《電子技術(shù)應(yīng)用》
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一種圓形共形相控陣天線的設(shè)計(jì)與分析
單片機(jī)與嵌入式系統(tǒng)
王玉寶 李有銘 燕山大學(xué)
摘要: 矩形柵格平面相控陣天線經(jīng)常受到圓柱形設(shè)備的約束,本文研究設(shè)計(jì)了一種陣元非均勻分布排列的圓形口徑相控陣天線方向圖,建立數(shù)學(xué)模型并對(duì)其進(jìn)行了公式推導(dǎo)和計(jì)算機(jī)仿真。同時(shí)與同等規(guī)模的矩形柵格平面相控陣天線方向圖進(jìn)行對(duì)比分析。分析表明,前者的半功率點(diǎn)波束寬度要小于后者,主瓣能量利用更加集中,提高了掃描性能,輻射能量大致相同的情況下,前者所需要的陣元數(shù)要少,節(jié)約了成本。
Abstract:
Key words :

0 引言
    相控陣天線分為線陣、平面陣、球形陣和共形陣等,具有較寬的頻率范圍、靈活的角度覆蓋、高效的輻射功率以及較快的轉(zhuǎn)換速度等突出優(yōu)點(diǎn),在雷達(dá)、通信和聲納系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。隨著社會(huì)的發(fā)展,矩形平面相控陣天線受物體形狀的影響,應(yīng)用受到了制約。例如機(jī)載相控陣?yán)走_(dá),安裝于機(jī)頭設(shè)備艙的前視相控陣天線,受圓柱形設(shè)備倉(cāng)的約束,一般需要采用圓形口徑。而圓形口徑天線由均勻分布在圓周上的天線陣元構(gòu)成,因此其具有全向性,能對(duì)空間進(jìn)行360°的全方位掃描。但圓形陣列天線也存在一些缺陷,如副瓣電平較高,易受電磁干擾等。
    因此,本文研究設(shè)計(jì)了一種陣元非均勻?qū)ΨQ排列的圓口徑相控陣天線方向圖,建立數(shù)學(xué)模型并對(duì)其進(jìn)行了公式推導(dǎo)和計(jì)算機(jī)仿真。同時(shí)與同等規(guī)模的矩形柵格平面相控陣天線方向圖進(jìn)行對(duì)比分析,給出了結(jié)論。

1 數(shù)學(xué)模型的建立

7a.JPG


    圖1為一個(gè)陣元非均勻?qū)ΨQ排列的圓形口徑平面相控陣天線,該天線陣列位于xoy平面內(nèi),在以o點(diǎn)為圓心,以ir為半徑的同心圓周上均勻分布個(gè)陣元。r為最內(nèi)側(cè)同心圓的半徑,i代表同心圓的個(gè)數(shù)(i取自然數(shù)),N為i取得的最大值,m為最內(nèi)側(cè)圓周上陣元的個(gè)數(shù),即最內(nèi)側(cè)圓周的半徑為r,圓周上均勻分布m個(gè)陣元(m取自然數(shù)),第i個(gè)圓的半徑為ir,圓周上均勻分布個(gè)陣元,每個(gè)圓周相鄰陣元之間對(duì)應(yīng)的弧長(zhǎng)均相同。用(i,n)表示第i個(gè)圓上第n個(gè)點(diǎn)(n為自然數(shù)),γ(i,n)表示第i個(gè)圓上第n個(gè)點(diǎn)與x軸的夾角,所以得出7b.JPG,設(shè)x軸上相鄰陣元間的相位差為ψx,y軸上陣元間的相差為ψy。則(i,n)點(diǎn)在(x,y)平面內(nèi)的坐標(biāo)為
    7d.JPG
    平面內(nèi),利用空間余弦定義遠(yuǎn)場(chǎng)點(diǎn)坐標(biāo)為(cosαx,cosαy,cosαz),則第(i,n)個(gè)單元與第(O,O)個(gè)參考單元之間的空間相位差為

7e.JPG

式中cosαx、cosαy是觀察點(diǎn)的方向余弦,cosαxs、cosαys表示波瓣最大指向的方向余弦。因?yàn)楫?dāng)cosαx=cosαxs、cosαy=cosαys時(shí),,各單元場(chǎng)同相相加,得到最大值。而,得出。同理,7c.JPG。
因此,改變陣內(nèi)相位差ψx、ψy(由相移器實(shí)現(xiàn)),便可以改變掃描角度,完成掃描,并且由數(shù)學(xué)公式可知:

7g.JPG

2 圓形口徑天線方向圖仿真
    當(dāng)天線口徑為均勻分布(等幅分布)時(shí),即a(i,n)=1時(shí),圓形相控陣天線在m=4,N取到3和4,陣元數(shù)分別為28、60,r=O.5λ,θm=0°,φ=0°時(shí),U-坐標(biāo)系下的場(chǎng)強(qiáng)方向圖和功率方向圖如圖2、圖3所示:

 7s.JPG


    從圖2、圖3可以看出,在其他參數(shù)不變的情況下,隨著N的增加,即天線口徑的增大,波束寬度逐漸減小,并且能量增大,能量利用率提高,掃描效果更好。當(dāng)N取3時(shí),第一旁瓣和主瓣電平差大約為14.61dB,N取4時(shí),第一旁瓣和主瓣電平差大約為13.61dB,兩者總能量相差11.49dB,電平差相差1dB。當(dāng)主波束指向?yàn)殛嚪娣较颍床ㄊ粧呙钑r(shí),半波功率寬度隨N、m的變化規(guī)律如表1所示。單位dB。

 7t.JPG


    圖4為Nd=8,Md=8(Nd=8,Md=8為橫縱軸的陣元數(shù)),陣元總數(shù)64,陣元間距均為dx=dy=o.5λ,θm=0°,φm=0°的矩形柵格平面相控陣天線的波束方向圖與功率方向圖,該條件下的矩形口徑相控陣天線與m=4,N取到4,陣元總數(shù)為60,r=O.5λ,θm=0°,φm=0°時(shí)的圓形口徑平面相控陣大致相仿。

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    經(jīng)過(guò)計(jì)算,矩形平面相控陣天線的主旁瓣電平差為17dB左右,比圓形平面相控陣天線要高3.39dB,即圓形平面陣的旁瓣能量要略高于矩形口徑平面陣。由以上結(jié)果可知,圓形平面陣的抗干擾及雜波抑制性能略遜于同等規(guī)模的矩形口徑平面陣天線。

4 結(jié)束語(yǔ)
    本文研究了一種陣元非均勻?qū)ΨQ排列的平面相控陣天線,從該天線的方向圖入手,經(jīng)過(guò)計(jì)算推導(dǎo)得出了其方向圖公式,并利用Matlab仿真軟件對(duì)其各項(xiàng)性能,如半波功率點(diǎn)波束寬度、旁瓣電平等進(jìn)行了仿真和數(shù)據(jù)分析,并且與同等規(guī)模的矩形平面相控陣天線進(jìn)行了對(duì)比,得出了主波束寬度優(yōu)于矩形平面相控陣天線的結(jié)論,抗干擾能力更強(qiáng)。這些工作對(duì)于深入研究圓口徑平面相控陣天線有一定的指導(dǎo)意義。
 

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