繼續(xù)寫下一頁

  FirstP =1;

  }

  4.結束語

  本文在充分研究USB2.0協(xié)議、Bulk-Only傳輸協(xié)議和SCSI指令規(guī)范的基礎上,設計出USB2.0高性能移動存儲設備。本文作者創(chuàng)新點:將FLASH作為數據采集系統(tǒng)中的存儲單元,應用在與計算機交互數據的采集過程之中;并采用中斷驅動設計固件程序,提高了讀寫效率。實驗證明,其性能穩(wěn)定可靠,讀寫數據速度達到了令人滿意的效果。移動數據的交換和存儲是目前IT行業(yè)的熱點,可以在此基礎上,不斷完善現(xiàn)有設計方案,繼續(xù)研究開發(fā)嵌入式USB主機系統(tǒng),使得在PC機不參與的情況下同樣可以進行數據的存儲與交換。

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